Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Нанотехнология

..pdf
Скачиваний:
1
Добавлен:
19.11.2023
Размер:
33.02 Mб
Скачать

7.2. Кластеры алюминия

261

с п > 20 уже нет соответствия с предсказаниями оболочечной модели, хотя именно для больших кластеров она должна бы лучше выполнятся.

Еще одна особенность для кластеров алюминия по сравнению с кла­ стерами щелочных металлов заключается в значительном отклонении рас­ четной энергии ионизации (работы выхода электрона из металлической сферы) от эксперимента для малых кластеров (рис. 7.12). Объяснение этого эффекта состоит в рассмотрении различия в возникновении зон проводимости для щелочных металлов и для алюминия с ростом размеров кластеров (рис. 7.13).

Для щелочных металлов с наполовину заполненной а-зоной энергия ионизации убывает с ростом размера кластера. Для $2р 1 кластеров верх p -зоны с ростом кластеров вначале убывает (энергия ионизации возрас­ тает), а затем возрастает подобно кластерам щелочных металлов. Такой переход к совпадению с предсказаниями классической капли начинается где-то на уровне 25 атомов в кластере.

Структура зон кластеров алюминия может быть изучена с помощью фотоэлектронной спектроскопии. В этом случае применяются отрицатель­ но заряженные кластеры. Эти эксперименты позволяют также определить энергию сродства кластеров алюминия к электрону. На рис. 7.14 приведе­ ны спектры фотоэлектронов кластеров А1й с п = 3-г32, на которых стрел­ кой показана энергия сродства к электрону. Для кластеров с заполненной электронной оболочкой следует ожидать ббльших энергий сродства к элек­ трону, а для кластеров с одним или двумя электронами поверх заполненной электронной оболочки — меньших энергий сродства к электрону.

6

4

2

0

6

4

2

0

6

4

2

0

6

4

2

0

6

4

2

0

6

4

2

0

Рис. 7.14. Фотоэлектронные спектры кластеров А1^ с п = 3 -г 32. Стрелкой показаны значения энергий, используемых для определения сродства к электрону [13]

262

1лава 7. Безлигандные металлические кластеры

Данные рис. 7.14 действительно свидетельствуют о том, что сродство к электрону максимально для кластеров А1^ с п = 6, 13 и 23, что соот­ ветствует оболочечной модели. В то же время общая зависимость энергии сродства к электрону по модели металлической капли свидетельствует о ее возрастании с увеличением размера кластера и следует формуле (7.9). Наи­ более отчетливо заметно различие между спектрами Al^ и Alj"4: для А1^3 характерен резкий порог отрыва электрона, a Alf4 соответствует отдельная ступенька, которая связана с началом заполнения новой электронной оболочки А1^4. Далее фотоэлектронные спектры на рис. 7.13 позволяют сделать заключение о том, при каких размерах кластеров происходит вы­ ход электронных свойств на массивный металл. В атоме алюминия энер­ гетическая щель между s и р уровнями составляет 3,6 эВ, в массивном металле соответствующие полосы перекрываются, тогда появление в спек­ трах линий с высокими энергиями, начиная с п > 20, представляет собой свидетельство начала перекрывания Зр-полосы с 3s-полосой в кластерах.

7.2.2. Поляризуемость кластеров алюминия

Поляризуемость кластера —- важная характеристика, которая позво­ ляет также сравнение с простой капельной моделью. Поляризуемость А1п

Рис. 7.15. Поляризуемость на атом для кластеров А1„ при п = 15 -г 61. Пунктирной линией показаны предсказания для сферической модели желе кластеров

7.2. Кластеры алюминия

263

с п = 15 -г 61 измерялась по отклонению в неоднородном электрическом поле [14].

Данные по поляризации представлены на рис. 7.15.

