8. Конденсаторы: назначение, классификация, осн. Параметры.

К - дискретные эл-ты обладающие сосредоточенной электроемкости т.е. способ-ю накапливают эл-е заряды. Классификация:1)По возм-ти изм-я емкости : а)пост.; б)перем. в) пост. г)спец-е2)По материалу диэлектрика: а) Вакуумные б)воздушные в)с тверд неорганическим диэл (слюдяные, керамические, стеклокерамические, пленочные) г)с тверд орг диэл (бумажные, металлобумажные) д)Электролитные3)По напряжению: а)низковольтные(U_раб≤1600В) б)высоковольтные(U_раб≥1600В). 4)По мощности: малой и большой 5)По диапазону рабочих частот: а)для пост и пульсирующего U б)для U звуковых частот 10²-10⁴Гц в)для U радиочастот 10-100МГц и более.6)По конструкции: а)цилиндр-е б)плоские в)трубчатые г)диск-е .УГО

Основные параметры: 1)Величина номинальной емкости С_н2)Удельная емкость С_уд= С_н/V3)Отн отклон о номин допуск σ4)Темп коэфф емкости (ТКЕ)5)Ток утечки I_ут - ток в уст режиме при рабочем U6)Тангенс угла потерь tg σ где σ- угол до 90^о, угол сдвига фаз м/у I и U в емкости, tg σ =Р_акт/Q_реакт7)Электрическая прочность: раб U_раб8)Реактивная мощность Q=2πfU²C9) Паразитическая индуктивность, её наличие обуславливает возникновение автоколебанийf_рез=(2π√(C_кL_пар))^-1Согласно ГОСТу, для конденсаторов уст ряд Е6 номиналов σ ≈±0,1-±20% и кодируются как и резисторы. Букв-цифр маркировка состоит из 3 эл-в: первый - буква или сочетание букв: К - конд пост емкостиКТ - подстр КП - перем емкости.Второй - обозначает вид диэлектрикаТретий - порядковый номер разработки (напр К10-17)Емкость обозначается: М(μ)-мкФ, Н(n)-наноФ, П(р)-пФ.

9. Параллельное и последовательное соединение конденсаторов.

Последовательное: - емкость

Параллельное: емкость сумма емкостей конденсаторов.

10.Пассивные rc-цепи

RC-цепь — электрическая цепь, представляющая собой делитель напряжения (для переменного напряжения), состоящая из конденсатора и резистора.

11. Электронно-дырочный переход при прямом включении

Если к р- и n-областям подключить внешний источник напряжения плюсом к р-области, а минусом к n-области (рис. а), диффузионное поле р-n-перехода будет частично скомпенсировано полем внешнего источника. Потенциальный барьер р-n-перехода уменьшится и увеличится количество электронов и дырок, проникающих в противоположные области. Ток диффузии станет преобладать над током дрейфа, и через р-n-переход будет протекать результирующий ток. Этот ток зависит от концентрации примесей в р- и n-областях и направлен из р-области в n-область. Такое подключение р-n-перехода к внешнему источнику напряжения называется прямым, а протекающий через него ток — прямым током. Прямой ток тем больше, чем больше приложенное к р-n-переходу прямое напряжение (рис. б).

12. Электронно-дырочный переход при обратном включении.

Если источник внешнего напряжения переключить плюсом к n-области и минусом к р-области (рис. 3.5, в), внешнее напряжение увеличит потенциальный барьер р-n-перехода. Диффузионный ток станет меньше тока дрейфа. Результирующий ток, протекающий через р-n-переход, в этом случае будет определяться дрейфовым током, т. е. его значение и направление такие же, как и у дрейфового тока. Это включение р-n-перехода называют обратным, а протекающий через него ток — обратным током. Так как обратный ток образован неосновными подвижными носителями заряда р- и n-областей, концентрация которых очень мала по сравнению с концентрацией основных носителей, то обратный ток оказывается значительно меньше прямого тока и очень мало зависит от обратного напряжения (рис. 3.5, г). При некотором значении обратного напряжения происходит пробой р-n-перехода, вследствие которого резко увеличивается обратный ток. Пробой может быть тепловым (кривая 1) или электрическим (кривая 2). При тепловом пробое разрушается кристалл и свойства р-n-перехода теряются. Электрический пробой, не перешедший в тепловой, является обратимым, т. е. свойства р-n-перехода восстанавливаются при снятии обратного напряжения.