Добавил:
ivanov666
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:патенты / Сборник патентов_10823
.pdf
frolli th 'e 1110111(1 to confille the material nf the ti.e.,i(l lietween th(, -Airlift, are ill tbe forni of cross-spet ion all
U-,1iiT)ecl fi-jn,e. R, форма I- 'piiiQ, fornied said 11111121es with addifional ally U-shaped inwardly extendipQ,
treaddesign-forminn g. Протектор шины iiiQ. мораль], как установил веру в (.!., баллада, 6, 7s карта 8 inchidini,
утверждая; (lizzaround aild 1'tci tll(. 'nollbl для IDDIvill, 1- ',a t therelo.
1(. Форма для изготовления шин, как указано в пункте 7 и 8 (G). Вентиляционные отверстия в форме для шин,
обеспечивающие индикацию зазора между протектором (конфигурация!). 2 1111_ лиц.
11. A t 'vre treadinz inould its zet aloft], in (.1:iiiii 9 v-lier(,iii the lit,:ttillu. aliens., voniconduit spiralkal)oiit the exterior of
the mould.
12.
Шина tre-t(liiiQ. morale, a.,; описанная в пунктах 9 или 1.1 нагревание, 111e1111s extenclinR, abont llit. exterior of
trip ironic] и средства M. _Метод tiea(Iiiis: Cre tract for Able IiiirT)o. Переформулировано.
14. A tyrt. treadin- inotild siib-stintiillfis and shown. and for ill(, ImrPtr, t-t forth.
1.5. Акт-рефренделл.
); укажите этот Sth (],a,, Tiijie, 19-1 Fnr flie A-p7)li(.iiit, FRA'XE B. DTTT' & Co., Patent Tiolise.]():). ' В. С. 12.
Лондолл, (30 6 -) 1 0 i 1 - 1 j 5 so Редхилл: Напечатано для канцелярии Его Святейшества компанией Love &
Ltd-1934.
ПЛОХОЙ ОРИГИНАЛ
=== НАЧАЛО ФАЙЛА: patent_420830.txt ===
ССЫЛКА: https://translationportal.epo.org/emtp/translate/?ACTION=description-retrieval&COUNTRY=GB&ENGINE=
google&FORMAT=docdb&KIND=A&LOCALE=sq_AL&NUMBER=420830&SRCLANG=EN&OPS=ops.epo.org/3.2&T
RGLANG=ru
========================================
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ GB420830A
[]
мой g 1i., - ' R:_.,i-
«СПЕЦИФИКАЦИЯ ПАТЕНТА»
ПАТЕНТНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ
Дата подачи заявки: 8 июня 1933 г. № 16486/33.
Фотография слева: 2 марта 1934 года.
Завершено: Декабрь. 10, 1934.
ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ.
Усовершенствования в области термоэлектронных генераторов или относящиеся к ним.
Мы, компания MARCONI'S WIRELESS TELEGRAPH COMPANY LIMITED, зарегистрированная в соответствии с
законодательством Великобритании, расположенная по адресу: Marconi Offices, Electra House, Victoria
Embankment, London, W.C.2, и Томас Диксон Паркин, подданный Великобритании, проживающий по адресу:
The Haven, Mill Lane, Broomfield, nr.
Челмсфорд, Эссекс, настоящим заявляет, что сущность данного изобретения заключается в следующем:
данное изобретение относится к термоэлектронным генераторам колебаний, и более конкретно к ламповым
генераторам, пригодным для использования в беспроводной телеграфии и телефонии, а также в других
подобных высокочастотных целях, и в которых колебания генерируются средствами, включающими
термоэлектронную лампу и электромеханическое резонансное устройство, такое как пьезоэлектрический
кристалл, который передает энергию обратно от выхода к входным электродам лампы.
Распространенная форма пьезоэлектрического термоэлектронного генератора колебаний состоит из триода,
анод которого соединен с катодом через резонансный контур, последовательно соединенный с анодной
батареей (которая может быть зашунтирована обходным конденсатором), при этом анод соединен с сеткой
через пьезоэлектрический кристалл, а сетка соединена с катодом через резистор утечки. Настроенный контур,
через который снимаются высокочастотные колебания, настроен на резонанс на частоте несколько ниже
частоты кристалла. Амплитуда высокочастотных колебаний, получаемых с помощью такой установки, будет
зависеть от ряда различных факторов, включая разницу между собственной частотой пьезоэлектрического
кристалла и собственной частотой настроенного контура, и, если предположить, что эти частоты различны, то
чем больше разница между ними, тем ниже будет амплитуда высокочастотных колебаний. Фактически,
кривая, соединяющая выходное напряжение высокой частоты (по оси ординат) с частотой резонансного
контура (по оси абсцисс), будет представлять собой кривую, которая становится все более крутой по мере
приближения частоты резонансного контура к частоте пьезоэлектрического кристалла, и, конечно же, резко
падает практически до нуля в точке, где частоты становятся одинаковыми.
