Добавил:

ivanov666 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Башкирский Государственный Аграрный Университет

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

книги из ГПНТБ / Мазель Е.З. Планарная технология кремниевых приборов

.pdf

Скачиваний:

Добавлен:

25.10.2023

Размер:

15.28 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 3637 / 3937 38 39 > Следующая >>>

Электрические свойства диффузионных переходов контролируют выборочно зондовыми устройствами.

Контроль качества фотолитографии в основном стро ится на визуальных методах. Применяемые для этого микроскопы должны обеспечивать достаточное увеличе

ние и иметь измерительные	устройства (типа	окуляр-ми
крометра МУВ-1-15). Микроскопы следует		аттестовать,
т. е. снабжать таблицей погрешностей для		разных ди
апазонов увеличения. При	выборе увеличения можно

руководствоваться простым правилом: в минимальном измеряемом размере должно укладываться не менее

шести делений	шкалы	измерительного	устройства.
Информация о	методике	контроля закладывается		уже
на стадии конструирования фотошаблонов.			На	фото

шаблонах следует предусматривать специальные указа тели,— например пропущенные структуры. С помощью этих указателей легко найти контролируемые элементы (при этом надо помнить, что изображения на фотошаб лоне и пластине зеркальны относительно друг друга). На фотошаблонах также предусматривают специальные структуры, позволяющие проверять разрешающую спо собность и точность совмещения. В начале работы с но вым комплектом фотошаблонов обычно надо проверять, насколько хорошо совмещаются шаблоны. Для этого на контрольных пластинах последовательно осуществляют операции фотолитографии каждым фотошаблоном и из меряют величины зазоров у вписанных друг в друга элементов или отметок совмещения. Такая методика позволяет определить не только среднюю ошибку совме щения, но и характер распределения ошибок по пла стине.

Помимо микроскопов, при контроле процессов фото литографии необходимы микроинтерферометр для изме рений толщины слоя фоторезиста, устройство для конт роля краевого угла смачивания подложек каплей воды и устройство для контроля дефектов в слое -фоторези ста, например, методом электрографии. Важно под черкнуть, что контроль фотолитографии должен выпол няться в основном до стадии травления, чтобы иметь возможность исправить обнаруженный брак.

Контроль толщины напыленных металлических пле нок для контактов обычно осуществляется в процессе напыления. Для этой цели в напылительной установке предусматривают тестовое устройство с двумя электро-

365

дами, с помощью которых непрерывно измеряется со противление напыляемой пленки; по достижении задан ного номинала процесс автоматически прекращается. Предварительно надо убедиться, что пленка напыляется равномерно на всю рабочую и тестовую поверхности. Гораздо сложнее проконтролировать структурные свой ства пленок и связанные с ними поверхностные свойст ва. Некоторую информацию о поверхностных свойствах

дают измерения краевого угла смачивания каплей				воды.
О	структуре	пленки	и, в частности, о том, ие	попал
ли	в пленку	материал	испарителя, можно судить	в ка

кой-то степени по скорости ее травления. В целом, одна ко, эта область контроля требует разработок новых эф фективных методов.

С операцией создания контактов связано еще одно обстоятельство: после вжигания металлизации возни кает большое количество бракованных структур. Для борьбы с подобным явлением необходима организация выборочного контроля электрических характеристик структур до и после вжигания контактов.

Пластины с готовыми структурами контролируют зондовыми устройствами. • Эти трудоемкие измерения в последнее время становятся все более автоматизиро ванными. Шаг автоматического измерителя может ме

няться в пределах от	0,1 до 10 мм; точность установ
ки зондовой головки	составляет ± 5 мкм. Структуры с

плохими вольт-амперными характеристиками маркиру

ются специальными чернилами	или магнитной краской;
в последнем случае облегчается	разбраковка кристаллов.

После разделения пластины на кристаллы произво дится контроль кристаллов по внешнему виду: с помо щью микроскопа проверяют наличие сколов кристалла, повреждение металлизации, нарушение формы кристал ла и т. д.

Контроль качества сборочных операций играет осо бо важную роль в планарной технологии, поскольку именно с этими операциями связана значительная доля отказов приборов при эксплуатации. Качество напайки структур на основание корпуса, имеющее исключитель но серьезное значение для мощных приборов, проверяют выборочно, путем отпаивания кристаллов и изучения качества образованного спая по всей площади кристал ла. Хорошими способами контроля являются также из мерения теплового сопротивления приборов и трениров-

366

ка их в режиме перегрузок по мощности рассеяния на коллекторе (примерно в 1,5 раза по сравнению с номи нальной). Контроль термокомпрессионной сварки сле дует начинать с проверки качества используемой про волоки. У проволоки выборочно измеряют диаметр и величину прочности на разрыв. Далее необходимо тща тельно проверять температуру при термокомпрессии. Собранные структуры контролируют на прочность термокомпрессиоиных соединений. Для этого пригодно центрифугирование или другие способы нагружения вы водов, например посредством струи воздуха с калибро ванным напором. Рекомендуется выборочно проверять соединения на отрыв, скажем, с помощью граммометров. С помощью микроскопа контролируют внешний вид термокомпрессионного контакта, отмечая такие виды брака, как пережим проволоки (слишком большая сте пень деформации), смазывание металлизации, закоротки с соседним контактом и т. д.

