книги из ГПНТБ / Мазель Е.З. Планарная технология кремниевых приборов

4-20.

Kurtz A. D. and Jee R. Diffusion of boron into silicon.—

«J. Appl.

Pihys.», 1960, v. 31, p. 303—305.

4-21.

Kurtz A. D., Gravel G. L. Diffusion of gallium in silicon.—

«J. Appl. iPhys.», 1968, v. 29, №

10, p. 1456—1469.

4-22.

Miller L. C , Savage

A. Diffusion of

.aluminum in single

crystal silicon.—«J. Appl. Phys.», 1956, v. 27,

i№ il2, p. 1430—1432.

4J23.

Navon D., Chernyshov V. Retrograde solubility of alumi­

num.—«J.

Apipl. Phys.», 1957,

v. 28, № 7, p. 823—824.

4-24.

Goldstein В,— «Bult. Amer. Phys. Soc.», 1956,

№ 1, p. 145.

4-25.

Tanenbaum E . — «Solid State Electronics*, 1961, № 2, p. 123.

4-26.

Vick G. L. and Whittle К. M. Solid solubility

and diffusion

coefficients оГ boron in silicon.— «J. Electrochem. Soc.»,

1969, v. 1'16,

№ 8, p. ,1142—1144.

4-27.

Okamura M. The retarded diffusion of

gallium

in silicon I,

4-28.

Kao Y. C. On the

diffusion

of

aluminum into

silicon.—

tfElectroohem. Technology*, 1967, v. 5, № 3—4,

p. 90.

4-29.

Мазель

E. 3. Мощные

транзисторы. M.,

«Энергия», 1969,

с. 1155.

4-30.

Heynes

М. S. R., Wilkerson J . Т. Phosphorus

diffusion

in

silicon ushTg

P O C i 3 — «Electrochem. Technology*,

1967,

v. 5,

№

9—

10, p. 464—467.

4-31.

Heynes M. S. R. van Loon P. G. G . — «J. Electrochem. Soc.

Electrochem. Technology*, 1969, v. 116, p. 890—893.

4-32.

Окисление,

диффузия,

эпитаксия.

Под

ред. Р.

Бургера,

Р. Доиована. Пер. с англ. М., «Млр», 1969,

с. 267.

4-33.

Duffy М. С, Foy D. W., Armstrong W. J. Diboran for

boron

diffusion

into

silicon.— «J.

E'lectrochem.

Technology*,

!1967,

v.

5,

№ 1—2, ,p. 29—33.

4-34.

Armstrong W. J., Duffy

M. C. A closed-tube

technique

for

diffusing

impurities

into silicon.— «Electrocihem.

Technology*,

1966,

v. 4, p. 475—478.

4-35.

Okamura M. Boron diffusion into silicon using elemental

boron.— «Jap. J. Appl. Phys.»,

1969, v. 8, №

12,

p. 1440—(1448.

4-36.

Scott J., Olmstead

J — « R C A Review*,

1665,

v. 26,

№

3,

p. 357—368.

4-37.

Chu

T. JL, Gruber

G. A. Doped

silica

films.— «J. Electro­

chem. Technology*, 1967, v. 5, №

1—2,

p. 43—46.

4-38. Lee D. В.—«Solid State Electronics*, 1967, v. 10, p. 623—

624.

4-39.

Kennedy D. P., O'Brien

R. R. Analysis of

the, impurity atom

distribution near

the

diffusion

mask

for

a

planar

рыг junction.—

«ШМ Journal*, 1965, v. 9, № 3, p. 179.

4-40.

Kennedy D. P., Murley P. C. .Calculations of impurity atom

diffusion

through

a narrow diffusion mask opening.— «ШМ Journal*,

1966, v. 10, № 1, p. 6—12.

4-41.

Macdonald N. C , Everhart Т. E. Scanning

electron micros­

cope

investigation

of planar diffused p-n

junction

profiles

near

the

edge

of

diffusion

mask.—«J.

Appl.

Phys.*,

4968,

v.

38,

№

9,

p. 3685—3692.