На практике в пьезоэлектрических термоэлектронных генераторах колебаний рассматриваемого типа обычно
используют схему 55 с двумя резонансными частотами, расположенными на некотором расстоянии друг от
друга, для обеспечения стабильности, но это приводит к практическим трудностям в генераторах колебаний,
предназначенных для получения любой из множества различных частот, каждая из которых стабилизируется
отдельным кристаллом. Из вышеизложенного следует, что в упомянутом выше случае, когда может
потребоваться подключение в цепь любого из множества пьезоэлектрических кристаллов, высокочастотный
выходной сигнал будет зависеть от фактически выбранного кристалла, и тот, частота которого наиболее
близка к собственной частоте настроенного контура, даст максимальное высокочастотное выходное
напряжение.
Целью настоящего изобретения является разработка способов, позволяющих избежать подобных трудностей.
Один из способов осуществления данного изобретения — это термоэлектронный генератор колебаний, в
котором электромеханическое резонансное устройство подключено к цепи обратной связи по энергии между
выходным и входным электродами термоэлектронного клапана, имеющего связанный с ним резонансный
контур, и который характеризуется наличием средств для снижения эффективного импеданса входной цепи
клапана. Для снижения эффективного импеданса указанной входной цепи 85 удобно использовать простой
одиночный конденсатор, подключенный непосредственно параллельно с обычно предусмотренным током
утечки сетки между сеткой и катодом лампы. 90 Один из способов реализации данного изобретения
заключается в создании схемы для генерации колебаний, включающей триод, анод которого соединен с
сеткой через пьезоэлектрический кристалл. Сетка соединена с катодом через сопротивление утечки сетки,
составляющее, скажем, одну четверть мегаома, последовательно с индикаторным гальванометром.
Между сеткой и анодом также подключена вторая последовательная цепь, состоящая из конденсатора на 100
Ом, индикаторного термомиллиамперметра и выключателя. К аноду триода подключен один конец
резонансного контура, состоящего из индуктивности и емкости, соединенных параллельно, причем цепочка
емкости J05 предпочтительно также содержит тепловой конденсатор 42 (838 миллиампер). Другой конец этого
резонансного контура соединен через резистор (который при желании может быть установлен в качестве
защитного резистора или для уменьшения напряжения, подаваемого на анод) с источником постоянного тока.
миллиармметр и источник анодного потенциала (все последовательно соединены) с катодом триода, причем
указанный катод также соединен с точкой соединения последнего упомянутого резистора (если таковой
имеется) и резонансным контуром через обходной конденсатор.
Триод соединен каскадно со вторым триодом, у которого сетка и анод соединены вместе таким образом, что
он действует как диод, при этом катод этого второго триода напрямую соединен с катодом первого триода, а
анод второго триода соединен через разделительный конденсатор с анодом первого триода.
Анод второго триода соединен с его катодом через резистор.
Второй триод, разумеется, не является частью системы генерации колебаний, а лишь входит в состав
устройства для измерения высокочастотного напряжения, создаваемого на резонансном контуре.
При использовании одной из описанных выше схем и применении клапанов, каждый из которых имеет... При
внутреннем импедансе 0,3500 Ом, коэффициенте усиления 8 и взаимной проводимости 2,28 мкА на вольт
(при нулевом напряжении сетки и 1000 вольт на аноде) были получены следующие результаты с двумя
различными кристаллами с частотами 654 и 953 килогерц соответственно, при частоте резонансного контура
540 килогерц в каждом случае: — При использовании кристалла с более низкой частотой постоянный ток на
аноде первого клапана составлял 5,4 миллиампера, высокочастотный ток в резонансном контуре — 16
миллиампер, ток сетки первого клапана — 0,16 миллиампера, а пиковое выходное напряжение (ток в анодном
контуре второго трио, умноженный на сопротивление, вставленное в этот анодный контур) составляло 28
вольт. Все эти результаты были получены при открытом переключателе в цепи сетки первого триода, т.е. при
работе ламп в обычном известном режиме.
Однако, когда переключатель был замкнут, так что цепь соответствовала настоящему изобретению,
постоянный ток на аноде первого клапана упал до 4,2 миллиампер, а высокочастотный ток в резонансном
контуре увеличился до 1. ) миллиампер, ток в сети упал до (0,04 миллиампера), а пиковое выходное
напряжение увеличилось до 40 вольт, ток через конденсатор, включенный последовательно с выключателем
в цепи сети первого клапана, составил 5 миллиампер. В целом аналогичные результаты были получены с
высокочастотным кристаллом (953 миллиампер) — при разомкнутом выключателе ток на аноде составлял 5,9
миллиампер, а при замкнутом — всего 3,8 миллиампер; при разомкнутом выключателе ток на частоте
составлял 16 миллиампер.
