- •Введение. Особенности оптического диапазона эмв. Достоинства волс.
- •2.1.1. Достоинства и область применения волс.
- •Волоконно-оптическая система передачи
- •Структурная схема волоконно-оптической системы передачи сигналов
- •1. Передача оптических сигналов.
- •Диапазоны эмв.
- •1. Особенности оптического излучения. Диапазон оптических длин волн.
- •Лекция 2. Основные положения и понятия волновой, квантовой и геометрической оптик
- •Параметры оптического излучения. Поляризация, монохроматичность и когерентность оптического излучения
- •Преломление света. Полное внутреннее отражение.
- •Волоконный световод (оптоволокно)
- •Параметры оптических волокон
- •2.1.3 Дисперсия
- •2.3. Межмодовая дисперсия
- •2.4. Материальная дисперсия и информационная емкость
- •Задача № 1
- •Задача № 2
- •2.5. Информационные параметры волс
- •Задача №3
- •2.6. Особенности работы и режимы волоконных световодов
- •2.7. Особенности расчетов и применения многомодовых волоконных световодов
- •2.8. Разновидности и применение одномодовых световодов (омвс)
- •Задача№4
- •2.10. Технология и материалы вс
- •2.11. Геометрические и механические характеристики вс
- •2.13. Разновидности и поколения волс
- •3. Оптические волноводы
- •3.1. Парамeтры оптических волноводов
- •3.2. Потери в оптических волноводах. Методы изготовления оптических волноводов
- •,Где – усредненная глубина шероховатостей.
- •3.2.2. Методы изготовления планарных и полосковых ов заимствованы из технологии пп электроники. Их можно условно разделить на три категории:
- •3.3. Связанные волны в оптических волноводах
- •Задача №5
- •Задача №6
- •Задача №7
- •Лекция 3
- •3.4. Пассивные элементы интегрально-оптических схем
- •4. Пассивные элементы волс
- •4.1. Оптические разветвители (ответвители)
- •4.2. Оптические аттенюаторы
- •4.3. Оптические мультиплексоры/демультиплексоры и фильтры
- •4. Управление временными параметрами оптического излучения
- •4.1. Модуляция лазерного излучения
- •4.2 Физические эффекты в кристаллах
- •4.3. ЭлектрОоптические модуляторы (эом)
- •Задача n9.
- •4.4. Акустооптические модуляторы (аом)
- •4.5. Магнитооптические модуляторы (мом)
- •5. Управление пространственными характеристиками оптического излучения
- •5.1. Основные определения
- •5.2. Электрооптические дефлекторы (эод)
- •Задача №10.
- •5.3 Акустооптические дефлекторы (аод)
- •Задача №11
- •6. Особенности источников оптического излучения для волс и ов.
- •7. Приемники оптического излучения
- •7.1. Принцип действия фотоприемников
- •7.2. Классификация, параметры и характеристики фотоприёмников
- •7.3 Фотодиоды с обычным p-nпереходом
- •7.4. Специальные типы фотодиодов
- •7.5. Фототранзисторы
- •7.6. Многоэлементные ФотоПриёмники
- •Задача №12.
- •8. Интегрально-оптические схемы
- •8.1. Основные определения
- •8.2. Примеры реализации Интегрально-оптических схем
- •9. Волоконноотические датчики (вод)
- •Принцип работы, классификация и параметры вод
- •9.2. Вод амплитудной модуляции
- •9.3. Вод фазовой модуляции.
- •9.4. Поляризационные вод.
- •9.5. Вод с управляемой связью в коаксиальных оптических волноводах.
- •10. Оптические методы обработки информации.
- •10.1 Основы голографии.
- •10.2 Элементы оптической памяти оптических и электронных процессоров.
- •10.3. Оптическая фильтрация.
- •11. Радиооптические антенные решетки (роар)
- •11.1. Основные понятия
- •11.2. Оптическое управление задержками свч - сигналов
- •11.3. Оптическое управление фар на основе оптического процессора
- •11.4 Фар с “экзотическими” методами управления.
Задача n9.
Рассчитать электрооптический волноводный фазовый модулятор на основе GaP для моды H1, обеспечивающий максимальный сдвиг фаз =1800 для =0,63мкм при концентрациях подложки N0=31018см-3 и волноводного слоя N1=11015см-3 , используя следующие параметры материала: n0=3,2; r’=51011см/В; m*=0,013me; Eпроб=5105В/см. Оценить роль различных факторов в изменении фазы под действием управляющего напряжения.
4.3.4. Двухканальный модуляторможно получить из двухканального направленного ответвителя (рис.3.6) добавлением двух управляющих электродов на области ОВ. При изменении управляющего напряжения на электродах коэффициенты фазы изменяются в разные стороны, что позволяет изменятьот нуля (фазового синхронизма и полной перекачки энергии из первого канала во второй) до значения, обеспечивающего отключение второго канала(см.задачу №6). Так как, то для этого требуется изменение. Например, приh=3мкмиз выраженияnэо=n13r’U/2hдляGaAsполучаетсяUм10В. Для реального модулятора наGaAsAlпри=0,9мкми сечениях ОВhW=33мкмпри значенииn10-4необходима напряженностьЕ=3104В/см.
4.3.5. ЭОМ типа Маха-Цандлераработает на основе волноводного варианта интерферометра Маха-Цандлера (рис.4.7) в котором происходит интерференция двух волн, проходящих разные пути (ОВ–одномодовые).
Рис. 4.7. ЭО модулятор типа Маха-Цандлера
Без управляющего напряжения ОВ одинаковы, и на выходе волны, приходящие по двум путям, складываются синфазно, образуя ту же основную моду.