4-42.

Nakamura K. Avalanche breakdown voltages of

selectively

diffused p-n junction.—«Jap. J. AppbPhys.», 1967, v

6, № 3, p. 328—338.

4-43.

Sze

S.

M.,

Gibbons

G . — «Solid

State

Electronics*,

1966,

v. 9, № 9, p. 831—846.

4-45.

Fairfield

J .

M.,

Schwuttke

G.

H . — «J.

Electrochem. Soc.

Solid State Sciences,

1968,

v. 115,

p. 415—122.

4-46.

Fairfield

J. M., Howard J . R., Schwuttke

G. H. Stress effects

in

masking

films on

silicon.— «Eleotrochem. Technology*,

4968,

v. 6,

№

3, p. 110—112.

4-47.

Tsai

J. С. С—«Ргос.

IE ЕЕ»,

1969,

v. 57, №

9,

p. 1499—

1506.

4-48. Kooi E. Formation and composition of surface layers and

solubility

limits of

phosphorus during .diffusion

in silicon.— «J. Elec­

trochem.

Soc.»,

1964,

v. 111, N° 12, p.

1383—1387.

4-4©.

Baruch

P., Constantin C , Pfister J. C , Saintesprit R.—

«Discuss

Faradey Soc.»,

1961, v. 31, p. 76.

4-50.

Sato

Y., Arata

H.— «Jap. J. Appl. Phys.», 1964,

v. 3, p. 511.

4-51.

Nicolas

К. M.— «Solid

State

Electronics*, 1966,

v. 9,

№ 1,

p. 35—47.

4-52.

Henning

W.,

Hargasser

H.,

Glawischnig H . — «Z. angew.

Phys.»,

1969, v. 27, S. 89—92.

5-<l. Динабург M. С. Светочувствительные

диазосоедпнения

и их

применение. М., «Химия», 'I960.

5-2.

Боков

Ю. С. Фоторезисты.— «Обзоры

по электронной

тех­

нике»,

нн-т «Электротехника», 1969, вып. 56, с.

125.

5-3.

Kosar

I. Light

Sensitive

Systems. N. Y., 1969.

5-4.

Боков

Ю. С. и др. Новые

негативные

фоторезисты.— «Элек­

тронная

техника»,

1970, сер. 6, вып. 4, с. 101—d03.

5-5,

Вавилов

А. Г. Свойства

фоторезистов

на основе

циклока-

учука

с

бнсазндами.— «Обмен

опытом

в радиопромышленности»,

1971, вып. I, с. 56—61.

5-6.

Гуров

С. А. и др. Влияние

примесей

иа защитные

свойства

фоторезиста

ФП-383.— «Электронная

техника»,

1972, сер. 2, вып. 7,

свойств

позитивных

фоторезистов.— «Электронная

техника»,

11972,

сер. 2, вып. 7, с. 17—49.

—

5-8.

Калверт Д., Питсс Д. Фотохимия. М., «Мир», 1968.

5-9. llten D. F. Spectrophotometric Determination of

Photoresist

Photosensitivity.— «J. Electrochem. Soc.», 1972, v.

119, №

4,

p. 637—

539.

5-10. Горон А. Г., Боков Ю. С . — «Фотографические

характери­

стики позитивных фоторезистов на основе

о-нафтохинондиозидов.—

«Электронная техника», 1971, сер. 6, вып. 5, с. 36—40.

5-11. Middelhoek S. Projection Masking, Thin Photoresis

Layers

and

Interference Effect.— «1ВМ J. Res. Develop.*,

1970,

III,

№ 2,

p. 117—124.

5-12. Скворцов

A. M. и др. Получение

микрорясуиков

в

напы­

ленных

слоях алюминия фотолитографическим

методом.— «Вопросы

радиоэлектроники»,

1965, сер. 3, вып. 6, с. 60—65.

5-13. Малышева

Н. С. и др. Получение

щелочестойких

позитив­

ных

фоторезистов.— «Электронная техника», 1969,

сер. 6,

№

5(20),

с. 103—107.

