книги из ГПНТБ / Постников В.С. Внутреннее трение в металлах
.pdfДальнейшее развитие работ (теоретических и экспериментальных) по исследованию коэффициента затухания ультразвука в металлах, полупроводниках и некоторых ионных кристаллах в магнитном поле содержатся в статьях [481—498 и др. ].
3. Ферромагнетики и антиферромагнетики
Общие замечания
Известно, что элементарными носителями магнетизма являются электроны, протоны н нейтроны, обладающие собственным так на зываемым спиновым магнитным моментом. Движение этих частиц (протонов и нейтронов в ядре, электронов в атомной оболочке) в атомной системе обусловливает микроскопические токи, которые имеют магнитные моменты; их называют орбитальными магнитными моментами.
Рис. ИЗ. Схема магнитного порядка в ферромагнетиках (a') и антнферромагнетнках (b') и зависимость магнитол восприимчивости этих веществ‘(а, Ь)
При образовании кристалла из изолированных атомов наряду с электростатическим взаимодействием, в основном определяющим силы связи атомов (ионов) в решетке, возникает сложное магнитное взаимодействие между носителями магнитных моментов (в основном электронами); характер этого взаимодействия и определяет структуру, кристалла, его магнитные свойства.
Наиболее простые виды магнитных структур, которые могут су ществовать при 0° К у некоторых веществ, представлены на рис. 113. Первый вид соответствует ферромагнитному состоянию кристалла; для него характерны параллельное расположение магнитных момен1 тов в элементарной ячейке кристалла и в связи с этим максимальная величина суммарного магнитного момента.
Антипараллельное расположение магнитных моментов характерно для антиферромагнитного состояния вещества; магнитный момент элементарной ячейки кристалла в этом случае равен нулю. В не которых веществах в силу неполной компенсации магнитных момен-
270
TOB магнитный момент элементарной ячейки кристалла не равен нулю. Такие вещества называют ферримагнетиками [405].
Формально магнитный порядок можно описать введением неко торого внутреннего поля, которое называют молекулярным полем или полем Розинга—Вейсса Т
При Т Д> 0° К появится тепловое движение носителей магнитных моментов, которое разрушит всякий порядок, и потому ориентирую щее действие поля Розинга—Вейсса Нг будет ослаблено.
При некоторой температуре Тк магнитный порядок исчезнет,-
вещество станет парамагнитным. В |
области от 0° до Тк восприим |
|||||
чивость %ферромагнетиков |
|
^ТгГО |
||||
носит сложный |
характер, |
|
||||
выше Тк она хорошо опи |
|
; : і |
||||
сывается простым законом |
|
іи |
||||
Кюри—Вейсса: |
|
|
|
т |
||
|
* |
= |
7 |
(739) |
|
|
|
|
|
||||
где С— постоянная Кюри, |
|
|
||||
зависящая от природы фер |
|
|
||||
ромагнетика. |
|
|
|
|
||
Восприимчивость анти |
|
|
||||
ферромагнетика |
|
описы |
|
|
||
вается |
аналогичным зако |
|
|
|||
ном: |
|
|
|
|
|
|
|
X — |
т+ |
ѳ > |
(740) |
Рис. 114. Схема, иллюстрирующая возникновение |
|
|
домённоіі |
структуры |
||||
где с', |
Ѳ— постоянные, зависящие |
от рода антиферромагнетика. |
||||
Температуру TN (см. рис. 113, Ь) у антиферромагнетика часто назы |
||||||
вают точкой Нееля. |
|
|
|
|||
Допустим, что мы имеем дело с идеальным одноосным ферромагне |
||||||
тиком, находящимся при Т |
0° К (рис. 114, а). Магнитный порядок |
|||||
обеспечит самопроизвольную намагниченность, которую обозначим Is. / Намагниченный однодоменный образец (рис. 114, а) вследствие об
разования магнитных полюсов (магнитных зарядов) |
будет обла |
дать большой магнитной энергией: |
|
.wn = - ^ \ H*dv. |
(741) |
Для образца, имеющего форму эллипсоида вращения, напряжен ность размагничивающего поля Нр = —NIS, где N — размагничи вающий фактор, зависящий от соотношения осей эллипсоида.
В этом случае
wm = -^-NI2S. |
(742)1 |
1 Представление о молекулярном поле было введено русским физиком Розин- ѵ гом еще в 1892 г., за 15 лет до известной работы Вейсса по этому вопросу.
271
Для конфигурации рис. 114, б магнитная энергия wm будет при мерно вдвое меньше, поскольку область самопроизвольной намагни ченности разбилась на два домена, намагниченных в противополож ных направлениях.