Ток сетки первого клапана составлял 0,24 миллиампера при замкнутом выключателе, но 0,1 миллиампера при
замкнутом выключателе; пиковое выходное напряжение составляло 14,5 В при замкнутом выключателе и 53 В
при замкнутом выключателе, при этом ток через конденсатор в цепи сетки первого клапана составлял 0,35
миллиампера при замкнутом выключателе. Было замечено, что добавление конденсатора в цепь сетки
первого клапана снижает анодный и сеточный токи, но увеличивает высокочастотный ток в резонансном
контуре и, следовательно, высокочастотное напряжение, возникающее на нем. 8 Далее будет видно, что
наибольшее преимущество было получено при использовании кристалла с более высокой частотой, и что при
использовании этого кристалла обычным способом выходной сигнал был значительно ниже, чем 90% при
использовании кристалла с более низкой частотой. По-видимому, теоретическое объяснение преимущества
изобретения заключается в том, что конденсатор в цепи сетки снижает её импеданс настолько, что на сетку
подается свет меньшей частоты, и, следовательно, выпрямленный ток в сетке имеет меньшее значение.
Конечно, анодный ток падает, но из-за пропускания конденсатора в цепи сетки, позволяющего проходить
более высокочастотному току от кристалла в цепи, высокочастотный ток в туннельном контуре увеличивается,
и, соответственно, напряжение, возникающее на нем, также возрастает. Будет видно, что при заданной
частоте и напряжении ток через конденсатор в цепи первого клапана прямо пропорционален приложенной к
нему частоте, и, следовательно, сопротивление больше в случае самого высокочастотного кварцевого
резонатора в многокристальной системе, использующей общий клапан и анодную цепь.
Вторая особенность данного изобретения заключается в том, что оно также касается решения проблем того
типа, о которых говорилось ранее, причем указанная вторая особенность применима к пьезоэлектрическим
термоэлектрическим генераторам колебаний, в которых предусмотрено множество различных кристаллов,
причем схема такова, что один из них может быть выбран для работы в цепи.
[В случае, если предусмотрено множество различных кристаллов, любой из которых может быть выбран
переключателем для определения частоты, явление, упомянутое в начале данной спецификации, приведет к
тому, что выходной сигнал будет различным для каждого кристалла.] 130 420,830 420,830 Согласно второму
варианту данного изобретения, термоэлектронный генератор колебаний включает в себя термоэлектронную
вентильную лампу, множество кристаллов, каждый из которых связан с реактивным сопротивлением,
предназначенным для приведения анодной цепи вентиля к частоте, соответствующей собственной частоте
рассматриваемого кристалла, и переключающие средства для подключения любого из кристаллов j1 и
связанного с ним реактивного сопротивления в цепь и одновременного заземления всех остальных
кристаллов и связанных с ними реактивных сопротивлений.
В одной из конструкций в соответствии с пунктом i5 эта особенность изобретения связана с термоэлектронной
лампой, имеющей четыре кристалла с разными собственными частотами (разумеется, может быть
использовано любое другое количество кристаллов). Четыре кристалла соединены между собой с одной
стороны, а общий вывод напрямую подключен к сетке лампы, которая, в свою очередь, соединена через
затвор сетки с катодом и с землей. Оставшийся вывод каждого кристалла соединен с пружинным контактом,
который обычно контактирует с проводящей полосой, соединенной через конденсатор с землей.
Предусмотрен подвижный контактный рычаг, электрически соединенный с анодом клапана и расположенный
относительно пружинных пальцев таким образом, что его можно переместить в контакт с любым из них и
одновременно отвести его от указанного стержня и вывести из контакта с ним. Четыре пружинных пальца
также соединены каждый с одним концом одного из четырех дросселей или резонансных контуров, при этом
четыре оставшихся вывода дросселей или резонансных контуров соединены вместе и через резистор
(который может быть предусмотрен при необходимости для выполнения функции защитного резистора или
для снижения напряжения на аноде) с положительным выводом анодной батареи, отрицательный вывод
которой соединен с катодом.
Общая точка дросселей или резонансных контуров соединена через обходной конденсатор с землей. Четыре
дросселя или резонансных контура имеют такие размеры, что при включении соответствующего дросселя или
резонансного контура и кварцевого резонатора выходное напряжение для данной комбинации практически
одинаково, как и для любой другой комбинации, которую можно включить в работу.
