Иностранный язык в сфере профессиональной коммуникации (русский язык). Практикум

Практикум

капы, тиристоры, оптоэлектронные приборы (светоизлучающие диоды, фотодиоды, фототранзисторы, оптроны, светодиодные и фотодиодные матрицы).

Однако первые исследования электрических свойств полупроводников были начаты в 19 веке. В 1833 г. Фарадей установил, что электропроводность сульфида серебра увеличивается с ростом температуры (тогда как в металлах наблюдается обратное). В 1873 г. Смит заметил, что при освещении селен изменяет свою электропроводность, а через год Браун обнаружил выпрямляющие свойства области контакта металла с сульфидом свинца. При этом был создан первый переход между металлом и полупроводником. Он использовался в течение некоторого времени в качестве детектора радиочастотных сигналов, но нестабильного, а его использование прекратилось после разработки де Форестом вакуумного триода.

Успех был достигнут 23 декабря 1947 г. сотрудниками лаборатории «Белл Телефон» – Бардиным и Браттейном, под руководством Шокли. Бардин и Браттейн в результате многочисленных вариантов получили работающий полупроводниковый прибор. Информация об этом изобретении появилась в журнале «The Physical Review» в июле 1948 года.

Устройство изобретенное Бардиным и Браттейном было названо точечным транзистором типа А. Усиление сигнала осуществлялось за счет большого различия в величинах сопротивления, низкоомного входного и высокоомного выходного. Поэтому создатели нового прибора назвали его сокращенно – транзистором (в пер. с английского – «преобразователь сопротивления»).

Притекстовые задания

1.Прочитайте текст. Определите тезис (главную мысль).

2.Найдите в тексте термины. Дайте их определения.

3.Разбейте текст на части и озаглавьте их.

Послетекстовые задания

1. Ответьте на вопросы:

1. Какие виды полупроводниковых приборов вы узнали из этой статьи?

41

Иностранный язык в сфере профессиональной коммуникации (Русский язык)

2.Когда были начаты первые исследования свойств полупроводников?

2.Составьте назывной план текста 1.

3.Перескажите текст, используя план задания 3.

Литература и Интернет-ресурсы

См. на стр. 89.

9. РАЗВИТИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

Цель: освоение темы направлено на формирование следующих компетенций:

–способность к коммуникации в устной и письменной формах на русском и иностранном языках для решения задач межличностного и межкультурного взаимодействия (ОК-5);

–способность работать в команде, толерантно воспринимая социальные и культурные различия (ОК-6);

–способность к самоорганизации и самообразованию (ОК-7).

В результате освоения темы студент должен знать способы выражения различных смысловых отношений в простом предложении, в сложном предложении, в сверхфразовом единстве, в тексте, а также правила построения текстов; уметь использовать различные виды чтения (изучающее, ознакомительное и просмотровое) текстов научно-професси- ональной сферы; извлекать из текста основную информацию по теме; обобщать информативный материал с опорой на прочитанный текст; комбинировать информативный материал текстов; репродуцировать информативное содержание текста в письменной и устной (моно- лог-воспроизведение, монолог-сообщение с опорой на текстовый материал) форме; производить свертывание информации текста, тезирова-

ние; владеть технологией построения текста; основными логическими методами расположения информации в устном и письменном текстах, основными приемами поиска и аналитической обработки информации.

Актуальность темы: современному профессионалу необходимо знание теоретических основ своей специальности; умений и навыков

речевой «беглости»; возможности подбирать синонимы, а также адекватно передавать основную мысль текста по специальности; умения

42

Практикум

выделять главное, соблюдать логичность в речи при передачи основной

информации прочитанного текста.

Теоретическая часть

Студентам следует усвоить правила составления словосочетаний терминологического характера; проанализировать грамматические модели, используемые в предлагаемом тексте.

При подготовке к данному занятию студент должен обратиться к следующей литературе:

1.Аросева Т. Е. Научный стиль речи: технический профиль: пособие по русскому языку для иностранных студентов / Т. Е. Аросева,

Л.Г. Рогова, Н. Ф. Сафьянова. М.: Русский язык. Курсы, 2013. 312 с.

