Добавил:
ivanov666
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Физические процессы в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников. Учебное пособие
.pdf
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Айвазов А.А., Будагян Б.Г., Вихров С.П., Попов А.И. Неупорядочен-
ные полупроводники. М.: Издательство МЭИ, 1995. 352 с.
2. Аморфные полупроводники и приборы на их основе / Пер. с англ.; Под
ред. Й. Хамакавы М.: Металлургия, 1986. 376 с.
3. Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников:
Пер. с англ. М.: Мир, 1991. 670 с.
4. Попов А.И., Васильева Н.Д. Критерии упорядоченности атомной
структуры некристаллических полупроводников // Физика твердого тела. 1990.
Т. 32. Вып. 9. С. 2616 – 2622.
5. Люковски Дж., Хэйс Т.М. Ближний порядок в аморфных полупровод-
никах // В кн.: Аморфные полупроводники / Под ред. М. Бродски. М.: Мир,
1982. 419 с.
6. Голикова О.А., Кудоярова В.Х. Дефекты, ближний и средний порядок в
структурной сетке аморфного гидрированного кремния // Физика и техника
полупроводников. 1998. Т. 32. Вып. 7. С. 876 – 878.
7. Вихров С.П., Бодягин Н.В. Новый подход к построению технологиче-
ских систем на примере роста слоев a-Si:H: Учеб. Пособие. Рязань, 1994. 108 с.
8. П. Ле-Комбер, У. Спир Легированные аморфные полупроводники // В
кн.: Аморфные полупроводники / Под ред. М. Бродски. М.: Мир, 1982. 419 с.
9. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. кн.1: Пер.
с англ. 2-е доп. и перераб. изд. М.: Мир, 1984. 456 с.
10. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями /
Под ред. В.И. Фистуль. М.: Металлургия, 1987. 176 с.
11. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высшая
школа, 1977. 448 с.
12. Губанов А.И. Флуктуационные локальные уровни в аморфных полу-
проводниках // ФТТ, 1962. Т. 4. № 10. C. 2873-2876.
13. Губанов А.И. Квантово-электронная теория аморфных полупроводни-
ков. М-Л:. Из-во АН СССР. 1963. 250 с.
14. Мотт Н., Туз У. Теория проводимости по примесям // УФН. 1963. Т. 79.
№ 4. С. 691-740.
15. Мотт Н. Электроны в неупорядоченных структурах. М: Мир, 1969.
172 c.
16. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических полу-
проводниках. В 2-х кн. М: Мир, 1974.
17. Anderson P.W. // Phys.Rev. 1958, v. 109, № 5, P. 1492 – 1505.
18. Нагельс П. Электронные явления переноса в аморфных полупроводни-
ках // В кн.: Аморфные полупроводники / Под ред. М. Бродски. М.: Мир, 1982.
419 с.
71
19. Н. Мотт, Э. Дэвис Электронные процессы в некристаллических веще-
ствах / Пер. с англ. под ред. Б. Т.Коломийца. М.: Мир, 1982. Ч. 1, 2. 662 с.
20. Спир. В. Перенос с участием состояний хвостов зон в аморфном крем-
нии // В кн.: Аморфный кремний и родственные материалы / Под ред. Х.
Фрицше. М.: Мир, 1991. 542 с.
21. Р. Стрит, Д. Бигельсен Спектроскопия локализованных состояний //
Физика гидрогенизированного кремния: Вып. II Электронные и колебательные
свойства / Под ред. Дж.Джоунопулоса, Дж.Люковски. М.: Мир, 1988. 448 с.
22. Андреев В.П. Репрограммируемые постоянные запоминающие устрой-
ства на основе стеклообразных полупроводников. М.: Радио и связь, 1986.
136 с.
23. Н. Мотт. Проводимость, локализация и край подвижности // В кн.: Фи-
зика гидрогенизированного аморфного кремния: Вып. II. Электронные и колебательные свойства / Под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски. М.: Мир,
1988. 448 с.
24. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Гусев Д.Н. Барьеры Шоттки на кристал-
лических и аморфных полупроводниках: Учеб. пособие. Рязань, 1995. 95 с.
25. Y.T. Tsai, K.D. Hong, Y.L. Yuan // Trans. on Comp.-Aided Design of IC &
Syst.. 1994. V. 13, № 6, P. 725 – 728.
26. Г. Кюртенс, М. Фавр. Поверхностные и объемные состояния, опреде-
ляемые методом спектроскопии фототермических отклонений // В кн.: Аморфный кремний и родственные материалы / Под ред. Х. Фрицше. М.: Мир, 1991.
542 с.
27. D.L. Staebler, C. Wronski. Appl. Phys. Lett., 31, 292 (1977).
28. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. М.:
Мир, 1989. 630 с.
29. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник / Пер. с англ.; Под ред.
Г.В. Степанова. М.: Радио и связь, 1982. 208 с.
30. Бузанева Е.В. Микроструктуры интегральной электроники. М.: Радио и
связь, 1990. 304 с.
31. Валиев К.А., Пашинцев Ю.И., Петров Г.В. Применение контакта ме-
талл-полупроводник в электронике. М.: Сов. радио, 1981. 304 с.
32. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями/
Под ред. В.И. Фистуль. М.: Металлургия, 1987. 176с.
33. Стриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл-
полупроводник. Киев: Наукова думка, 1974. 263 с.
34. Кюртенс Г., Фавр М. Поверхностные и объемные состояния, опреде-
ленные методом спектроскопии фототермических отклонений // Аморфный
кремний и родственные материалы/ Под. ред. Х. Фрицше. М.: Мир, 1991. С.