Как видно, при описанных вариантах расположения контактный рычаг можно перемещать для выбора любого
кристалла и соответствующего дросселя или резонансного контура, а другие кристаллы и дроссели или
резонансные контуры отключаются от анода лампы и соединяются параллельно: один электрод каждого
нежелательного кристалла заземляется через сопротивление сетки, общие низкопотенциальные концы всех
дросселей или резонансных контуров заземляются через конденсатор, подключенный к их общему выводу, а
одна сторона каждого нежелательного кристалла заземляется через конденсатор, к которому подключена
проводящая шина. Таким образом, одновременно может работать только один кристалл, в то время как все
кристаллы и связанные с ними схемы, не используемые в данный момент, подключены к земле. Таким
образом, в значительной степени предотвращается взаимодействие между работающими и неработающими
кристаллами. На практике все дроссели или индуктивные обмотки резонансных контуров могут быть
намотаны на одном каркасе, и станет ясно, что устройство избегает упомянутой выше сложности, позволяет
легко выбирать различные частоты и в то же время не является ни громоздким, ни сложным.
Изобретение также предусматривает устройство, в котором предусмотрен переключатель для выбора любого
желаемого кристалла из множества кристаллов и автоматического эффективного закорачивания всех
остальных кристаллов друг на друга с помощью подходящих средств, таких как конденсатор.
Датировано 6-м днем месяца Тунь, 1933 года.
CARPMAELS & RANSFORD, агенты заявителей, Саутгемптон Билдингс, 24, Лондон, W.C.2.
ПОЛНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ.
Усовершенствования в области термоэлектронных генераторов или относящиеся к ним.
Мы, компания MARCONI'S WIRELESS TELEGRAPH COMPANY LIMITED, учрежденная в соответствии с
законодательством Великобритании, расположенная по адресу: Marconi Offices, Electra House, Victoria
Embankment, London, W.C.2, и TiO1MAs DIxN PARTIN, британский подданный, расположенная по адресу: The
Haven, Mill Lane, Broomfield, nr.
Челмсфорд, Эссекс, настоящим заявляет о характере данного изобретения и о способе его осуществления,
которые будут подробно описаны и установлены в следующем заявлении:
Данное изобретение относится к термоэлектронным генераторам колебаний, и более конкретно к ламповым
генераторам, пригодным для использования в беспроводной телеграфии, телефонии и других подобных
высокочастотных целях, в которых колебания генерируются средствами, включающими термоэлектронную
лампу и пьезоэлектрический кристалл, который передает энергию обратно с выхода на входные электроды
лампы.
Распространенная форма пьезоэлектрического термоэлектронного генератора колебаний состоит, как
показано на прилагаемом рисунке 1, из триода 1, анод 2 которого соединен с катодом 4 через резонансный
контур LC (то есть параллельный резонансный контур, резонирующий на частоте несколько ниже, чем частота
кристалла), последовательно с анодной батареей B (которая может быть зашунтирована обходным
конденсатором K), при этом анод 2 соединен с сеткой 3 через пьезоэлектрический кристалл X и 15, а сетка
соединена с катодом 4 через резистор утечки R. На рисунке 1 A, A3 — измерительные приборы постоянного
тока, а A — высокочастотный измерительный прибор тока, а выходное высокочастотное колебание, снятое с
резонансного контура LC, показано на примере хорошо известной формы термоэлектронного «пикового
вольтметра», включающего лампу 5, соединенную в виде диода с высоким сопротивлением R2
последовательно с измерительным прибором постоянного тока A, подключенным между анодом и катодом,
причем CF — входной разделительный конденсатор к диоду вольтметра 5.
Амплитуда высокочастотных колебаний, получаемых от лампы 1, будет зависеть от ряда различных
факторов, включая разницу между собственной частотой пьезоэлектрического кристалла X и собственной
частотой настроенного контура LC. Предполагая, что эти частоты различны, чем больше разница между ними,
тем ниже будет амплитуда высокочастотных колебаний.
В действительности, если частоту LC-цепи изменять, полученные результаты будут типичными для кривых,
обозначенных буквой А на прилагаемых рисунках 3, 4, 5 и 6, на всех из которых по оси абсцисс указаны
значения собственной частоты LC-цепи в килогерцах.
Эти кривые были получены с использованием кристалла с частотой около 953 кОм. На кривой А рисунка 3 по
ординатам отложены значения А в миллиамперах; на кривой А рисунка 4 по ординатам отложены значения А
в микроамперах; на кривой А рисунка 5 по ординатам отложены произведения значений А в миллиамперах на
значение сопротивления I1 (эти произведения дают пиковые напряжения на выводах диода); и на кривой А
рисунка 6 по ординатам отложены значения А. в миллиамперах.
В пьезоэлектрических термоэлектронных генераторах колебаний рассматриваемого типа обычно
используется схема, в которой две резонансные частоты (частота кристалла и частота настроенного контура
LC) расположены на некотором расстоянии друг от друга для обеспечения стабильности (например, с
кристаллом 935 нм частота настроенного контура обычно выбирается где-то между 450 кГц и 600 кГц или
около того). Однако это создает практические трудности в генераторах колебаний, предназначенных для
получения одной из множества различных частот, каждая из которых стабилизируется с помощью разных
кристаллов. Из вышеизложенного следует, что в упомянутом выше случае, когда может потребоваться
подключение в цепь любого из множества пьезоэлектрических кристаллов 7, высокочастотный выходной
сигнал будет зависеть от фактически выбранного кристалла, и что тот кристалл, частота которого наиболее
близка к собственной частоте настроенного контура 8, обеспечит максимальное высокочастотное выходное
напряжение.