Поляризуемость металлической сферы пропорциональна ее объему, т.е. Л3, однако для малых металлических кластеров поляризация должна возрастать из-за процесса выбрасывания электронов за пределы оболочки кластера, так что поляризация на один атом записывается как

(R + <5)3

п

>

(7.32)

 

 

где S — доля электронного выброса. Как следует из рис. 7.15, экспери­ ментальные данные значительно расходятся с моделью для п < 40. В этом существенное отличие кластеров алюминия от кластеров щелочных ме­ таллов, для которых наблюдается согласие с моделью. Такое различие для малых кластеров алюминия может объясняться различными причинами, но ясно влияние существования отдельных з- и p -полос с разной по­ ляризуемостью пока при увеличении размеров кластера они не начали перекрываться.

7.2.3. Диссоциация кластеров алюминия

Диссоциация

кластеров алюминия происходит главным образом

за счет испарения,

а не за счет деления. Происходит мономолекуляр-

ная диссоциация с испарением А1 или А1+ . В этом случае ожидается увеличение энергии связи на атом для кластера с увеличением его раз­ мера. Изучение диссоциации свидетельствует, что кластеры А1п с п = 7 и 13 14 более стабильны, чем соседние. На рис. 7.16 приведены энергии диссоциации для кластеров А1п при п = 2 -г 17.

В масс-спектрах появляются магические числа для стабильных кла­ стеров Al* и AlJj. Эти числа отличаются от магических чисел для щелоч-

Рис.7.16. Энергии диссоциации кластеров AlJ при п = 2 - 17 [15]. Пунктирная линия соответствует энергии связи для массивного материала (3,358 эВ)

264

Глава 7. Безлигандные металлические кластеры

п

Рис. 7.17. Значения энергии диссоциации для нейтральных кластеров;

• — экспериментальные результаты; пунктир — расчет по модели капли [15]

ных металлов, но соответствуют оболочечной модели при п = 7 и 13-14. Действительно, в зависимости от типа потенциала, в котором движется электрон, замкнутые оболочки будут для п = 8,18,20,34,40,58,68 и 92 для 1р, Id, 2s, 1 / , 2р, 1#, 2d, 3s электронов в прямоугольной яме (см. гл. 5) или 8,20,40,70 для гармонического осциллятора. Атом алюминия имеет валентность равную 3, следовательно кластер Al* включает 20 валентных электронов: 7 x 3 - 1 (с учетом заряда кластера), и, таким образом, полу­ чается первое магическое число 7. Аналогично для A ljj-A l^ получается замкнутая оболочка из 38-41 валентного электрона. Разумеется, конфи­ гурация кластера алюминия более сложная, чем для щелочных металлов, поскольку имеется взаимодействие s u p валентных электронов. В схе­ му электронных оболочек для кластеров алюминия укладываются также окисленные кластеры со связями О2или 0=А1, которые отнимают от кластера два валентных электрона. Так, для кластера A l^O *, который был найден более стабильным, чем другие окисленные кластеры, сумми­ руются 3 x 1 5 - 1 (влияние заряда кластера) - 4 (2 электрона на каждый кислород) = 40 валентных электронов, которые и образуют замкнутую электронную оболочку.

Энергия диссоциации увеличивается с увеличением размера кластера. Интересно сопоставить экспериментальные данные с расчетом по про­ стой модели, связанной с рассмотрением энергии объема (химического потенциала) и поверхностной энергии, как это было сделано для кла­ стеров щелочных металлов (7.20). Эти сравнения приводятся на рис. 7.17 для расчетной и экспериментальной зависимости энергии диссоциации (или энергии прилипания на атом кластера).

7.2. Кластеры алюминия

265

Модель приводит к формуле

 

36тгУа273

0,33

Е(п) = Д Я °Р

(7.33)

п

 

где А Н — теплота испарения массивного материала, V2 — объем атома в массивном материале, 7 — поверхностная энергия. Как это следует из рис. 7.17, экспериментальные точки совпадают с расчетом по модели для п > 6. Это можно отнести за счет приближения формы кластера к сферической с увеличением размера, однако в любом случае вызывает удивление такое совпадение с моделью металлической сферы для столь малых размеров кластера.