2.Максимова А. Л. Корректировочный курс русской грамматики (30 уроков). СПб.: Златоуст, 2013. 176 с.

3. pushkininstitute.ru – Портал института русского языка им. А. С. Пушкина «Образование на русском».

Вопросы, выносимые на обсуждение

1.Ультракороткие волны.

2.Основы радиотелевидения.

3.Иконоскоп. Супериконоскоп. Видикон.

Предтекстовые задания

1. В тексте, который вы будете читать, вы встретите новые слова. Познакомьтесь с ними. Прочитайте объяснения этих слов.

А) Постарайтесь понять новые слова и выражения: Обратный = противоположный, инверсный, регрессный Нестабильный – антоним «стабильный» Ёмкость = вместимость

Б) Обратите внимание на родственные слова: Шунт – шунтировать – шунтирующий Работать – разработать – разработка Плоскость – плоскостной Контакт – контактный

43

Иностранный язык в сфере профессиональной коммуникации (Русский язык)

2.Поймите значения слов без словаря: оптрон, матрица, детектор, эмиттер, коллектор.

3.Определите, от каких слов образованы сложные слова: электропроводность, радиочастотный, низкоомный, высокоомный.

4.Подберите антонимы к словам. Составьте с ними словосочетания: положительный, близко, тонкий, низкий,

5.Прочитайте текст:

Текст 1

Устройство изобретенное Бардиным и Браттейном было названо точечным транзистором типа А. Усиление сигнала осуществлялось за счет большого различия в величинах сопротивления, низкоомного входного и высокоомного выходного. Поэтому создатели нового прибора назвали его сокращенно – транзистором (в пер. с английского – «преобразователь сопротивления»).

Одновременно, в период апрель 1947 – январь 1948 г., Шокли опубликовал теорию плоскостных биполярных транзисторов, рассмотрев полупроводниковые выпрямительные устройства из кристаллов полупроводника, имеющего переход между областями p- и n- типа.

Такое устройство, называемое плоскостным полупроводниковым выпрямителем, обладает малым сопротивлением, когда р-область положительна по отношению к n-области. Характеристики плоскостного выпрямителя можно точно определить теоретически. По сравнению с точечным, плоскостной выпрямитель допускает большую нагрузку т.к. площадь контакта можно сделать достаточно большой. С другой стороны с увеличением площади растет шунтирующая контактная емкость. Далее Шокли рассмотрел теорию плоскостного транзистора из кристалла полупроводника, содержащего два p-n перехода. Положительная р-область является эмиттером, отрицательная р-область коллектором, n-область представляет собой базу. Таким образом, вместо металлических точечных контактов используются две p-n области. В точечном транзисторе два металлических точечных контакта необходимо было располагать очень близко друг к другу, и

44

Практикум

в плоскостном транзисторе оба перехода должны располагаться очень близко друг к другу. Область базы очень тонкая – менее 25 мкм. Плоскостные транзисторы обладают рядом преимуществ перед точечными: они более доступны теоретическому анализу, обладают более низким уровнем шумов, обеспечивают большую мощность. Для нормальной работы транзистора, как усилителя, необходимо чтобы на эмиттер было подано прямое, а на коллектор обратное смещение, по отношению к базе.

Изобретение транзисторов явилось значительным этапом в истории развития электроники и поэтому его авторы Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли были удостоены нобелевской премии по физике за 1956 г.

Притекстовые задания

1.Прочитайте текст. Определите тезис (главную мысль).

2.Найдите в тексте термины. Дайте их определения.

3.Разбейте текст на части и озаглавьте их.

Послетекстовые задания

1.Найдите в тексте причастия и определите, от каких глаголов они образованы. Замените их, где это возможно конструкцией со словом «который».

2.Ответьте на вопросы:

1.Дайте характеристику плоскостного выпрямителя.

2.Какими преимуществами обладают плоскостные транзисторы?

3.Какие ученые были удостоены Нобелевской премии в 1956

году?