Целью настоящего изобретения является разработка решений, позволяющих избежать подобных трудностей.
8! Согласно данному изобретению, термоэлектронный генератор колебаний, в котором используется
термоэлектронная лампа, имеющая резонансный контур, включенный в ее анодно-катодную цепь,
пьезоэлектрический кристалл, включенный в ее анодно-катодную цепь, и резистор, включенный в ее
катодно-управляющую цепь, и при этом собственные частоты резонансного контура и пьезоэлектрического
кристалла существенно различаются, характеризуется наличием конденсатора, соединенного с
катодно-управляющей цепью, переключаемым способом для уменьшения эффективной емкости
катодно-управляющей цепи лампы.
Один из способов реализации данного изобретения показан на прилагаемой к рисунку 2, который, как видно,
идентичен схеме на рисунке 1, за исключением резистора 10, соединяющего конденсатор C последовательно
с измерительным прибором A. При необходимости можно подключить выключатель последовательно с
элементами C и A, а также, при желании, можно установить резистор 110 последовательно с LC для защиты
или снижения напряжения, подаваемого на анод. Как показано на рисунке 1, второй клапан 5, конечно же, не
является частью системы генерации колебаний, а представляет собой лишь часть измерительного
устройства. (Установка высокочастотного напряжения) на настроенной LC-схеме.
Результаты, полученные из рисунка 2, показаны кривыми B13 на рисунках 3, 4, 5, 11, 20 и 6, которые
соответствуют кривым A на этих рисунках, и сразу станет очевидно, что в полезном диапазоне частот
настройки анодного контура LC около 450 мкКл до (00 мкКл) на рисунках 3-6 выходные напряжения меньше.
Таким образом, при использовании генератора с шунтированием сетки схема с общим анодом может
применяться с любым из ряда различных кристаллов, 1 и с каждым кристаллом может быть получен
достаточно высокий выходной сигнал K30 420,830 420,830. Следует отметить, что точка обрушения выходного
напряжения наступает раньше при схеме sn, показанной на рисунке 2, чем при схеме, показанной на рисунке 1
(сравните кривую B с кривой A на рисунке 5), и, кроме того, при обращении к рисунку 6 видно, что ток через
конденсатор C на рисунке 2 больше, чем через конденсатор C на рисунке 1 при заданных условиях. (На
рисунке 6 кривая C — это кривая тока, протекающего через конденсатор C на рисунке 2).
В целом установлено, что чем меньше значение C'3, тем ближе точка краха выходного напряжения будет к
частоте кварцевого резонатора. Из рисунка 5 видно, что «вершина» кривой А находится выше вершины
кривой В, но на практике это не имеет значения, поскольку «вершины» возникают за пределами полезных
диапазонов частот настройки гетеродина.
Чтобы привести пример практических результатов в цифрах, рассмотрим схему, показанную на рисунке 2, в
которой используются лампы с внутренним импедансом 3500 Ом, коэффициентом усиления S и взаимной
проводимостью 2,28 миллиампер на вольт (при нулевом напряжении сетки и 100 вольтах на аноде). При
использовании двух разных кварцевых резонаторов с частотами 654 и 953 килогерц соответственно, частота
резонансного контура составляла 540 килогерц в каждом случае: При использовании кварцевого резонатора с
более низкой частотой постоянный ток на аноде первой лампы составлял 5,4 миллиампера, высокочастотный
ток в резонансном контуре — 16 миллиампер, ток сетки первой лампы — 0,16 миллиампера, а пиковое
выходное напряжение (ток в анодном контуре второго триода, умноженный на сопротивление, вставленное в
этот анодный контур) составляло 28 В. вольт, причем все эти результаты получены при включении
выключателя последовательно с разомкнутым конденсатором C3, т.е. при работе цепи в режиме, показанном
на рисунке 1.
Однако, когда переключатель был замкнут, так что цепь работала как показано на рисунке 2, постоянный ток
на аноде первой лампы упал до 4,2 миллиампер, высокочастотный ток в резонансном контуре увеличился до
19 миллиампер, ток сетки упал до 0,04 миллиампер, а пиковое выходное напряжение возросло до 40 вольт,
при этом ток через конденсатор, включенный последовательно с переключателем в цепи сетки первой лампы,
составил 8,5 миллиампер.