Дальнейше> дробление доменов (рис. 114, в) будет еще больше уменьшать энергию wm. Однако при этом будет расти общая энергия переходных слоев — доменных стенок (см. рис. 114, в и рис. 115).
/ |
/ |
/ |
1 |
! |
/ |
! |
! |
1Г~ |
/ |
7 |
1 |
|
|
/■ |
/ ( |
|
|
||||
[Т У УД 1 т |
|
-tfK |
. |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
t|ijt|T!iii!t |
|
1i t s |
|
|||||||
L |
|
A I |
A I |
A !// |
5 |
V |
||||
|
|
|
|
|
а |
|
|
|
|
|
Рис. |
|
115; |
|
Расположение |
замыкающих доменов |
в магнитно* - |
||||
одноосном кристалле |
(а) |
и структура* 180-градусной доменной |
||||||||
стенкн |
(б) |
|
|
|
|
|
|
|
||
Эту энергию с хорошим приближением можно представить в виде
суммы обменной энергии и энергии анизотропии |
[404]: |
|
“fc = »>o6 + |
“V |
(743) |
Обменную энергию можно оценить по формуле для цепочки (М+1) |
||
атомов (см. [404]): |
|
|
= |
' |
(?44) |
где I — обменный интеграл, характеризующий |
особое (некласси |
|
ческое) электростатическое взаимодействие электронов (см. об этом, например, в работе [405]); s — спинновое квантовое число; а — по стоянная решетки.
Энергия анизотропии для одноосного ферромагнетика — порядка произведения константы анизотропии k (численно равна энергии магнитного взаимодействия электронов, отнесенной к единице объема
ферромагнетика) на объем слоя (1 CM2 d), т. е. |
|
waa я» kNa = kd. |
(745) |
Минимум wd относительно N получается при условии dwJdN — = 0. Имея в виду уравнения (743)—(745), нетрудно найти из послед него условия
M W - |
‘7«> |
Оценка, выполненная в работе [404] для железа, дает N я» 300, |
|
wd*& 1 мДж/м2 (я«1 эрг/см2). |
' |
§72
Если'анизотропия создается искусственно внешними (или вну тренними, остаточными) напряжениями, то к энергии магнитной ани зотропии следует прибавить магнитоупругую энергию (см. [404])
• |
®a = -|-^o-sin20, |
(747) |
где К, — магнитострикция насыщения (относительное |
изменение |
|
длины при параллельности векторов намагниченности всех доменов); 0 — угол между Is и направлением, в котором измеряется измене ние длины.
Таким образом, энергия границы слоя определяется тремя сла гаемыми. Зная численные значения постоянных для железа, можно определить d и wd. Оценка дает [404] d — 1000А, wd 2 мДж/м2 (f&2 эрг/см2).
В связи со сказанным выше процесс дробления будет продол жаться до тех пор, пока энергия, необходимая для образования новых доменных стенок, не станет больше, чем уменьшение энергии магнит ного поля, соответствующего дальнейшему дроблению.
Можно представить себе также доменные структуры, для которых- w = 0 (см. рис. 114, г). Здесь замыкающие домены, в отличие от рас смотренных образуют 90-градусные доменные стенки. Можно считать [404], что 180-градусная граница, например, параллельная пло скости (100), состоит из двух 90-градусных. В связи с этим толщина стенки 90-градусной границы и ее энергия w примерно в два раза меньше, чем у 180-градусной.
В магнито-одноосных кристаллах имеется одно направление лег кого намагничивания (например, у кобальта [0001 ]). Здесь границами доменов могут служить только 180-градусные стенки.
Магнитно-многоосные кристаллы (железо, никель и многие дру гие сплавы) имеют по три и по четыре направления легкого на магничивания. В этих кристаллах, кроме 180-градусных стёнок, су ществуют и 90-градусные.
Реальные доменные структуры, обнаруженные с помощью метода порошковых фигур [499], часто оказываются значительно более сложными, чем в тех случаях, которые мы сейчас рассмотрели, однако происхождение любой доменной структуры всегда связано с возмож ностью уменьшения энергии системы (w = wm + ша. + wd) в резуль тате перехода от насыщенной конфигурации с большой магнитной энергией к доменной конфигурации с низкой, общей энергией.
4. „Магнитные“ потери
Ферромагнитное и антиферромагнитное состояния вещества имеют отличительные особенности, определяемые их природой, и потому нет ничего удивительного в том известном экспериментальном факте, что затухание механических колебаний (потери) в этих материалах
вобщем случае гораздо больше, чем в немагнитных (диамагнетиках
ипарамагнетиках).