3.Составьте назывной план текста 1.

4.Перескажите текст, используя план задания 3.

Литература и Интернет-ресурсы

См. на стр. 89.

45

Иностранный язык в сфере профессиональной коммуникации (Русский язык)

10. РАЗВИТИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Цель: освоение темы направлено на формирование следующих компетенций:

–способность к коммуникации в устной и письменной формах на русском и иностранном языках для решения задач межличностного и межкультурного взаимодействия (ОК-5);

–способность работать в команде, толерантно воспринимая социальные и культурные различия (ОК-6);

–способность к самоорганизации и самообразованию (ОК-7).

В результате освоения темы студент должен знать правила построения текстов, а также способы выражения различных смысловых отношений в простом предложении, в сложном предложении, в сверхфразовом единстве, в тексте; уметь производить развертывание текста (составление текста на базе предложенных текстов); продуцировать самостоятельное монологическое высказывание; обобщать материал с опорой на прочитанный текст; комбинировать информативный материал текстов; репродуцировать информативное содержание текста в письменной и устной форме; производить свертывание информации текста; владеть технологией построения текста; основными логическими методами расположения информации в устном и письменном текстах, основными приемами поиска и аналитической обработки информации.

Актуальность темы обусловлена тем, что современная действительность требует от человека высокого профессионализма в русле

своей специальности. Это включает в себя, в первую очередь, владение основами речевой коммуникации, владение определенной терминологической базой в своей профессиональной сфере, умение доступно, ясно и грамотно строить свою речь (письменную и устную), применять терминологическую лексику в своих публичных выступлениях и письменных работах.

Теоретическая часть

Студентам необходимо усвоить правила образования родственных слов терминологического характера, проанализировать грамматические модели, используемые в предлагаемом тексте. Научиться вычленять и объяснять термины и сочетания терминологического характера, а также обобщать и комбинировать материал текстов научно-профессионального характера.

При подготовке к данному занятию студент должен обратиться к следующей литературе:

46

Практикум

1.Хавронина С. А. Русский язык в упражнениях: учеб. пособие /

С.А. Хавронина, А. И. Широченская. М.: Русский язык. Курсы, 2016. 384 с.

2.Балыхина Т. М. Русский язык. Основной курс: практическая

грамматика для студентов-иностранцев естественных и технических специальностей / Т. М. Балыхина, Т. И. Василишина, Э. Н. Леонова, И. А. Пугачев. СПб.: Златоуст, 2011. 304 с.

3. pushkininstitute.ru – Портал института русского языка им.

А. С. Пушкина «Образование на русском».

Вопросы, выносимые на обсуждение

1.Виды полупроводниковых приборов.

2.Первые исследования свойств полупроводников.

3.Характеристика плоскостного выпрямителя. Его преимущества.

Предтекстовые задания

1. В тексте, который вы будете читать, вы встретите новые слова. Познакомьтесь с ними. Прочитайте объяснения этих слов. Постарайтесь понять новые слова и выражения.

А) Постарайтесь понять новые слова и выражения Стержень = основа, ядро.

Торец = грань Противоположный = оппозитный, обратный, инверсный Ток = электричество, поток

Поперечный – антоним «параллельный» Стремительный = быстрый Внедрение = ввод, введение

Обратите внимание на беглый гласный при склонении слов «стержень» и «торец»!

Стержень (И.п.) – стержня (Р.п.) – стержню (Д.п.) – стержень (В.п.) – стержнем (Тв.п.) – (о) стержне (П.п.).

Торец (И.п.) – торца (Р.п.) – торцу (Д.п.) – торец (В.п.) – торцом (Тв.п.) – (о) торце (П.п.)

Б) Обратите внимание на родственные слова:

Параллелен (краткая форма) – от «параллельный» (полная форма)

47

Иностранный язык в сфере профессиональной коммуникации (Русский язык)

Упрощенный – от «простой» Выходной – от «выход» Металлический – от «металл» Лабораторный – от «лаборатория»

Изоляция – изолировать – изолированный Практический – от «практика»

2. Поймите значения слов без словаря.