7.2.4. Реакционная способность кластеров алюминия

Взаимодействие кластеров алюминия с молекулами таких реагентов, как водород или кислород, представляет собой важную характеристику свойств кластеров. Здесь может прослеживаться связь формы кластеров с их реакционной способностью. Большинство данных свидетельствует о том, что активационный барьер реакции для кластеров малых размеров больше, чем для массивного материала [15].

В качестве примера полезно рассмотреть наиболее распространенные реакции кластеров алюминия с кислородом. Для нейтральных кластеров продукты реакции возникают в виде А1„0 2 , причем отдельные атомы или димеры алюминия реагируют быстро, а далее с увеличением размера кла­ стера происходит вначале уменьшение, а затем увеличение реакционной способности. Для положительно заряженных кластеров Aln с п < 7 А120 + основной продукт реакции взаимодействия с кислородом —- А1пО+ . Для более крупных кластеров наблюдаются реакции:

А1+ + 0 2

->■ А1+_4 +

2А130 ,

(7.34)

А1+ + 0 2

-)■ А1+5 +

2А120 + AI.

(7.35)

Эти реакции обладают активационным барьером в десятые доли электронвольта для кластеров с п = 3 Ч- 25, в то время как массивный алю­ миний легко окисляется без активационного барьера, т. е. кластеры менее реакционноспособны, чем массивный материал. Реакции с отрицательно заряженными кластерами с избытком кислорода приводят к стабилизации продуктов реакции на кластерах с 13, 23 и 37 атомами. Это свидетель­ ствует о влиянии оболочечной модели кластеров на реакционную спо­ собность, поскольку А173, A1J3 и A1J7 обладают 40, 70 и 112 валентными электронами соответственно, образующими замкнутую электронную обо­ лочку в потенциале гармонического осциллятора. Форма кластера также связана с его реакционной способностью. Так, расчеты дают для Al* конфигурацию искаженного октаэдра, для которого все атомы находятся на одном расстоянии от центра масс так, как если бы они все находились на поверхности сферы. Действительно, для кластера Al* характерна за­ мкнутая электронная оболочка, содержащая 20 валентных электронов, для

266

Глава 7. Безлигандные металлические кластеры

которой ожидается сферическая форма. Следующей замкнутой электрон­ ной структурой будет кластер Alj^, образующий икосаэдрическую форму. Эта стабильная структура обладает большой энергетической щелью между заполненными и незаполненными орбиталями, что обеспечивает низкую реакционную способность такого кластера.

7.3. Кластеры ртути

Кластеры ртути предоставляют уникальную возможность изучить пе­ реход от вещества, отвечающего свойствам диэлектрика, к проводникам. Сам атом ртути имеет замкнутую электронную оболочку с конфигурацией ([Хе] 4 / 145d106$2), так что может рассматриваться в качестве элемента для построения вандерваальсовых связей, однако массивный материал ртути представляет из себя, как известно читателю, металл. Переход от ван­ дерваальсовых к металлическим связям осуществляется с увеличением размера кластера, как это показано на рис. 7.18.

Hg-атом Hg-массивный материал

Рис. 7.18. Схема электронной структуры атома ртути и массивного материала ртути; Ер — уровень Ферми

Превращение атомных уровней —*заполненных 5-уровней и незапол­ ненных р-уровней —■в зоны и пересечение 5- и p -зон ведет к появлению проводящих свойств материала. При этом металл уже имеет конфигура­ цию ([Хе] 4 / I45dI06sM6p0’6).

Как и для предыдущих случаев щелочных металлов, серебра и алю­ миния, важнейшим индикатором свойств служит энергия ионизации. На рис. 7.19 представлены результаты измерения энергии ионизации для кластеров Hgn при п — 1 -г 43 в зависимости от 1/R.

Для кластеров с п ^ 13 наблюдается уменьшение Е\ с увеличением размера кластера. Однако в этом диапазоне п значения Е\ заметно расхо­ дятся с предсказанием поведения энергии ионизации для металлической сферы (см. (7.8)).

