Проведём расчёт сопротивления слоёв транзисторов с разными
примесями:
xи2 |
−1 |
|
Rсл |
= [∫ |
× эфф |
( ) × [μn(x)]dx] |
= 14.204 Ом; |
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
xи |
|
−1 |
|
|
|
|
|
|
Rсл |
= [∫ |
× эфф |
( ) × [μp(x)]dx] |
= 24.225 Ом. |
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
4 РЕЗУЛЬТАТЫ РАСЧЕТОВ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ
Результаты расчета параметров разработанного технологического
процесса формирования транзистора и резистора сведены в таблицу 1.
Таблица 1 – Параметры технологических процессов при формировании
транзисторной структуры и резистора
|
|
|
Технологический процесс |
|
|
|||
|
Карман |
|
Транзистор |
|
Резистор |
|||
Параметр |
(примесь - фосфор) |
|
(примесь – бор) |
|
(примесь - фосфор) |
|||
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Загонка |
Разгонка |
|
Загонка |
Разгонка |
|
Загонка |
Разгонка |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
T, ºС |
- |
1250 |
|
1050 |
1250 |
|
- |
1200 |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
T, K |
- |
1523 |
|
1323 |
1532 |
|
- |
1473 |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
t, мин |
- |
43.38 |
|
27.007 |
21.253 |
|
- |
56.082 |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Q, см-2 |
|
14 |
|
|
15 |
|
|
14 |
|
3.5 × 10 |
|
5.085 × 10 |
|
6.944 × 10 |
|||
E, кэВ |
40 |
- |
|
- |
- |
|
180 |
- |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
21
5 ОПИСАНИЕ СТРУКТУРЫ И ЭТАПОВ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
Формирование итоговой структуры происходит в 6 этапов:
1.Загонка кармана ионной имплантацией;
2.Разгонка кармана отжигом;
3.Загонка резистора ионной имплантацией;
4.Разгонка резистора отжигом;
5.Загонка истоков и стоков диффузией из неограниченного источника;
6.Разгонка истоков и стоков отжигом.
Схематичное изображение всех этапов приведено на рисунке 5. Также
на следующей странице приведен чертеж поперечного сечения итогового
кристалла.
Рисунок 5 – Этапы формирования элементов структуры
22
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В курсовой работе по заданным исходным данным выбраны и рассчитаны режимы проведения технологических операций диффузии и ионной имплантации (температура, время, энергия и доза вводимой примеси).
Для полученных структур построены профили распределения примесей.
Также проведён расчёт сопротивлений диффузионных слоёв для n-канального и p-канального МДП транзисторов.
Описаны этапы формирования структур и приведено поперечное сечение полученного кристалла, с указанием геометрических размеров элементов и степени их легирования.
24