18 В. С. Постников |
273 |
Магнитные потери обычно делят (см., например, [404]) на: 1) по тери от макровихревых токов; 2) потери от микровихревых токов; 3) потери, связанные с магнитномеханическим гистерезисом.
Макровихревые токи
Затухание механических колебаний в ферромагнитных материа лах, вызванное макроскопическими вихревыми токами, возникает во всех случаях, когда намагниченный материал подвергается воз действию механических колебаний. Этот вид потерь рассматривался многими исследователями (см. [500—504 и др. ]).
Следуя этим работам, рассмотрим кратко этот вид потерь. Предположим, что к очень длинному и тонкому изотропному на
магниченному ферромагнитному образцу приложено растягивающее напряжение ст. Полная индукция в этом случае станет равной
В — BQ-\- ß(T, ß = -g -. |
(748) |
Если напряжение о изменяется периодически во времени, то по лучаются периодические потоки индукции, вследствие чего возни кают вихревые токи, противодействующие этому изменению.
Эффективное время релаксации для магнитной диффузии можно оценить, как и в тепловой диффузии (см. гл. IV), по-формуле
т = d*/D, |
(749) |
где d — поперечный размер образца; D — коэффициент магнитной диффузии.
Его можно найти следующим образом. Пренебрегая плотностью токов поляризации по сравнению с истинной плотностью токов про водимости, при помощи известных уравнений Максвелла для не подвижных сред найдем
В = ----rot rot В, 4лр ’
где р — удельное сопротивление; р — магнитная проницаемость. Учитывая, что rot rot В = grad div В —^Х/2В, a div В = 0, по
лучаем
В = -^ — S/2B = DS/2B.
4яр
Следовательно,
D = р/4яр. |
(750) |
Степень релаксации Д£ можно оценить по формулам (389), при нимая Es = Ев, %' = ß, p' = р/4я. Искомая величина равна
Д£ = 4nyr^Eß. |
(751) |
Она равна нулю, когда образец ненамагничен (В = 0 и ß = 0). Степень, релаксации равна нулю также при намагниченности насы щения, поскольку при этом В — Bs и напряжение о не может вы*
274
звать заметного изменения Bs. Беккер и Дёринг [503] показали, что Д£ максимально при намагниченности, близкой по величине к оста точной намагниченности, и в этом случае равно
д£^0,ЗХ5 |
(752) |
|
п |
’ s |
Г Т . . |
где Xs— магнитострикция насыщения; а,- — мера остаточных микро напряжений, которые могли возникнуть благодаря предварительным деформациям или присутствию атомов примесей.
В чистых, хорошо отожженных ферромагнитных материалах един ственными остаточными напряжениями являются напряжения, воз никающие благодаря явлению магнитострикции. В этом случае о£т <=&XSEB и потому Д£ 0,3.
Зная Д£ и т, можно определить внутреннее трение, возникающее благодаря макроскопической магнитной диффузии по формуле (121). Оно будет максимальным, когда период колебаний образца сравним с т.
Для сравнительно коротких толстых образцов нельзя пренебречь размагничивающим фактором. В этом случае формула (121) пригодна лишь для грубой оценки потерь.
Кёрстен [500 ] для продольных колебаний образцов круглого се чения нашел асимптотические формулы. Если частота невелика, так что переменная часть индукции распределена по сечению образца равномерно, то
|
|
(753) |
где R — радиус стержня. Заметим, |
что такая же зависимость Q-1 |
|
от со следует и из формулы (1-21), если сот |
1. |
|
Для высоких частот, когда сот |
1, из |
формулы (121) следует |
обратная пропорциональность Q“1 от частоты со. По Кёрстену, в этом случае
зано с тем, что при высоких частотах существенные изменения по тока индукции происходят только внутри слоя, прилегающего к по верхности образца; по мере того, как частота возрастает, этот слой становится все тоньше, а потери соответственно меньше.
Внутреннее трение цилиндрических и листовых образцов из фер ромагнетиков для любой частоты рассчитал Зинер [502 ]. Например, для листовых образцов он нашел, что
^ - 1 _ ХгЕ |
shy — sin у |
' |
(755) |
4itpt/2 ' |
ch у -f- cos у |
|
Здесь
_ JWFCÖ
p
где d — толщина листа.
18* |
275 |
График QI4 (со), описываемый формулой (755), представлен на рис. 116.