В целом, аналогичные результаты были получены с высокочастотным кварцевым резонатором (953
килогерца): при разомкнутом переключателе ток на аноде составлял 5,9 миллиампер, а при замкнутом —
всего 3,8; высокочастотный ток составлял 16 миллиампер при разомкнутом переключателе, но 35
миллиампер при замкнутом; ток сетки первой лампы составлял 0,24 миллиампера при разомкнутом
переключателе, но 0,1 миллиампера при замкнутом; пиковое выходное напряжение составляло 14,5 вольт при
разомкнутом переключателе и 55 вольт при замкнутом переключателе, при этом ток через конденсатор в цепи
сетки первой лампы составлял 30 миллиампер при замкнутом переключателе. Таким образом, будет видно,
что добавление конденсатора в цепь сетки первой 75-ваттной лампы снижает анодный и сеточный токи, но
увеличивает высокочастотный ток в резонансном контуре и, следовательно, высокочастотное напряжение,
возникающее на нем. 80 Далее будет видно, что наибольшее преимущество было получено с использованием
кристалла с более высокой частотой, и что при обычном использовании этого кристалла выходной сигнал был
значительно ниже, чем тот, который был получен с использованием кристалла с более низкой частотой.
По-видимому, теоретическое объяснение преимущества изобретения заключается в том, что конденсатор в
цепи сети снижает её импеданс, так что на сеть поступает меньше высокочастотного сигнала, и,
следовательно, выпрямленный ток сети имеет меньшее значение. Конечно, анодный ток падает, но благодаря
включению конденсатора в цепь сетки, позволяющему проходить большему высокочастотному току от
кристалла по всей цепи, высокочастотный ток в резонансном контуре увеличивается, и, соответственно,
напряжение, возникающее на нем, также возрастает. Как видно, при заданном высокочастотном напряжении
ток через конденсатор в цепи сетки первого клапана изменяется прямо пропорционально приложенной к нему
частоте, и, следовательно, обратная связь максимальна в случае самого высокочастотного кристалла в
многокристаллической системе, использующей общий клапан и анодную цепь. На прилагаемом рисунке 7
показана схема многокристаллического генератора в соответствии с данным изобретением, в которой может
быть задействован любой из множества кристаллов.
На рисунке 7 кристаллы обозначены X, X-X3 и X, и все они соединены вместе с одной стороны с анодом 2.
Каждый кристалл соединен с другой стороны с одним из четырех пружинных контактов P, P2, P или P, которые
обычно прижимаются к закороченному металлическому кольцу S (на рисунке оно показано в разрезе для
наглядности, хотя на самом деле это цельное кольцо), которое соединено через конденсатор eCn с анодом 2.
AlR — это поворотный соединительный рычаг, который соединен с сеткой 3 и 125 и может перемещаться для
контакта с любым из пружинных контактов P, к P, (или P,), при этом конструкция такова, что рычаг, находясь в
контакте с любым пружинным контактом, поднимает этот контакт с кольца S. 130 BAD ORIGINAL 420,830
(pjnileCi.i 7r достаточно большой, чтобы действовать как воздушная трубка, пропускающая токи на частоте
любого из них.
1
n,1 "y stals. Willh tlhe arlm l All in tbl, Al, oilioll l(shawn crystal X, a is in use an-I ithe other crstals are hlorted bv ol ie
nlother allnd b)v the condenser C"D Sl'irm' contact 1P is unconnected and just-serving to give an " off" p1)SitiOIIo to
the;rn11 Alt. II, является необязательным сопротивлением анода 0, а конденсатор C >пустой, обозначен
пунктирной линией 1) указывает, что в тех случаях, когда собственная емкость L достаточно высока и нет
необходимости изменять сопротивление LC, от него можно отказаться, как, конечно, и в аналогичных
обстоятельствах в генераторе, как показано на рисунке 2.
Как видно из показанной на рисунке 7 конструкции, контактный рычаг можно перемещать для выбора любого
кристалла, а другие кристаллы будут выведены из строя таким образом, что взаимодействие между
работающими и неработающими кристаллами будет в значительной степени предотвращено.
После того, как мы подробно описали и определили природу нашего изобретения и способ его
осуществления, мы заявляем, что то, что мы
=== НАЧАЛО ФАЙЛА: patent_420831.txt ===
ССЫЛКА: https://translationportal.epo.org/emtp/translate/?ACTION=description-retrieval&COUNTRY=GB&ENGINE=
google&FORMAT=docdb&KIND=A&LOCALE=sq_AL&NUMBER=420831&SRCLANG=EN&OPS=ops.epo.org/3.2&T
RGLANG=ru
========================================
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ GB420831A
[]
ПАТЕНТНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ
Даты проведения Конвенции (Бельгия): 9 июня 1932 г.
2 мая 1933 года:
420,831 Соответствующие заявки в Соединенном Королевстве № 16499/33 от 8 июня 1933 г. № 16500/33
(осталась одна полная спецификация)
Принято: декабрь. 10, 1934.
ПОЛНАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ.