 

 

7.3. Кластеры ртути

 

267

10,0

 

 

 

 

 

 

9.0

 

 

 

 

 

 

8.0

 

 

 

 

 

 

7.0

 

 

 

 

 

 

6.0

 

 

 

 

 

 

5.0

 

 

 

 

 

 

4.0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

, .

0

1/Д,А

Рис. 7.19. Энергии ионизации для кластеров Hgn в зависимости от обратного радиуса кластера [16]

Более того, экстрополяция Е\п при п оо дает величину 6,5 эВ, что значительно больше работы выхода электрона для массивного материала ф = 4,49 эВ. Однако для п > 13 наблюдается резкое уменьшение Е\п и экспериментальные результаты приближаются к согласию с моделью металлической сферы.

Энергия ионизации была рассчитана путем применения расчетов молекулярных орбиталей типа Хартри—-Фока [17]:

Eto = En(vt - l ) - E n(vt)9

где En(vt) относится к общей электронной энергии п -атом­ ного кластера с vt валентны­ ми электронами. Было получе­ но, что

е2

Вщ = ~£Hos(tt) + — , (7.37)

(7.36)

вакуум

!еномо(п)

6s-зона

где £Hos(ra) соответствует энер­

 

 

гии

высшего занятого состоя­

 

 

ния. Предполагается существо­

п < п г,

п > п С1

вание пСТ —■критического раз­

мера кластера, например псг =

Рис. 7.20. Схема процесса ионизации для ло­

13,

менее которого электрон

кализованных (n < псг) и делокализованных

локализован на атоме, а бо­

п > псг электронных состояний Hg„

лее

— делокализован. Первый

 

 

член уравнения (7.37) включает изменения энергии ионизации, связан­ ные с изменением электронной структуры для разных размеров кластера,

268

Глава 7. Безлигандные металлические кластеры

 

 

 

второй член представляет собой

 

 

электростатический вклад после

 

 

сдвига уровней энергии в резуль­

 

бр-зона

тате ионизации

vt

(vt - 1).

 

 

Как это следует из рис. 7.20, для

 

 

п < псг электроны испускаются

 

ьр.ь

из атомного уровня и, таким об­

 

разом, £HOS(^) ~ е (атома), в то

 

 

 

 

время как при п > псг электроны

 

~a,t

делокализованы и euosin) о т н о ­

 

 

с и т с я к энергии высшей занятой

 

 

молекулярной орбитали соглас­

 

6s-зона

но расчетам по

Хартри—Фоку:

 

 

£номо-

 

 

 

Другой важной характери­

 

стикой,

связанной с изменени­

Рис. 7.21. Схема расположения уровней

ем электронного состояния кла­

стера,

является энергетическая

в атоме и кластере ртути

 

щель между р- и а-зонами кла­

 

стеров ртути.

Металлическое состояние определяется величиной щели

Ап

 

(7.38)

где ePtb относится к низшему уровню p -зоны, a es,t соответствует высшему уровню 5-зоны (рис. 7.21).

Методы расчета [17] позволяют проследить изменение Д в зависи­ мости от числа атомов в кластере вплоть до исчезновения щели (Д « 0), что свидетельствует о появлении металлического состояния.

*■/(«,-о

Рис.7.22. Зависимость щели Ая между з - и р-зонами от 1/п согласно [17] для кластеров Hg,,

7.3. Кластеры ртути

269

На рис. 7.22 показана зависимость щели Д

между s- и р-зонами

от размера кластера по расчетам [17] в зависимости от обратного числа атомов ртути в кластере в приближении длин связи как в массивном материале без учета релаксации или как в кластере с учетом релаксации с максимальной энергией связи. Наблюдается более резкое уменьше­ ние Дп, начиная с п ~ 8. Для п < 8 величина Д„ довольно велика (Дв = 3,2 эВ) и поэтому малые кластеры представляют собой изолято­ ры. Как это следует из расчетов, электронное состояние кластеров Hgn, начиная с п = 19, приближается к состоянию, подобному массивному материалу, хотя Д |9 ~ 1,8 эВ и, таким образом, для такого кластера можно говорить о том, что он соответствует полупроводниковому состоянию. Для характеристики электронного состояния кластеров различных размеров

ив- и p -зон эффективно сравнение спектров плотности электронных состояний вблизи энергии Ферми. На рис. 7.23 и 7.24 показаны данные плотности электронных состояний для кластеров Hgn при различных п

идля массивного материала.