Униполярный, транзистор, электрод, конструкция, диэлектрик, металл, структура, лаборатория, прогресс, технология, характеристика, стимул.

3. Определите, от каких слов образованы сложные слова: Полупроводниковый, тонкопленочный, сверхчистый, микро-

электроника.

4. Подберите антонимы к словам.

Прогресс, входной, уменьшаться, упрощенный.

5. Составьте словосочетания, используя слова в скобках: Униполярный (транзисторы), омический (выводы), про-

тивоположный (сторона), упрощенный (теория), входной (напряжение), поперечный (сечение), обратный (напряжение), лабораторный (стадия), высокий (напряжение), практический (реализация), специальный (оборудование).

6. Читайте грамматические модели:

S1 P O2 O5 O6

Что состоит из чего с чем на чем

На чем стало развиваться что

48

Практикум

4. Прочитайте текст 2. Найдите в нем названные грамматические модели.

Текст 2

В1952 г. Шокли описал униполярный (полевой) транзистор

суправляющим электродом, состоящим из обратно смещенно-

го p-n-перехода. Предложенный Шокли полевой транзистор состоит из полупроводникового стержня n-типа (канал n-типа) с омическими выводами на торцах. В качестве полупроводника использован кремний (Si). На поверхности канала с противоположных сторон формируется p-n-переход, таким образом, чтобы он был параллелен направлению тока в канале. Вывод, от которого носители начинают свой путь, называется истоком. Второй омический электрод, к которому подходят электроны, – сток. Третий вывод от p-n-перехода называют затвор.

Точное описание процессов в полевом транзисторе представляет определенные трудности. Поэтому, Шокли предложил упрощенную теорию униполярного транзистора, в основном объясняющую свойства этого прибора. При изменении входного напряжения (исток-затвор) изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, что приводит к изменению толщины запирающего слоя. Соответственно изменяется площадь поперечного сечения n-канала, через который проходит поток основных носителей заряда, т.е. выходной ток. При высоком напряжении затвора запирающий слой становится все толще, и площадь поперечного сечения уменьшается до нуля, а сопротивление канала увеличивается до бесконечности и транзистор запирается.

В 1963 г. Хофштейн и Хайман описали другую конструкцию полевого транзистора, где используется поле в диэлектрике, расположенном между пластиной полупроводника и металлической пленкой. Такие транзисторы со структурой металл – диэлектрик – полупроводник называются МДП-транзисторы. В период с 1952 по 1970 гг. полевые транзисторы оставались на лабораторной стадии развития. Три фактора способствовали стремительному развитию полевых транзисторов в 70-е годы:

1) развитие физики полупроводников и прогресс в технологии полупроводников, что позволило получить приборы с заданными характеристиками;

49

Иностранный язык в сфере профессиональной коммуникации (Русский язык)

2)создание новых технологических методов, таких как тонкопленочные технологии для получения структуры с изолированным затвором;

3)широкое внедрение транзисторов в электрическое оборудование.

Создание транзистора явилось мощным стимулом для разви-

тия исследований в области физики полупроводников и технологий полупроводниковых приборов. Для практической реализации развивающейся полупроводниковой электроники потребовались сверхчистые полупроводниковые и другие материалы и специальное технологическое и измерительное оборудование. Именно на этой базе стала развиваться микроэлектроника.

Следует отметить, что основные принципы микроэлектроники – групповой метод и планарная технология – были освоены при изготовлении транзисторов в конце 50 годов.

Притекстовые задания

1.Прочитайте текст. Определите тезис (главную мысль).

2.Найдите в тексте термины. Дайте их определения

3.Разбейте текст на части и озаглавьте их.

Послетекстовые задания

1.Найдите в тексте причастия и определите, от каких глаголов они образованы. Замените их, где это возможно конструкцией со словом «который».

2.Задайте вопросы к выделенным словам.

3.Составьте назывной план текста 2.

4.Перескажите текст, используя план задания 3.

Литература и Интернет-ресурсы

См. на стр. 89.

50