Усовершенствования методов и устройств для контроля процессов испарения или кристаллизации, а также
относящиеся к ним.
Я, Дарио Театини, проживающий в городе Гуэрде, Королевство Бельгия, гражданин Италии, настоящим
заявляю о характере данного изобретения и о способе его осуществления, которые будут подробно описаны и
установлены в следующем заявлении:
Данное изобретение относится к способу и устройству для контроля процессов испарения и кристаллизации, и
в частности концентрирования и кристаллизации, осуществляемых в промышленных масштабах, и касается
способа контроля, основанного на том факте, что при определенных условиях температуры и давления любое
явление кристаллизации зависит от значения коэффициента пересыщения маточного раствора, т.е. избытка
растворенного твердого вещества по сравнению с тем, которое раствор будет содержать в растворе,
находясь в равновесии с твердым веществом.
Этот метод и используемое с его помощью оборудование позволяют с достаточной точностью для всех
практических целей определять коэффициент пересыщения маточного раствора, подвергающегося
концентрированию, и регистрировать его таким образом, чтобы в любой момент времени можно было
установить, происходит ли процесс концентрирования или кристаллизации в заранее определенных
оптимальных условиях.
На листе, разлинованном квадратами, например, миллиметровыми квадратами, и перемещаемом
соответствующим образом вращающимся барабаном, температура может непрерывно регистрироваться по
оси ординат, а время — по оси абсцисс. На указанном листе одновременно могут быть составлены две
записи.
Первый источник данных — это регистрирующий термометр, колба которого погружена, например, в угольную
массу, подвергающуюся концентрированию, и этот термометр регистрирует фактическую температуру
кипения T угольной массы в любой заданный момент времени. Второй регистратор — это регистрирующий
термометр, колба которого погружена в чистую воду, содержащуюся в сосуде, погруженном в варочный
комбайн и подвергнутом вакууму, аналогичному тому, который существует в любой момент времени в
кипятильном аппарате, и этот второй термометр регистрирует соответствующие температуры кипения t
чистой воды в этих условиях.
По разности будет получена запись в каждый момент времени повышения (Т-т) температуры кипения
маточного раствора, поскольку уже образовавшиеся кристаллы больше не входят в состав двухфазной
системы раствора и с данной точки зрения могут быть пренебрежены.
Чтобы обойтись без таблиц кипения, связывающих повышение температуры кипения с концентрацией
жидкости, которые до сих пор были необходимы для отображения концентрации той или иной жидкости,
подвергающейся испарению (например,
При любой заданной температуре и давлении перо второго термометра (дающего показания t) выполнено со
встроенной шкалой, нанесенной на прозрачную пластину по той же шкале, что и температура на схеме, и
расположено таким образом, что нулевая температура этой шкалы на прозрачной пластине совпадает с
точкой регистрирующего стилуса, который отслеживает температуру t.
На шкале также выгравированы графики, связывающие повышение температуры кипения Te растворов
сахара различной чистоты и концентрации с соответствующими коэффициентами пересыщения Fe, и,
поскольку она постоянно расположена между линией температур кипения t чистой воды и линией температур
кипения T маточного раствора, это позволит считывать повышение температуры кипения T-t маточного
раствора в каждый момент времени, противоположный линии T.
Графики на шкале (см. рисунок 1) получены путем суперпозиции, после соответствующего сокращения,
графиков, связывающих повышение температуры кипения Te маточного раствора с различными
концентрациями и процентной чистотой Pu (рисунок 2), и графиков, показывающих изменение коэффициента
пересыщения для различной чистоты, концентрации и температуры (рисунок 3).
Однако из приведенных ниже графиков будет видно, что коэффициент пересыщения изменяется при одной и
той же концентрации и при одной и той же чистоте в зависимости от температуры. Чтобы не усложнять
разметку на подвижной шкале, предпочтительнее накладывать на одну шкалу только линии, относящиеся к
одной и той же температуре, и использовать отдельную подвижную шкалу для каждой принятой температуры
кипения.
На прилагаемом рисунке: Рисунок 1 графически показывает зависимость между повышением температуры
(T-t), обозначенным на графиках Te, коэффициентом пересыщения, обозначенным Fe, и содержанием сухого
вещества Ms для сахара различной чистоты Pu (построенным для температуры кипения 850), и получена
путем наложения рисунка 2 и части рисунка 3, причем первый показывает изменение содержания сухого
вещества с повышением температуры для сахара различной чистоты, а второй — изменение коэффициента
пересыщения с повышением температуры для сахара различной чистоты.
На рисунке 4 показана типичная запись температур T и t.