5-14. Лубашевская А. В. и др. Исследование

свойств

раствори­

телей

позитивных

фоторезистов.—«Электронная

техника»,

1969,

.

5-41.

Пресс Ф. П., Носиков С. В. Исследование

электрографиче-

V'

ским методом

локальных дефектов в слое фоторезиста.— «Электрон­

ная техника»,

1972,

сер. 2, вып. 7, с. 50—52.

6- 42.

Лабутин

Н. И. и др. Электрографические и

электронно-мик-

5-4-3.

Looking

lor

a

Mask

Aligner.— «Circuits

Manufacturing*,

1971,

v. 11, № 2, p. 28—31.

5-44.

Гаврилкин

А. А. Фотоэлектрический

способ

совмещения

Viz

рисунков

(топологий)

фотошаблонов

и

полупроводниковой

пласта­

ны.—• «Электронная

техника», 1970,

сер. 6,

№ 3,

с. 88—100.

\УЬ

5-45.

Глазков М. М., Точицкий Я . И. Методы определения точ-

ности совмещения при фотолитографических

операциях

изготовления

полупроводниковых

приборов.— «Электронная техника»,

сер. 2,

1968,

№ 2, с. 99—107.

'5-46.

Пресс

Ф. П.,

Василевская

Л . М. О возможности

исполь­

ложкой.— «Электронная

техника»,

1972,

сер. 2,

вып. 7,

с. 64—66.

5-47.

Пресс Ф. П. Органический проявитель для позитивных фо­

1970, сер. 2, вып. 1(51),

с. il75—181.

I—11.

5-48.

Kodak

Photoresist

Seminar

Proceedings,

1968, v.

Eastman Kodak

Company, Roshester N. Y., P-192A, B.

5-49.

Bersin R. L. Automatic Plasma Machines for Stripping Pho­

toresist.— «Solide State Technob,

1970,

№

6,

p. 39—45.

5-50.

Поль P. Оптика и атомная физика. М..

1968.

5-51.

Ostrowsky

D.

В.,

Jacques

А . — «Applied

Physics

Letters*,

1971,

v. 18, № 2,

p. 556—557.

5-52.

Рубцов И. H. Интерференционные явления в

слоях

фото­

резиста.— «Электронная

техника»,

1972,

сер. 2,

вып. 7,

с. 116—120.

5-53.

Верников

М. А. и др.

Оценка

распределения

дефектов

(проколов) «а фотошаблонах.— «Электронная техника»,

1970,

сер. 2,

вып.

2, с.

219.

5-54.

Петров В. М., Пресс Ф. П. Брак

планарных

транзистор­

ных

структур,

связанный

с

фотолитографией.— «Электронная

тех­

ника», 1971, сер. 2,

вып. 6,

с.

151.

5-55.

Глазштейн Л . Я . , Пресс Ф. П. Проекционная

оптическая

зоры по электронной

технике», 1970,

вып.

7.

5-56.

Optical

Mask

Aligner.—«Electronics»,

1969,

17/11,

№

3,

p. 13Б— 14E.

5-57.

Беспутина

H. H. и др. Исследование возможностей

проек­

вов.— «Электронная

техника», 1972,

сер. 2,

вып. 7, с. 94—100.

5-58.

Jackson Т., Rowe Т. Laser Cuts Masks to Size Eliminating

Most

Errors.—«Electronics»,

1969,

№ 2,

p. 81-^84.

5-59.

Борн

M.,

Вольф

Э. Основы

оптики.

M.,

«Наука»,

1970,

с. 495—498.

6- 60.

Beesly

М. I . — «EIectronic

Letters*,

1969, №

12,

р. 257—Й58.

5-61.

Голографическое

маскирование

интегральных

с х е м . —

«Ра­

диоэлектроника за

рубежом»,

1970,

№

26,

с. 26—28.

5-62.

Thornley

R. F. М.

а. о. Electron — Optical

Masking

of

Se-

miconciuctor Structures.— «1ЕЕЕ

transaction

on

Electron. Devices*,

1970, v. ED-17, №

11, p. 961—964.