По приведенным кривым легко найти частоту, при которой Q-1
имеет максимум. Для листовых образцов |
comax = 0,14p/p,d2 (для ци |
|||
|
|
линдрических вместо коэффициен |
||
|
|
та 0,14 следует брать 0,33). Имея |
||
|
|
в виду эти величины, можно легко |
||
|
|
из условия сот = 1 найти коэф |
||
|
|
фициент |
пропорциональности |
|
|
|
в уравнении (749). Для листовых |
||
|
|
образцов он равен -—1,7, для об |
||
|
|
разцов круглого сечения —4. |
|
|
|
|
Микровихревые токи |
|
|
|
|
Эти |
потери вызываются |
ло |
|
|
кальным |
изменением намагничен |
|
й>Пр для ферромагнитных |
материалов, по ности под влиянием внешних ме |
|||
Зннеру: |
цилиндрический |
ханических напряжений и возни |
||
1 — пластинка; 2 — |
кают даже в случае, когда образец |
|||
стержень |
|
|||
|
|
находится в размагниченном |
со |
|
стоянии. Известно два механизма этих потерь: обратимое смещение
границ доменов и вращение вектора /5 |
(рис. 117). |
1. При. Я = 0 положение доменной |
границы соответствует мини |
муму энергии. Если подвергнуть образец малым упругим деформа циям, то граница из нулевого по ложения сместится в положение 1 (рис. 117, а). При снятии нагрузки граница займет начальное поло жение на дне потенциальной ямы.
2. Как известно [404], растя жение вызывает ориентацию век тора Is параллельно направлению растяжения [при. положительной магнитострикции угол Ѳ умень шается (см. рис. 117, б) ] или перпен дикулярно ему [при отрицатель ной магнитострикции (Ѳ—»90°)).
Потери, обусловленные дейст вием этих двух механизмов, рас сматривались в работах [404, 500, 505—511 и др. 1. Оказалось, что
потери, вызванные действием этих механизмов, имеют одинаковую частотную зависимость. Например, Мэзон [509] для случая,, когда кристалл имеет одинаковые по размеру домены, получил следующую формулу:
ОТ1’ |
СОТ |
(756) |
/2 Г-1-(сот)2 ’ |
276
Здесь %0— начальная восприимчивость; А — функция вели чин Xlki, cik.
Ее конкретный вид определяется выбранным направлением в кри сталле. Например, для направления [111] в г. ц. к. решетке.
А = |
4 тс |
Дп |
___ 5С|4___ |
(757) |
Т |
(С4 — С12 + ЗС44 |
|||
|
|
|
|
Формула (756) справедлива для обоих рассматриваемых механизмов.
Для обратимого смещения границ доменов |
[509] |
||
= |
96x ^ Ö 1 |
(758) |
|
------------ |
|||
а для вращения вектора Is [506] |
|
||
|
2яi^ D 1 |
(759) |
|
%ь~ |
Р |
||
|
|||
Например, для никеля [509] р = 800, %ос) |
2. |
||
Размер домена D, определенный опытным путем [509], измеряли для различных образцов никеля от 2 -ІО“3 до 2 ІО“2 см. Для ука
занных значений р, хос\ D время релаксации обратимого смещения границ доменов для никеля может изменяться от 10“е до 10“4 с. Примерно в этих же пределах изменяется и хь. Поэтому максималь ные потери энергии колебаний от действия этих двух механизмов следует ожидать в районе частот 104—10б Гц.
Принимая во внимание распределение доменов по размерам в од ном кристалле, можно окончательно записать
Оз1— А |
п |
Ѵі сот;(О |
Ѵі (От,(О |
, (760) |
и |
1+ К ' ))2+ |
1+ к ° ) 2 |
||
|
. 1=1 |
|
t= l |
|
где VJV — отношение объема доменов, имеющих размер Dh к пол
ному объему; т^0, тіі) — время релаксации для доменов размера Di. Сравнение расчетных данных . [по (760) ] для .никеля с экспери ментальными, полученными в работе [512], представлено на рис. 118
При малых частотах, когда сот 1, внутреннее трение Q71 про порционально частоте.
Ктакому же заключению пришли Беккер, Мак-Коллом, Бозорт
идругие (см., например, [404]).
Результат их расчета может быть представлен формулой
Л , |
зоДдА» |
(761) |
■ОТ1= |
- - о - |
p°t
При выводе формулы (761) предполагалось, что внутренние на пряжения распределены периодически с длиной волны / и что в сред нем 0 t. меняет знак при смещении на такое расстояние. .
277
Заметим, что в формулы (756) и (760), которые были получены без учета внутренних напряжений, можно ввести а,., если принять,
что средняя начальная проницаемость равна 2/S/9A,SCT(- (см., напри мер, [404]).