223-256.
72
35. В.И. Архипов, В.М. Логин, А.И. Руденко и др. Формирование актива-
ционного барьера на контакте металл-аморфный полупроводник ФТП. 1988.
Т.22. Вып. 2. С. 276-281.
36. Вишняков Н.В., Вихров С.П. Модель формирования барьера Ме/a-Si:H
с учетом высокой плотности состояний в щели подвижности // Аморфные гидрогенизированные полупроводники и их применение: Ст. тезисов докл. Всесоюзного семинара. Л., 1991. С.41.
37. Вишняков Н.В. Контактные явления в структурах металл-аморфный
гидрогенизированный кремний: Автореф. дис. канд. техн. наук. Рязань. 1993.
16 с.
38. К. Чопра, С. Дас Тонкопленочные солнечные элементы. М.: Мир, 1986.
440 с.
39. Вишняков Н.В., Мишустин В.Г., Уточкин И.Г. Расчет профиля потен-
циального барьера на границе металл - неупорядоченный полупроводник //
Вестник РГРТА. Рязань, РГРТА, 2002. Вып. 10. С. 74 – 78.
40. Мишустин В.Г. Дебаевская длина экранирования в аморфном гидроге-
низированном кремнии // Тезисы докладов 1-й Российской конференции молодых ученых по физическому материаловедению. Калуга. Изд. дом "Манускрипт", 2001. С. 126-127.
41. Ильченко В.В., Стриха В.И. ВАХ контакта металл – аморфный крем-
ний для экспоненциального распределения плотности локализованных состояний // Физика и техника полупроводников. 1984. Т.18. Вып.5. С. 873-876.
42. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Мишустин В.Г., Попов А.А., Бердников
А.Е. Характер распределения электрического поля на контакте металл –
неупорядоченный полупроводник // Сборник трудов III Международной конференции "Аморфные и микрокристаллически полупроводники". СанктПетербург, СПбГПУ, 2002. C. 29.
43. S.P. Vikhrov, N.V. Vishnyakov, V.G. Mishustin, A.A. Popov Speciality of
Poisson equation solution and calculation of barrier profile on the interface to noncrystalline semiconductor // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials,
2003. Vol. 5, No. 5, p. 1249 – 1254.
44. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Мишустин В.Г., Попов А.А., Черномор-
дик В.Д. Измерение распределения электрического поля в запирающем слое на
контакте Me/a-Si:H // Сборник трудов III Международной конференции
"Аморфные и микрокристаллически полупроводники". Санкт-Петербург,
СПбГПУ, 2002. C. 30.
45. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Маслов А.А., Мишустин В.Г. Исследова-
ние барьерных структур на неупорядоченных полупроводниках модифицированным времяпролетным методом // Тезисы докладов IV Международной конференции по физико–техническим проблемам электротехнических материалов
и компонентов. Москва, Институт электротехники МЭИ (ТУ), 2001. С. 95– 96.
73
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ ………………………………………………………………………..3
Глава 1. ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОННОГО СПЕКТРА В НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ …………………………………………………….5
1.1 Неупорядоченные полупроводниковые материалы……………...……...……5
1.2 Плотность энергетических состояний в твердых телах……………...…...…..8
1.3 Локализованные состояния …………...………………………………….........9
1.3.1 Распределение локализованных состояний …………………………….…14
1.3.2 Плотность локализованных состояний ……………………………...…….17
1.3.3 Модели описания распределения плотности локализованных состояний в
щели подвижности ……………………………………………………………..…18
1.3.4 Заряженные дефектные состояния в неупорядоченных полупроводниках…………………………………………………………..……………21
1.4 Поверхностные состояния в неупорядоченных полупроводниках …......…24
1.5 Метастабильные состояния в неупорядоченных полупроводниках ………26
Глава 2. ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНЫХ
БАРЬЕРОВ В НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ ………..……29
2.1 Типы потенциальных барьеров в кристаллических и неупорядоченных по-
лупроводниках …….....……………………………………………………………29
2.2 Потенциальные барьеры в кристаллических полупроводниках .……..……30
2.2.1 Модель формирования потенциального барьера на контакте металл – кри-
сталлический полупроник ……...………………………...………….…………...30
2.2.2 Механизмы переноса заряда через барьер …………..………………….....38
2.2.3 Диодная и диффузионная теории выпрямления на контакте Шоттки в
кристаллических полупроводниках …………….…………………….………….39
2.2.4 Теория термоэлектронной эмиссии-диффузии …...………………...…….42
2.2.5 Теория полевой и термополевой эмиссии …...……………………...…….44
2.2.6 Постоянная Ричардсона …………………………………………………….46
2.2.7 Влияние глубоких центров на параметры ОПЗ ……………………..…….47
2.2.8 Барьер Мотта …….………...………………………………………………..49
2.2.9 Классическая модель формирования ОПЗ в p-n- переходах на кристалли-
ческих полупроводниках ………….……………………………………………...50
2.3 Потенциальные барьеры в неупорядоченных полупроводниках .………...53
2.3.1 Модель формирования потенциального барьера на контакте металл неупорядоченный полупроводник ………….……………………………………53
2.3.2 Решение уравнения Пуассона для неупорядоченного
полупроводника …………………………………………………………………..59
2.4 Барьерные эффекты ………..…………………………...……………………65
74
2.4.1 Фундаментальные ограничения физических размеров барьерных
структур ……………………………………………………………………………65
2.4.2 Эффект Шоттки ……………………………………………………………..67
Заключение ………………………………………………………………………...70
Библиографический список ………………………………………………………71
75
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]