5-63. Kilcoyne M.

Fritz

R. B. Electron

Image

Projection

for

LSI

Circuits,

«Электроника»,

1971,

№

42,

стр. 9—6.

5-64.

Hatzakis

M. Electron

Resist

for

Microeircuits

and Mask

Production.—«J. Eleotrochem. Soc.», 1969, №

7,

p. 1633—1677.

5-65.

Miyauchi

S. a. o. 1С Pattern Exposure by Scanning Electron

Beam

Apparatus.—«Solide

State

Technology*,

1969, № 7, p .

43—48.

5-66. O'Keefe T. W. Fabrication of

Integrated

Circuits Using

the

Electron

Image

Projection

System

( E L I P S ) . — «1ЕЕЕ

Trans. Electron

Devices*, 1970, № 6, p. 466—469.

6- 1.

Nielsen S., Rich G. J . Preparation

of epitaxial layers of silicon

I.—«Microelectron Reliab.*, 1964, v. 3, p. 165—;170.

6-2.

Bylander E. G. Kinetics of silicon

crystal

growth

from

SiCl4

decomposition. — «J. Electrochem.

Soc.»,

1962,

v.

109,

№

12,

p. 1171—1175.

6-3.

Grove A. S. Physics and Technology

of

semiconductor devi­

ces. John Wiley and Sons

Inc. 'New

York,

London, Sydney,

1967.

6-4.

Theuerer

H. C. Epitaxial

silicon

films

by

.the

hydrogen

re­

duction of SiCU.—«J. Eilectrochem. Soc.»,

1961,

v.

108,

№ 7,

p.

649.

6-5.

Shepherd W. H. Vapor phase deposition

and

etching

of

silicon.—«J. Electrochem. Soc.»,

1965, v. 112, №

10, p. 998.

6-6. Tung S. K. The effects of substrate orientation on

epitaxial

growth.— «J. Electrochem. Soc.», 1965, v. 112,

p. 436—438.

6-7.

Miller

K. J . , Grieco M. J . Epitaxial p-type germanium

and

silicon films by hydrogen reduction

of

GeBa,

SiBr*

and

ВВгз.—

«J.

Eleotrochem. Soc.», 1963, v. '110,

№

12,

p. 1252—1256:

6-8.

Wales J . The use of electron beams in the preparation of

epitaxial

silicon films.— «Microelectron. Reliab.*, 1965, v. 4, p. 91—95.

6-9.

Handelman E. Т.,

Povilonis

E. I. Epitaxial

growth

of

silicon

by vacuum sublimation.— «J. Electrochem. Soc.»,

1964,

№

2,

p. 201—

206.

6-10.

Thomas R. N., Francombe

M. H. Low temperature

epitaxial

Экспресс-информация

«Электроника»,

1969, № 12, с. 31—37.

7-43.

Моряков О. С. Производство

корпусов полупроводниковых

приборов. М., «Высшая школа», 1968.

7-44.

Postlethwaite

A. W . — «Solide

State TechnoU, 1970, p. 67—

70.

7-45.

«Electronic Packaging and Productions, 1969, v. 9, № 12,

ser. 1, p.

64—70.

Предисловие

3

®

Г Л А В А П Е Р В А Я

О С Н О В Ы ПЛАНАРНОЙ ТЕХНОЛОГИИ

1-1.

Краткий

обзор

развития технологических методов . . .

6

1-2.

Типовая

схема

пленарного

технологического

процесса . .

12

1-3. Особенности

планарной технологии и

перспективы

ее раз­

вития

•

,

22

Г Л А В А В Т О Р А Я

ОБРАБОТКА

ПОВЕРХНОСТИ

КРЕМНИЯ

2- 1. Требования,

предъявляемые

в

планарной технологии

к обработке

пластин

кремния

27

2-2.

Принципы

механический обработки кремния . . . .

30

2-3.

Технология резки, шлифовки и полировки пластин кремния

36

2-4.

Механизм

химической обработки

кремния

41 •

2-5.