Для определения концентрации маточного раствора, чистота которого известна в зависимости от стадии
кипения, достаточно найти точку пересечения К горизонтальной линии шкалы Те, проходящей через значение
повышения температуры (рис. 1), которая совпадает с линией Т, и вертикальной линии, проходящей через
значение чистоты, соответствующее данному маточнику. Точка пересечения K будет находиться либо между
двумя линиями, либо непосредственно на линии диаграммы, в конце которой непосредственно отмечена
концентрация маточного раствора, выраженная в процентах от сухого вещества.
Если, начиная с правого конца линии, соответствующей найденной концентрации, мы снова поднимемся
вверх влево вдоль наклонной линии, показывающей изменение коэффициента пересыщения для этой
концентрации, то на соответствующей шкале напротив точки пересечения вертикальной линии,
показывающей чистоту, и рассматриваемой наклонной линии можно будет прочитать значение коэффициента
пересыщения маточного раствора.
Так, например (рис. 1), если мы находимся на заключительной стадии прессования первого урожая сахара
(последняя стадия диаграммы на рис. 4), на которой маточный раствор имеет чистоту приблизительно 78, и
если мы считываем по шкале Te повышение температуры кипения на 18 °C, то точка пересечения K линии,
проходящей через 180, и линии, проходящей через 78, чистоты по подвижной шкале Te, находится между
линией, соответствующей 86, и линией, соответствующей 87% сухого вещества (% сухого вещества), то есть
на линии (фактически не отмеченной), соответствующей 86,6% сухого вещества. 75 Поскольку окончательное
прессование должно проводиться при содержании сухого вещества 86,3%, сразу станет ясно, что
прессование было превышено, но поскольку расхождение очень мало (0,83% сухого вещества), нет
необходимости вносить какие-либо корректировки.
Если необходимо определить значение коэффициента пересыщения в этой точке кипения, достаточно
проследить наклонную линию, начинающуюся от правого конца линии, соответствующей 86,6% сухого
вещества, и найти точку ее пересечения с вертикальной линией, соответствующей чистоте 78. Затем
значение 1,0 (рисунок 1) будет считано с отметки 90 по шкале.
Эти измерения, которые можно проводить на любой стадии кипения, могут быть получены независимо от
колебаний вакуума в кипящем аппарате и изменений температур кипения T и t. Кроме того, в любой момент
можно определить условия, при которых проводилась предыдущая операция, поместив между двумя линиями
T и t диаграммы отдельную шкалу, идентичную шкале Te, и при желании даже можно начертить на том же
листе диаграммы изменения концентрации и коэффициента пересыщения маточного раствора на всех
стадиях завершенного кипения, а их формы, изученные в сочетании с полученными практическими
результатами, могут, возможно, подсказать изменения в последующих кипениях.
Следует, однако, отметить, что погружение колбы термометра в сосуд с водой, погруженной, в свою очередь,
в массекуит, для того чтобы нагреть ее до той же температуры, что и указанный массекуит, хотя и
осуществимо, является довольно сложным делом, поскольку по мере испарения воды из указанного сосуда
необходимо постоянно подавать чистую воду, а такая подача значительно усложняет задачу.
Устройство, описанное ниже и проиллюстрированное на рисунках 5 и 6, устраняет этот недостаток (125).
На рисунке 5 представлен разрез регистрирующего термометра для температуры кипения чистой воды,
причем указанный термометр имеет форму шкалы 130°C до определенного уровня, обозначенного буквой 0,
который представляет собой нулевую точку шкалы 1a. По мере того, как влияние возрастающего вакуума в
кипящем аппарате ощущается в трубке 2, проходящей через трубку 5, 70 мг ртути поднимается в трубках 1 и 2
и опускается на эквивалентную величину в трубке 3.
Внутренние секции трех трубок и внешняя секция трубки 75, соединенной с вакуумным котлом, рассчитаны
таким образом, что когда поверхность ртути в трубках 1 и 2 перемещается в соответствии со значениями
вакуума, поверхность ртути 80 в трубке 3, а следовательно, поплавок 10 и ручка 12, перемещаются в
соответствии со значениями соответствующих температур кипения чистой воды. Другими словами, сечения
этих трубок рассчитаны и расположены таким образом, что при линейном изменении вакуума ручка 12
регистрирует не эти значения вакуума, а соответствующие температуры кипения чистой воды, то есть она
регистрирует значения, заданные кривой изменения температуры кипения воды при различных степенях
вакуума (рисунок 7).
Таким образом, форма трубки 2 такова, что равные объемы ртути, отбираемые из трубки 3 или добавляемые
в нее (соответствующие равным изменениям температуры), вызовут в трубке 2 изменения уровня ртути,
пропорциональные различным степеням вакуума, при которых вода кипит при этих температурах. 100 В
частности, сечение трубки 2, особенно ее часть 2а, будет изменяться в соответствии с определенным
законом, обсуждение которого заняло бы слишком много времени в настоящем описании, но кривая,
показывающая эти изменения, имеет форму, аналогичную той, которая в случае чистой воды связывает
Соседние файлы в папке патенты