- •1.Классический электронный газ. Теория проводимости Друде. Подвижность. Проводимость твёрдых тел.
- •Билет 2. Типы связи в твёрдых телах. Симметрия в кристаллах. Понятие кристаллической сингонии.
- •3. Статистика электронов и дырок. Функции распределения. Плотность квантовых состояний в зоне.
- •Плотность квантовых состояний
- •Функция распределения
- •Вопрос 4 .Уравнение Шредингера для электрона в кристалле. Эффективная масса.
- •5. Обратная решётка. Зоны Бриллюэна
- •6. Образование энергетических зон.
- •7. Квазичастицы в полупроводниках. Закон дисперсии. Понятие дырки. Квазиимпульс. Эффективная масса.
- •8. Квазичастицы в полупроводниках. Понятие дырки
- •9. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике
- •Определение положения уровня Ферми
- •10. Механизмы рассеяния электронов и дырок
- •11. Уравнения непр. И Пуассона. Генерация и рекомбинация.
- •Вопрос 12. Диффузионный и дрейфовый токи.
- •13. Эффект поля. Дебаевская длина экранирования.
- •14.Работа выхода в металлах и полупроводниках. Контактная разность потенциалов.
- •15. Полупроводниковые диоды.
- •17.Обеднённая область p-n-перехода. Зависимость её ширины от параметров.
- •18.Барьерная ёмкость p-n-перехода
- •19.Зонная диаграмма неравновесного p-n перехода. Квазиуровни Ферми.
- •20. Вах идеализированного диода.
- •21. Диффузионная емкость p-n перехода.
- •Вопрос 22
- •23. Пробой p-n-перехода
- •24. Биполярные транзисторы
- •25. Зонная диаграмма биполярного транзистора в схеме включения с об. Принцип действия.
- •26. Расчет вах биполярного транзистора. Граничные условия.
- •Вопрос 27
- •28. Процессы в биполярных транзисторах
- •29. Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •30. Биполярный свч – транзистор и его характеристики.
- •31. Полевые транзисторы
- •32.Вольт-фарадная характеристика мдп транзистора.
- •33. Вах мдп-транзистора Характеристики мдп в области плавного канала
- •Характеристики мдп в области отсечки
- •34. Эффекты короткого и узкого канала в мдп-транзисторе.
Билет 2. Типы связи в твёрдых телах. Симметрия в кристаллах. Понятие кристаллической сингонии.
Различают следующие основные типы химической связи: а) ионную, или гетерополярную, б) ковалентную, или гомеополярную, в) ван-дер-ваальсовскую и г) металлическую. В типичных полупроводниках существенную роль играют только два первых типа связи.
а.
Ионная
связь.
В
случае ионной связи силы притяжения —
кулоновские электростатические силы.
Такой тип связи в двухатомных молекулах
щелочно-галоидных соединений, например
в молекуле NaCl.
При образовании такой молекулы
единственный валентный электрон натрия
3s
переходит на атом хлора, у которого не
хватает одного электрона для завершения
группы 3р, вследствие чего образуются
два иона Na+
и Cl-,
притягивающиеся друг к другу. Такой
переход электрона происходит т.к. он
энергетически выгоден; вследствие
притяжения между возникающими ионами
Nа+
и Сl-
общая энергия этой системы оказывается
меньше энергии нейтральных атомов Na
и Сl.
На
больших расстояниях взаимодействие
ионов рассматривается как взаимодействие
точечных зарядов и часть энергии
взаимодействия, связанная с силами
притяжения — e2/R.
При
малых R
проявляются силы отталкивания,
обусловленые взаимным проникновением
друг в друга электронных оболочек
атомов, а также отталкиванием одноименно
заряженных ядер. С достаточным приближением
можно положить, что величина силы
отталкивания обратно пропорциональна
некоторой степени расстояния между
ядрами. Поэтому полную энергию
взаимодействия можно представить в
виде интерполяционной формулы: U=
(3.1), где а и m
–некоторые постоянные, характеризующие
силы отталкивания. При т
>
1 зависимость U(R)
имеет минимум при некотором равновесном
расстоянии R
между
ионами.
б. Гомеополярная связь. Такая связь осуществляется в случае одинаковых, незаряженных атомов. Классическим примером является молекула водорода.
Свойства: 1) насыщаемость. При сближении с молекулой Н2 третьего атома Н энергия взаимодействия изменяется только за счет классического взаимодействия, обменная же энергия при этом не возникает. Поэтому третий атом Н будет отталкиваться от молекулы Н2.
2) пространственная направленность возникает потому, что результирующее электронное облако, образуемое валентыми атомными электронами, не сферично, а вытянуто вдоль определенных направлений. С другой стороны, для образования гомеополярной связи необходимо перекрытие электронных облаков взаимодействующих атомов. Поэтому связываемые атомы ориентированы определенным образом друг относительно друга, что изображается в химии направленными черточками — валентностями.
3) четкое разграничение между гомеополярной и ионной связями не всегда возможно. Гомеополярную связь в чистом виде мы имеем в молекулах из двух одинаковых атомов, например в молекуле водорода, где распределение электронной плотности симметрично относительно обоих ядер. Если оба атома различны, то и результирующее электронное облако в молекуле будет асимметрично и оба атома нельзя уже считать незаряженными. Ионную связь можно рассматривать как предельный случай гомеополярной связи, когда электронное облако валентных электронов сосредоточивается вокруг одного из ядер.
в. Ван-дер-ваальсовская связь. Изучение поведения реальных газов показывает, что между нейтральными атомами даже в случае, когда гомеополярные (валентные) силы полностью отсутствуют, возникают силы притяжения, быстро убывающие с расстоянием. Происхождение этих так называемых ван-дер-ваальсовских или, иначе, дисперсионных сил тоже в основном квантовомеханическое.
Ван-дер-ваальсовские силы играют существенную роль в кристаллах благородных газов, а также в так называемых молекулярных кристаллах. Однако в типичных полупроводниковых материалах влияние этих сил ничтожно по сравнению с другими типами химической связи, и поэтому мы на них не будем останавливаться.
