- •АННОТАЦИЯ
- •SUMMARY
- •ВВЕДЕНИЕ
- •1 ВЫБОР И РАСЧЁТ РЕЖИМОВ ПРОВЕДЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ операций
- •1.1 Загонка кармана
- •1.2 Формирование транзисторов
- •1.3 Формирование резистора
- •1.4 Разгонка кармана
- •2 ПОСТРОЕНИЕ ПРОФИЛЕЙ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ
- •3 РАСЧЁТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СЛОЁВ
- •4 РЕЗУЛЬТАТЫ РАСЧЕТОВ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ
- •5 ОПИСАНИЕ СТРУКТУРЫ И ЭТАПОВ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
- •ЗАКЛЮЧЕНИЕ
- •СПИСОК Использованных источников
1 ВЫБОР И РАСЧЁТ РЕЖИМОВ ПРОВЕДЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
1.1 Загонка кармана
Первоначально необходимо провести расчёт эффективной постоянной диффузии примеси в кармане ( к2 к2)эфф, которую можно определить из выражения для распределения концентрации примеси:
2
к( ) = sк exp (− 4( к2 к2)эфф) ,
где sк – поверхностная концентрация примеси в кармане.
На глубине залегания кармана к концентрация примеси равна исходной концентрации примеси в подложке: к( к) = исх. Исходя из этого равенства найдём значение эффективной постоянной диффузии примеси в кармане:
2
( к2 к2)эфф = 4 (к sк ) = 1.201 × 10−8 см2.
исх
Из условия постоянства дозы примеси при загонке и разгонке, найдём постоянную диффузии для загонки кармана:
|
|
|
√ |
к1 к1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
= |
2 |
= |
√ ( |
) |
эфф |
, |
||||
|
|||||||||||
к1 |
к2 |
к1 |
|
|
к |
|
к2 к2 |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
где к1 = 6 × 1020 см−3 – предельная поверхностная концентрация примеси фосфора при температуре загонки.
6
к1 к1 = ( к2 к2)эфф ( 2 к )2 = 6.66 × 10−14 см2.
к1
Положим температуру загонки 900 ºС ( к1 = 1173 К) и рассчитаем значение коэффициента диффузии фосфора для данной температуры,
используя следующее выражение:
−3.66( ) = 3.85 exp ( ),
где = 8.625 × 10−5 эВ/К – постоянная Больцмана.
|
|
|
−16 |
см2 |
|
|
= |
( |
) = 7.487 × 10 |
|
. |
|
|||||
к1 |
|
к1 |
|
с |
|
|
|
|
|
|
Из найденного значения постоянной диффузии произведем расчет времени загонки кармана:
к1 = к1 к1 = 1.484 мин.к1 × 60
Таким образом, расчет показывает, что даже при сравнительно низкой температуре загонки примесей получается малое время загонки, что может привести к плохой воспроизводимости процесса введения примеси и вызвать разброс электрофизических параметров прибора. Поэтому для введения примесей целесообразно использовать метод ионной имплантации. Для этого определим необходимое количество вводимой в карман примеси:
Qк = к√π(Dк2tк2)эфф = 1.748 × 1014 см−2.
7
|
Примем энергию имплантированных ионов к = 100 кэВ, что |
||||
соответствует проецированному пробегу ионов фосфора |
= 0.1238 мкм и |
||||
|
|
|
|
к |
|
дисперсии пробега |
= 0.0457 мкм. Поскольку глубина залегания кармана |
||||
|
к |
|
|
|
|
( |
= 2.7 мкм) много больше |
и |
, имплантированный слой можно |
||
к |
|
к |
к |
|
|
рассматривать в качестве тонкого слоя с ограниченным содержанием примеси,
из которого и происходит перераспределение примесей при температуре к2 и
времени к2 разгонки примеси в кармане.
Рассчитаем значения концентрации примеси на поверхности, на глубине залегания истока и на глубине залегания кармана c учётом процесса имплантации и сравним их с исходно заданными, или в случае концентрации на глубине истока, сравнив их значением с рассчитанным без учета
имплантации, чтобы оценить величину расхождения.
Распределение концентрации примеси в кармане с учётом процесса
имплантации описывается выражением: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
( − |
|
)2 |
|
|
|
|
к1( ) = |
|
|
|
к |
|
|
|
|
[− |
|
|
к |
|
|
|
] . |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
2 |
+ 4(D |
|
|
) |
|
|||
√ (2 |
2 |
+ 4( |
|
) |
|
) |
|
||||||||||
|
эфф |
|
к |
|
к2 к2 |
|
эфф |
||||||||||
|
|
к |
к2 |
к2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Поверхностная концентрация примеси кармана с учетом имплантации:
к1(0) = 4.484 × 1017 см−3 .
Концентрация примеси на глубине залегания истока с учетом имплантации:
к1( и) = 1.131 × 1017 см−3.
Концентрация примеси на глубине залегания истока без учета имплантации:
8
к( и) = 1.973 × 1017 см−3.
Концентрация примеси на глубине залегания кармана с учетом имплантации:
к1( к) = 3.415 × 1014 см−3.
Сравнив полученные величины делаем вывод, что разница в значениях исходных концентраций и концентраций с учетом ионной имплантации существенна, поэтому необходимо внести изменения в параметры ионной имплантации. Изменение только энергии имплантированных ионов существенно не повлияет на увеличение концентраций на поверхности,
поэтому одновременно с этим будем изменять дозу примеси, вводимую в
структуру.
Примем новое значение дозы примеси к = 3.5 × 1017см−2 и новую энергию ионов к = 40 кэВ, что соответствует проецированному пробегу
ионов фосфора |
= 0.0489 мкм и дисперсии пробега |
= 0.0214 мкм, и |
к |
к |
|
рассчитаем для этих параметров концентрации примеси в ключевых точках профиля.
Поверхностная концентрация кармана:
к1(0) = 9.005 × 1017 см−3.
Концентрация на глубине залегания истока:
к1( и) = 2.086 × 1017 см−3.
Концентрация на глубине залегания кармана:
к1( к) = 5.661 × 1014 см−3.
9