Энергетическая щель еще заметна для кластеров с п = 43 (рис. 7.23). Для кластера с п = 79 величина Д79 = 0,35 эВ и становится близкой

Рис. 7.23. Плотности электронных со­

Рис. 7.24. Плотности электронных со­

стояний кластеров Hg„, п =

8,19,43;

стояний кластеров Hg„, п = 79, 135,

Ns(e) (сплошные линии)

и Np(e)

и массивной ртути; Ns(e) (сплошные

(пунктирные линии) относятся к з- и

линии) и -ЛГр(е) (пунктирные линии) от­

р-состояниям

 

носятся К 5 - и р-состояниям

270

Глава 7. Безлигандные металлические кластеры

к пределу [п Л Г ^)]-1. Металлическое состояние для кластеров Hgn на­ блюдается при п ^ 80 (рис. 7.24) подобно массивному материалу. Для больших кластеров ар-щель Д 135 < 0,1 эВ. С увеличением размера кла­ стера плотности электронных состояний переходит от узких одиночных линий к многолинейчатым полосам с широкими линиями, которые обра­ зуют а- и р-зоны.

7.4. Кластеры переходных металлов

Кластеры переходных металлов имеют более сложную электронную структуру, поскольку в них добавляются электронные d- или /-оболочки. Ранее отмечалось, что стабильность и реакционная способность класте­ ров обусловливается двумя рядами магических чисел, один из которых связан с электронной оболочкой, как у кластеров щелочных металлов, другой —- с геометрическим фактором (плотнейшей упаковкой). Свойства кластеров переходных металлов, включая Си, Ag и Аи, определяются как электронной, так и геометрической структурой. Кроме того, для кла­ стеров переходных металлов особое значение приобретает способность атомов находится в разных окислительных состояниях, что создает явные отклонения от оболочечной модели.

Основные характеристики кластеров связаны, как и в предыду­ щих рассмотрениях, с энергией ионизации кластеров, энергией сродства к электрону, шириной энергетической щели между зонообразующими уровнями и с энергией диссоциации и стабильностью кластера. Кро­ ме того, здесь появляются магнитные характеристики, обусловленные d -оболочкой атомов кластеров.

7.4.1. Энергия ионизации

Изменение энергии ионизации кластеров с различным размером представляет собой весьма эффективный подход для изучения эволюции свойств кластеров к свойствам массивного материала и дает прямой выход на их реакционную способность, поскольку определяет способность к пе­ реносу электронов в химических реакциях. Энергия ионизации определя­ ется с помощью перестраиваемого лазера. На рис. 7.25 приведены данные по энергиям ионизации для кластеров Fen и Со„ при n = 1 -г 100 [18].

Эксперимент свидетельствует о значительных изменениях энергии ионизации в области малых кластеров. Эти колебания уменьшаются с ростом кластеров и при п > 25 зависимость практически отсутству­ ет. На рис. 7.25 приведен расчет по капельной модели, которая хорошо работает для кластеров щелочных металлов (см. формулу (7.8)). Измерен­ ные величины Е\ значительно меньше тех, которые предполагает модель, кроме того, модель предсказывает уменьшение Е\ на 0,4 эВ при увеличе­ нии п от 25 до 100, однако в этом диапазоне практически нет никаких изменений. Столь значительные отклонения могут быть следствием либо отличия структуры кластера от массивного материала, либо, что более

Соседние файлы в папке книги