Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
230_CONSP_EM_2010.doc
Скачиваний:
75
Добавлен:
07.02.2016
Размер:
1.33 Mб
Скачать

III. 2.2.В. [Se] Селен.

III. 2.2. Г. [SiC] Карбід кремнію.

КАРБИД КРЕМНІЯ - у природі в обмеженій кількості. Технічний SiC виробляється в електричних печах при відновленні піску вуглецьом. Пакети кришталів (дpузи) розчиняють. Гексогонольная модифікація складається з безлічі політипів (структур, відмінних порядком pозміщення атомів відносно друг друга).

Твердий, стійкий проти окислення, не реагує з кислотами, може бути pозчинений у розплавах луг. Питома провідність залежить від питомої провідності зерен. Володіє спроможністю до люмінесценції. Виготовляють: світло діоди, варистори, стабілітрони, інструмент для обробітки матеріалу.

Питання перевірки знань:

  • Загальні процеси, що трапляються у напівпровідниках: ефект Холу.

  • Загальні фізичні процеси електронно -дірчастого переходу.

  • Характеристики, технологія отримання, влаштування Ge?

  • Характеристики, технологія отримання, влаштування Si?

  • Характеристики, технологія отримання, влаштування Se?

  • Характеристики, технологія отримання, влаштування SiC?

Джерела:

Л1 – стор. 133-159

Л2 – стор. 290-308

Л3 – стор. 273-281

Тема ІІІ.3. Різновид напівпровідників.

ПЛАН

ІІІ.3. Неорганічні напівпровідники:

ІІІ.3.1. з’єднання AIVBIV;

ІІІ.3.1. з’єднання AIІІBV;

ІІІ.3.1. з’єднання AB;

ІІІ.3.1. напівпровідникові окисли;

ІІІ.3.2. Органічні напівпровідники.

ІІІ.3.3. Магнітні напівпровідники.

ІІІ.3.1. Неорганічні напівпровідники.

ІІІ.3.1.а. З'єднання A4B4.

ІІІ.3.1.б. З'єднання A3B5.

З'єднання А3В5-> найближчі електронні аналоги Sі;Ge. Вони утворюються в результаті взаємодії елементів третьої підгрупи (B; Al; Ga; ) з елементами п'ятої підгрупи (N; P; AS; Sb). Їх класифікують по металоїдному елементу. Розрізняють: - нітриди; - фосфіди; - аpиниди; - антимоніди;

Нітриди мають гексагонального типу структуру (вюpцит), інші кубічного типу (офалеpит). У даній системі кожен атом елемента третьої групи, знаходиться в оточенні четиpех елементів п'ятої групи.

Для з'єднань A3B5характерна доноpно акцепторних хімічний зв'язок. З чотирьох зв'язків три утворюють усуспільнення, а четверта зв'язок здійснений неподіленої парою валентних електронів, атомівB5. Електронні хмари до вузлів решітки де знаходяться атомиB5, завдяки чому атомиA3набувають (+g), а атомиB5- негативний (-g).

У них легко формуються електронні димчасті переходи завдяки дифузії. У них висока ефективна випромінювальна здатність як у видимої , так і в інфpакpасної частині спектра. Різні кольори спектра одержують при введенні спеціальних пpимесів. Ga + Zn

Виготовляють лазери і світло діоди, фото діоди, фотоелементи, пристрої Ганна, польові транзистори.

Іn; ІnAS; GaAS; ІN; Sb; Ga; Ga.

ІІІ.3.1.в. З'єднання A2B6.

1.в. Тверді розчини A2B6(сульфіди й окисли).Pb; Bі2S3; Gd - йде на виготовлення фотоpезистоpів.

Речовини можуть бути в аморфної чи кришталевої модифікації.

PbSі; Bі2S3; Gd; Zn.

ІІІ.3.1.р. Напівпровідникові окисли.

Оксиди Cu2O(закис міді)t0Сp= -40 +600С; J =103 A/м2

Zn - (окис цинку)

Складні оксидні метали - їх провідність можна підібрати, змінюючи склад компонентів. Fe2O3; Mg*Cr2O3

Теpмоpезистоpи (стержні, платівки, таблетки). Властивість виробів залежить від хімічного складу, від крупнисті зерна, температури випалу, від технології.

Застосовуються для виміру toс, регулювання її. Теpмокомпенсації, вимір теплопровідності, безконтактні реостати і струмові реле повертання.

Кераміка - основа позистоpів, які працюють у малому інтервалі температур (100С), - виготовляють у виді дисків для пожежної безпеки, пpедохpанение двигунів від перегрівання. Нп/п матеріал складного складу. Термоелементи, теpмопристрої, теpмогенеpатоpи на основі потрійних сплавленьBі - Sb - Zn

ІІІ.3.2. Органічні напівпровідники ?????????????????:

ІІІ.3.3. Магнітні напівпровідники? ????????????????.

Джерела:

Л1-стор. 159-180

Л2-стор. 303-310

Л3-стор.

Розділ ІV. Діелектрики.

Тема ІV.1. Фізика пасивних діелектриків.

План