Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Metodichka.doc
Скачиваний:
22
Добавлен:
03.03.2016
Размер:
14.77 Mб
Скачать

24 Лабораторна робота 7 Дослідження властивостей напівпровідникових приладів

7.1 Мета роботи - вивчення характеру електропровідності напівпровідників і принципу роботи напівпровідникових випрямлячів та транзисторів. Одержання практичних навичок у знятті вольтамперної характеристики напівпровідникових приладів у залежності від температури довкілля й матеріалу напівпровідника.

7.2 Прилади та устаткування

В даній роботі досліджуються наступні напівпровідникові прилади:

1) діоди типу Д7В (германієвий) і Д226 (кремнієвий);

2) транзистори МП-37Б (германієвий) і КТ-203Б (кремнієвий);

3) терморезистор типу ММТ-1 (або ММТ-4).

Для зняття залежності вихідних параметрів цих приладів від температури всі вони розташовані в термостаті. Вимірювання відповідних параметрів виробляється за допомогою мікро- та міліамперметрів, а також вольтметрів магнітоелектричної системи, що змонтовані на лицевій панелі лабораторного стенду. Джерелом постійної напруги служить установка для випрямлення ВУ.

7.3 Порядок виконання роботи

7.3.1 Зібрати схему (рис.7.1,а) і зняти вольтамперну характеристику терморезистора при температурі довкілля t0 (термостат відімкнуто).

Для цього ввімкнути ключ К1 і встановити потрібну напругу згідно з вольтметром (ключ К2 - відімкнуто). Замкнути К2 і зняти показання міліамперметра. Після цього ключ К2 відімкнути й дати

терморезистору охолонути протягом 1 хвил. Після цього встановити наступне значення напруги й зробити вимірювання у тому ж порядку. Максимальне значення напруги для ММТ-1 - 35 В; для

ММТ-4 - 45 В.

Результати вимірів записати до табл. 7.1.

Таблиця 7.1 - Характеристики терморезистору типу ммт

t,0C

U,B

t0=20-25

I0, mA

tн=80

IН, mA

Примітка. Після виконання п. 7.3.1 схема залишається у зібраному виді.

7.3.2 Зібрати схему (рис. 7.1,б) і зняти вольтамперну характеристику діодів Д226 та Д7В при температурі довкілля (термостат відімкнуто). При визначенні зворотнього струму перемкнути пакетний вимикач П1 і змінити полярність на затискувачах вимірювальних приладів.

Результати випробувань записати до табл. 7.2.

Таблиця 7.2 - Характеристики напівпровідникових діодів

Тип

діода

Uпр, В

Iпр, mА

Uобр, В

Iобр, А

t0= 20-250С

tн=80 0С

t0= 20-250С

tн=80 0С

Д7В

5-25

5-25

Д226

5-25

5-25

Примітка. Після виконання п. 7.3.2 схема залишається у зібраному виді.

23 Таблиця 2.2 - Характеристики зразків при вимірюванні методом заряду конденсатору

U, В

Вимірюються

Обчислюються

v

s

Iv,

A

Rv,

v,

Ом*м

v,

См/м

Is,

А

Rs,

Ом

s,

Ом

s,

См

2.3.2.15 Для визначення величини поверхневого опору необхідно на схемі (рис. 2.3) змінити місцем затискувачи «В» та «С» і виконати для неї вимірювання по пп. 2.3.2.9-2.3.2.13.

Поверхневий опір зразка визначається згідно з формулою, Ом

. (2.8)

Величини v та s обчислюються, відповідно, за формулами (2.1) та (2.2) з використанням формули (2.3), а величини v та s за формулами (2.4) та (2.5).

2.4 Зміст звіту

Звіт повинен додатково містити:

- графіки залежності v=f(t), s=f(t), v=f(U), s=f(U);

- значення коефіцієнта  для однієї з точок дослідної кривої;

- теоретичну криву v=f(t), отриману згідно з формулою:

, (2.9)

де - питомий об'ємний опір при температурі довкілля t0=20С;

або TK - температурний коефіцієнт, К-1;

t - температура, С.

Числове значення  при лінійному зміненні питомого опору (у вузькому інтервалі температур) знаходиться з експериментально отриманої залежності v=f(t) за формулою:

, (2.10)

де 1 - питомий опір діелектрика при початковій температурі t1;

2 - питомий опір при температурі t2, що змінюється.

Теоретична крива v=f(t) має бути побудована на одному графіку із експериментальною кривою.

Контрольні питання

1. Які фактори впливають на величину об'ємного струму Iv і поверхневого струму Is?

2. За якими формулами обчислюються величини v і s?

3. На якому струмі виробляється вимірювання опорів діелектриків і чому?

4. Що характеризує собою температурний коефіцієнт ?

5. Що подає собою установка для вимірювання опорів?

12

6. Які зміни слід зробити у схемі при вимірюванні Rv і Rs?

7. Пояснити призначення ключа К1 і ємності С на рис. 2.3.

8. Яким чином змінеться робота схеми, наведеної на рис. 2.3, якщо буде закорочено ключ К2?

9. Пояснити призначення ключа К3 на рис. 2.3.

10. Пояснити характер змінення кривих =f(t).

Література: [2], с. 39-54; [3], с. 121-167; [4], с. 17-47; додатково –[5], с. 59-84

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]