Согласно выражению (761), внутреннее трение, обусловленное
микровихревыми токами, обратно пропорционально а?. В связи с этим можно ожидать, что холодная обработка металла будет при
водить к уменьшению Q r\ что действительно |
наблюдается на |
|
опыте [97, |
513—515 и'др. ]. На рис. 119 представлен результат ис |
|
следований |
Q-1 (at.) для никеля, взятый из работ |
[97, 515]. Измене- |
q~r‘Wl
Рис. 118. Частотная зависимость Q % |
Рис. |
119. |
Температурная зависи |
||
мость |
Qi |
никеля: |
|
||
никеля: |
2 — 1000° С; |
||||
1— теоретическая кривая по формуле |
/ |
— отжиг |
900° С; |
||
(760); 2, 3 — экспериментальные |
3 |
— намагничен до |
насыщения, |
||
|
V & I08 Гц |
|
|
||
ние внутренних напряжений <у{ достигалось авторами в результате предварительного деформирования образцов с последующим их от жигом при различных температурах.
На частоте порядка 103 Гц максимум Qü-1 (Т) наблюдается при ~200° С. Пик на кривой Q"1 (Т) тем выше, чем выше температура предварительного отжига. Почти нулевое затухание наблюдается для образцов, намагниченных до насыщения.
Природа максимума Q~l (Т) обсуждалась неоднократно [97, 514— 515]. Она оказалась, как показал Разумов1, более сложной, чем это предполагалось.
Магнитомеханический гистерезис
Магнитомеханический гистерезис связан с необратимым смеще нием 90-градусных границ доменов, что возможно при достаточно больших напряжениях. Время, необходимое для необратимого сме щения 90-градусной доменной стенки (скачка Баркгаузена), состав
1 Р а з у м о в В. И. Исследование аномального затухания колебаний в никеле при температуре от —480 до 360° С. Автореф. канд. дис. Воронеж, 1967.
278
ляет—10“6 с [516]. Поэтому при всех частотах ниже 10БГц не должно наблюдаться ощутимой частотной зависимости потерь этого вида.
Действительно, прямыми измерениями [504, 517, 518 и др. ] за
висимости вклада Qi"1от частоты со, которая в некоторых исследова ниях изменялась вплоть-до ~104 Гц, не обнаружена ощутимая за
висимость Qi"1от со.
Потери, обусловленные магнитомеханическим гистерезисом, можно легко оценить, если исходить из того факта, что петля магнито механического гистерезиса, связывающая напряжение с деформа цией, подобна петле магнитного гистерезиса, связывающей ин дукцию В с полем Я [516]. Для сравнительно малых напряжений эта аналогия существует и между зависимостями Е и ст, а также %и Я [404]:
Е~Х= Ео1 Ьо, Ь= d- Cda , X = %о+ сН, с = -fjjL .
По закону Рэлея [404], площадь петли магнитного гистерезиса растет прямо пропорционально третьей степени амплитуды напря женности Я о, т. е.
|
AWH = ^-cH l |
(762) |
|
Аналогично для петли магнитомеханического гистерезиса можно |
|||
записать |
|
|
|
|
т а= -і- bol |
(763) |
|
Формулу (763) иногда называют законом Акулова. |
|
||
Например, для никеля |
[516] равенство (763) имеет силу до на |
||
пряжений 2,1 МН/м2 (21 кгс/см2). |
|
||
В простейшем случае |
(см. гл. I) упругую энергию деформации |
||
Q2 |
|
|
|
можно записать в виде |
Тогда на основании соотношений (38) |
||
запишем |
|
4b£ü0 |
|
|
<?з-1 |
(764) |
|
|
Зя |
||
На рис. 120 представлены результаты исследований Qi" |
от а 0 |
||
для некоторых материалов. Как |
видно, при сравнительно |
малых |
|
[для сталей до 35 МН/м2 |
(350 кгс/см2) ] уровнях напряжения Q“ 1 |
||
действительно линейно возрастает с ростом сг0. Линейный характер
связи между Qi"1 и о0 наблюдался многими исследователями [96, 516—520 и др. ]. Но если перейти границу применимости закона (763), то величина ДЦ7СТ начинает возрастать пропорционально ст0 в сте пени, меньшей, чем третья, и, наконец, при о0, значительно превы шающих магнитомеханическую коэрцитивную силу ас, становится постоянной и равной s. Постоянная s равна площади петли механи ческого гистерезиса, для которой все необратимые процессы намагни
279