Если управляющее напряжение обеспечивает разность фаз в двух каналах =, то возникающая высшая мода отсекается (это не преобразователь мод!).
На практике точной идентичности ОВ добиться не удается, поэтому подбираются напряжения для включенного и выключенного состояний.
Например, модулятор на LiNbO3с областью ОВ, образованной диффузиейTiпри длинеL=38ммобеспечиваетPвкл/Рвыкл=22дБ.
4.4. Акустооптические модуляторы (аом)
4.4.1. АОМ представляет собой брусок из прозрачного материала (рис. 4.8,а,б) и поперечным сечением la , с одной стороны которого подведением высокочастотного напряжения при помощивстречно штыревого преобразователя(ВШП) (рис. 4.8 в) возбуждается акустическая волна с длинойак. С другой стороны бруска находится акустический поглотитель для обеспечения режима бегущей акустической волны. Оптический пучок диаметромDподводится в случае дифракцииРамана-Натта(см. п.4.2.3.) перпендикулярно бруску (рис. 4.8 а), а в случае дифракцииБрэгга– под углом Брэгга -Б(рис. 4.8 б).
Рис. 4.8. Акустооптические модуляторы
Как уже указывалось выше, механическое напряжение в твердом теле приводит к изменению его показателя преломления. Этот эффект называется фотоупругим. При воздействии акустической волны
,
где А= la– площадь поперечного сечения образца, через которую проходит акустическая волна в см2;Ра– полная акустическая мощность в Вт (Ра~U2);
М2– коэффициент акустооптического взаимодействия, зависящий от типа материала и угла среза кристалла. Например, для кварца приРа=100 Вт/см2иМ2=1,5110-18 с3/смполучимn10-5. Несмотря на малоеnэто приводит к оптическому взаимодействию.
Таким образом, амплитудная модуляцияосуществляетсяизменением мощности акустической волны.
Так как угол Брэгга обычно мал, то в обоих случаях сдвиг фаз оптического пучка после модулятора
, (4.15)
где yотсчитывается от середины между пучностямиn; - длина оптической волны. Максимальный фазовый сдвигmaxбудет приy=0.
(4.16)
Подставив (4.15) в (4.16), получим
. (4.17)
Если аn/>>1, то АОМ считаетсяобъемным, а еслиаn/1, товолноводным (планарным).
Так как в АОМ используются бегущие акустические волны, то решетка, возникающая в диэлектрике за счет пространственной модуляции движется относительно оптического пучка, но ее можно считать стационарной, так как fак<<fоптиVак<<Vопт.Исключением является только эффект Доплера, который приводит к сдвигу спектраm-того порядка, т.е.fm=fm оптmfаки происходит частотная модуляция, но в случае АОМ это обычно игнорируется.
4.4.2. В случае объемного модулятора на основе дифракции Рамана-Натта (при параметре дифракции Q<<1) угловое положение максимумаm-того порядка определяется соотношением (рис. 4.8,а)
, (4.18)
а модуляционная характеристика имеет вид
(4.19)
где Im– интенсивность вm-том дифракционном максимуме;Ipo– интенсивность приРа=0. Обычно используют главный максимум (m=0). Максимальная глубина модуляцииМмодпри этом определяется частью света, которая попадет в дифракционные максимумы.
. (4.20)
На практике добиться Ммод=1не удается, поэтому АОМ Рамана-Натта используется редко.
4.4.3. В АОМ на основе дифракции Брэгга (Q1) в качестве выходного пучка используется первый дифракционный максимум (рис. 4.8,б). Оптимальный входной угол при этом равен углу Брэгга. Максимальная глубина модуляции составляет
, (4.15)
т.е. при Ра=0дифракционный максимум пропадает и возможно значениеМмод=1. Это и является основным достоинством АОМ на основе дифракции Брэгга.
4.4.4. На практике АОМ реализуется на поверхностных акустических волнах(ПАВ) в интегрально-оптическом исполнении (рис. 4.9).
Рис. 4.9. АОМ на ПАВ
ПАВ возбуждается при помощи ВШП в пленке планарного ОВ на LiNbO3. Оптическая волна от полупроводникового лазерного диода ППЛД через геодезическую линзу Л1 поступает в область распространения ПАВ (сгущений и разряжений коэффициента преломления) под углом БрэггаБ. Главный максимум после прохождения области взаимодействия через линзу Л2 поступает на контрольный фотоприемник ФП, регистрирующий работоспособность ЛД, а дифракционный пучок через линзу Л3 – на основной фотоприемник ФП. Такой модулятор имеет габариты рисунка, работает в полосе частот 50500 МГц и потребляет десятки Вт акустической мощности.
АОМ широко используется в лазерной технике благодаря простоте и надёжности. Основным достоинством его является высокий коэффициент контрастности ,так как придифракционный максимум пропадает и его интенсивность, т.е. обеспечивается 100% модуляция. При этом амплитудные, частотные и поляризационные модуляторы могут быть реализованы на базе одного и того же устройства. Спектральный оптический диапазон фотоупругих материалов значительно шире перекрываемого электрооптическими материалами, выше оптическая мощность и входная апертура, оптические потери в 3-6 раз меньше, управляющее напряжение не превышает 30 В, обеспечивается высокая термостабильность.
Недостатками АОМ являются малое быстродействие, ограниченное временем распространения акустической волны, и меньшая полоса пропускания (эти параметры будут рассмотрены позже при анализе акустооптического дефлектора).
Хотя акустооптический эффект проявляется в любой прозрачной среде, используются специальные кристаллические материалы, прозрачные в видимой и ближней инфракрасной области: кварц , парателлурит, молибденат свинца, ниобат и танталат лития (и), соли альфайодистой кислоты-. В инфракрасной области используютсяTe,Ge,GaAs.