- •1.Классический электронный газ. Теория проводимости Друде. Подвижность. Проводимость твёрдых тел.
- •Билет 2. Типы связи в твёрдых телах. Симметрия в кристаллах. Понятие кристаллической сингонии.
- •3. Статистика электронов и дырок. Функции распределения. Плотность квантовых состояний в зоне.
- •Плотность квантовых состояний
- •Функция распределения
- •Вопрос 4 .Уравнение Шредингера для электрона в кристалле. Эффективная масса.
- •5. Обратная решётка. Зоны Бриллюэна
- •6. Образование энергетических зон.
- •7. Квазичастицы в полупроводниках. Закон дисперсии. Понятие дырки. Квазиимпульс. Эффективная масса.
- •8. Квазичастицы в полупроводниках. Понятие дырки
- •9. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике
- •Определение положения уровня Ферми
- •10. Механизмы рассеяния электронов и дырок
- •11. Уравнения непр. И Пуассона. Генерация и рекомбинация.
- •Вопрос 12. Диффузионный и дрейфовый токи.
- •13. Эффект поля. Дебаевская длина экранирования.
- •14.Работа выхода в металлах и полупроводниках. Контактная разность потенциалов.
- •15. Полупроводниковые диоды.
- •17.Обеднённая область p-n-перехода. Зависимость её ширины от параметров.
- •18.Барьерная ёмкость p-n-перехода
- •19.Зонная диаграмма неравновесного p-n перехода. Квазиуровни Ферми.
- •20. Вах идеализированного диода.
- •21. Диффузионная емкость p-n перехода.
- •Вопрос 22
- •23. Пробой p-n-перехода
- •24. Биполярные транзисторы
- •25. Зонная диаграмма биполярного транзистора в схеме включения с об. Принцип действия.
- •26. Расчет вах биполярного транзистора. Граничные условия.
- •Вопрос 27
- •28. Процессы в биполярных транзисторах
- •29. Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •30. Биполярный свч – транзистор и его характеристики.
- •31. Полевые транзисторы
- •32.Вольт-фарадная характеристика мдп транзистора.
- •33. Вах мдп-транзистора Характеристики мдп в области плавного канала
- •Характеристики мдп в области отсечки
- •34. Эффекты короткого и узкого канала в мдп-транзисторе.
Вопрос 4 .Уравнение Шредингера для электрона в кристалле. Эффективная масса.
Уравнение
Шредингера для электрона
в кристалле (2.1):
отличается от уравнения Шредингера для
свободного электрона :
наличием периодического потенциала
решетки U(r).
Запишем вместо уравнения (2.1) эквивалентное
ему уравнение:
(2.7), в котором отсутствует периодический
потенциал решетки, а его влияние
учитывается путем введения некоторой
неизвестной величины m*n
, имеющей
размерность массы. Закон дисперсии,
получаемый из решения уравнения (2.7),
имеет вид, аналогичный закону дисперсии
для свободного электрона : E(
)=
(2.8)
т.е. энергия квадратично зависит от
вектора
.
В то же время зависимость Е(
)
, получаемая из решения уравнения
(2.1), является некоторой периодической
функцией вектора
.
Т.о. уравнение (2.1) можно представить
в виде (2.7) только для тех областей спектра
электрона, где его энергия квадратично
зависит от квазиволнового вектора
.
Закон
дисперсии для электрона в одномерном
кристалле представляет собой
периодическую функцию, имеющую экстремумы
вблизи потолка и дна разрешенной
зоны. В силу симметрии зоны Бриллюэна
в центре ее всегда имеется экстремум
энергии. Разложим функцию Е(k)
в ряд Тейлора вблизи точки к = 0 и
ограничимся квадратичным членом
разложения: E(k)=E(0)+![]()
.
По определению экстремума
=
0. Принимая за начало отсчета энергии
величину Е(0), получаемE(k)=
(2.9)
Выражения
(2.8) и (2.9) совпадают, если в качестве m*n
взять величину
(2.10) Величина
m*n
– эффективной
массой электрона.
Т.о.,уравнение (2.7) справедливо для
электронов, находящихся вблизи экстремумов
энергии, т.е. вблизи дна и потолка
разрешенной зоны. Движение таких
электронов в кристалле рассматривается
как движение свободных электронов, если
приписать электрону массу m*n,
отличную от массы свободного электрона
m.
Рассмотрим трехмерный случай, полагая
при этом, что экстремум энергии находится
в некоторой точке
0
зоны Бриллюэна. Разлагая функцию Е(
)
в ряд и ограничиваясь квадратичными
членами разложения, получаемE(
)=E(![]()
)+
=E(
0)+
(2.11)
где а,bнезависимо могут принимать значения
х, у,z, а выражение
=
определяет тензоробратной эффективной
массы. Поскольку велична второй
производной не зависит от порядка
дифференцирования, тензор симметричен:mab=mba.
Симметричный тензор в главных осях
приводится к диагональному виду, при
котором все члены, не стоящие на главной
диагонали, обращаются в нуль:
=
=
Т.о.
и в общем случае вблизи точки экстремума
энергия квадратично зависит от
квазиволнового вектора, и электрону
можно приписать эффективную массу.
Однако эффективная масса зависит от
направления движения электрона и
характеризуется тремя компонентами
тензора эффективной массы: m
,
m
, m
Используя диагональный вид тензора
обратной Эффективной массы, разложение
(2. 11) можно записать в виде
E(
)-E(
)=
Для Е(
)=const
– это уравнение изоэнергетической
поверхности, которая представляет собой
эллипсоид, полуоси которого определяются
компонентами тензора эффективной массы.
Для многих кристаллов, например, для
германия и кремния,
=
=
,
=
и изоэнергетическая поверхность
представляет собой эллипсоид вращения
вокруг оси кz
:
E(
)-E(
)=
.
Компоненты
и
называют в этом случае поперечной и
продольной эффективными массами.