Технологические приемы химической и электрохимической

обработки

пластин кремния

5 0 '

2-6.

Газовое

и

ионное травление

кремния .

. . . .

55

2-7.

Загрязнение

поверхности

кремния

и способы

очистки,

используемые в

планарной

технологии

66

Г Л А В А Т Р Е Т Ь Я

М А С К И Р У Ю Щ И Е И ПАССИВИРУЮЩИЕ

С Л О И

НА

ПОВЕРХНОСТИ

КРЕМНИЯ

3-1.

Основные функции, выполняемые маскирующими и пасси­

76

вирующими

слоями на поверхности кремния . . . .

3-2.

Получение

на

поверхности

кремния

слоев

Si0 2

методом

77

термического

окисления

3-3.

Другие

методы

получения

слоев

Si0 2 на кремнии . .

89

3-4.

Свойства слоев

Si0 2 „

нанесенных на

поверхность

кремния

97

3-5.

Получение,

свойства

и использование

в планарной техно­

3-6.

логии слоев

Si3 N4

.

116

Использование

в планарной технологии других изолирую­

щих слоев

•

126

4- 1. Основные процессы,

определяющие диффузию

примесей .

130

4-2.

Уравнение

диффузии

и его основные решения

. . . . '

134

4-3. Причины,

влияющие

на распределение примесей при диф­

фузии в реальных условиях

143

4-4.

Данные о коэффициентах диффузии примесей в кремнии

154

4-5.

Методы осуществления диффузии в планарной технологии

161

4-6.

Выбор примесей и методов диффузии для решения кон­

кретных задач планарной технологии

186

характером

в планарной

технологии

179

4-8. Особенности

создания планарных высокочастотных

струк­

тур

•

184

Г Л А В А

П Я Т А Я

5- 1. Сущность фотолитографического метода

и его

роль в

пла­

нарной

технологии

189

' 5-2. Физико-химические

свойства

фоторезистов

и

процессы,

протекающие при

их

обработке

190

5-3.

Основные зависимости, характеризующие

фотолитографи­

ческий

процесс

208

5-4.

Практическое

осуществление

фотолитографического

про­

цесса

218

5-5.

Специфические

особенности

фотолитографии

планарных

приборов

•

244

5-6.

Перспективные

методы создания изображений . . . .

256

Г Л А В А Ш Е С Т А Я

ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ

ВЫРАЩИВАНИЕ

КРЕМНИЕВЫХ

СЛОЕВ

6- 1. Основы

процесса

эпитаксиального

выращивания . . .

264

6-2.

Хлоридный метод

выращивания эпитаксиальных

слоев .

266

6-3.

Другие

методы

выращивания

эпитаксиальных

слоев

на

кремнии

275

6-4.

Методы

легирования

эпитаксиальных слоев . . . .

279

6-5.

Дефекты, возникающие при выращивании

эпитаксиальных

слоев

292

6-6.

Пути практического

использования

и перспективы разви­

•

295

тия эпнтаксиальной технологии

Г Л А В А С Е Д Ь М А Я

ЗАКЛЮЧИТЕЛЬНЫЕ ОПЕРАЦИИ ПЛАНАРНОГО

Т Е Х Н О Л О Г И Ч Е С К О Г О П Р О Ц Е С С А

7- 1. Обзор способов сборки планарных приборов . . . .

306

7-2.

Создание омических контактов к пленарным структурам

309

7-3.

Разделение пластин

со структурами на

кристаллы . .

326

7-4.

Методы

монтажа

кристаллов

в корпус

и

присоединения

выводов

'

330

7-5.

Герметизация

•

340

планарных приборов

Г Л А В А В О С Ь М А Я

ВИДЫ БРАКА И МЕТОДЫ

КОНТРОЛЯ

В ПЛАНАРНОЙ ТЕХНОЛОГИИ

8- 1.

Основньге источники и виды брака

350

8-2.

Вопросы организации контроля в планарной технологии

356

8-3.

Методы

контроля

технологических

операции . . . .

360

Список литературы

368