2 ПОСТРОЕНИЕ ПРОФИЛЕЙ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ
Определив параметры всех технологических процессов, построим профили распределения примесей в полученных структурах. На рисунке 2
представим профили распределения примесей в структуре p-канального транзистора. На рисунке 3 – профили распределения примеси в структуре n-
канального транзистора. На рисунке 4 – профили распределения примеси в структуре резистора. Для построения эффективных профилей распределения использовались следующие выражения:
эфф ( ) = | исх − и( )|;
эфф ( ) = | исх − к( ) + и( )|;
эффрез ( ) = | исх − р( )|,
где эфф ( ) – эффективная концентрация примеси в n-канальном транзисторе;
эфф ( ) – эффективная концентрация примеси в p-канальном транзисторе;
эффрез( ) – эффективная концентрация примеси в резисторе.
17
Рисунок 2 – Профили распределения примесей в структуре p-канального транзистора
Рисунок 3 – Профиль распределения примеси в структуре n-канального транзистора
18
Рисунок 4 – Профиль распределения примесей в структуре резистора
19
3 РАСЧЁТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СЛОЁВ
В технологическом процессе изготовления полупроводниковых структур одним из параметров, характеризующих качество диффузионных слоев, является сопротивление слоя сл. Для его расчета используется следующее выражение:
сл = ( ∫0 ( ) ( ) )−1,
где ( ) – эффективная концентрация примеси в слое;
( ) – подвижность носителей заряда.
Подвижности для электронов и дырок, зависящие от концентрации,
определяются эмпирическими выражениями:
μn(x) = 65 + |
1265 |
|
|
|
|
; |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
Σ (x) |
|
0,72 |
|
|||||||
|
1+( |
|
|
) |
|
|
|
||||||
|
|
|
16 |
см |
−3 |
|
|
|
|||||
|
8×10 |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
μp(x) = 47,7 + |
|
|
|
477 |
|
|
|
, |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
(x) |
0,76 |
|||||||||
|
|
|
|
Σ |
|
|
|
|
|
||||
|
1+( |
|
|
|
|
|
|
|
) |
|
|
||
|
|
|
16 |
см |
−3 |
|
|
||||||
|
6,3×10 |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
где Σ (x) = и( ) + исх – суммарная концентрация примеси в истоке n-типа;Σ (x) = и( ) + к( ) + исх – суммарная концентрации примеси в истоке
p-типа.
Также учтём, что глубина залегания истока у n-канального транзистора несколько отличается от исходно заданной и = 2.7 мкм. Определим её по профилю распределения (рисунок 3), и в расчётах будем считать её равной
и2 = 3.9 мкм.
20