Качество герметизации готовых приборов проверяет ся .различными методами, основанными на проникнове нии жидкости или газа .сквозь дефекты корпуса; поры и трещины в стекле, непрочный спай металла с метал

лом.	В	частности, приборы	выдерживают в жидкости
или	в	камере влаги при	повышенной температуре и

определяют изменение электрических характеристик или применяют герметизацию в среде, содержащей гелий, с последующим контролем утечек газа при помощи течеискателя.

Готовые приборы проходят серию технологических испытаний. Испытания на механическую прочность зак лючаются в том, что приборы подвергают ударным ускорениям до 1 ООО g, вибрационным нагрузкам в диа пазоне частот, постоянным ускорениям. Климатические испытания проводятся в камерах влаги при температуре 40°С и при влажности .98%. Приборы испытывают на воздействие термоциклов, заключающихся в быстрой смене температуры; от — 6 0 до +Т20 °С; кроме того, на крайних температурах проверяют работоспособность приборов. Наконец, важным видом испытаний, позво ляющим отбраковать потенциально ненадежные прибо ры, являются термо- и электротренировки, когда прибо ры в течение длительного времени хранятся при повы шенной температуре или работают в номинальном или повышенном режиме.

367

				С П И С О К Л И Т Е Р А Т У Р Ы
	U\.	Маслов А. А. Электронные полупроводниковые							приборы. М.,
«Энергия»,			1967.
	1-2. Брук В. А., Гаршенин В. В., Курносое А. И. Производство
полупроводниковых приборов. М., «Высшая школа», 1968.
	1-3.	Зеликман Г. А., Мазель Е. 3., Пресс Ф. П.,						Фронк		С. В.
Полупроводниковые кремниевые диоды и триоды. М.									«Энергия»,
1964.
$S	1-4.	Гаврилов		Р. А., Скворцов А. М. Технология				производства
полупроводниковых приборов. М., «Энергия», 1968.
	1-5.	Frosh С,		Derlck	L . — «J. Eleotrochem. Soc.»,				1957,	v. 104,
p.	547.				др. Кремниевый р-п-р
\,	il-6.	Верников		M. А. и			пленарный			тран
зистор		с	эпитаксиальнон		базой.— «Электронная		техника»,			1969,
сер. 2, вып. 6(49),				с. 22—41.
	1-7.	Сэк. Рациональный метод контроля процесса							изготовления
ИС.— «Зарубежная электронная						техника», 1970, № 5, с. 57—67.
	1-8.	Галстян В. Г., Носиков				С. В., Пастушков	В. В.,		Пресс Ф. П.

vПрименение растрового электронного микроскопа для исследования дефектов диэлектрических пленок и полупроводниковых структур.—

«Радиотехника и электроника», 1972, т. XVII, № 9,					с.	19И—1919.
1-9. Петров	В. М., Пресс Ф. П. Критические области					в	планар-
u ных транзисторах.— «Электронная		техника»,		1972, сер. 2,			вып.	1.
с. 148—156.
il-Ю. Валиев	К. А. и др. Цифровые		интегральные			схемы		на
МДП транзисторах. М., «Советское		радио»,	1971.
I - 11. Интегральные схемы. Основы проектирования и техноло
гии. Под ред. К. И. Мартюшова. М., «Советское радио»,						1970.
II12. Наумов Ю. Е. Интегральные логические схемы. М., «Со
ветское радио»,	1970.
1-13. Hope D. Contamination		Problems		in the	Semiconductor
Industry.— «Environmental Engineering®, 1968, VXI, № 35, p. 9—12.
1-14. Куприянов И. П. Технологическая				гигиена	на	предприя
тиях зарубежной электронной промышленности. М., «Советское ра
дио», 1967.
1- 15. А. Рот. Чистые комнаты.— «Зарубежная электронная тех
ника», 1971, № 2, с. 79—85.
!1-;16. Бюргер, Донован. Прогноз развития технологии интеграль
ных схем к 197.7 г.— «Зарубежная		электронная техника»,				1970, № 5,

сз д

2JL Brecken R. К-— «Electro-Technology», 1969, v.	83, № 5,
p. 43—50.
2-2. Шашков Ю. М. Выращивание профилированных монокри
сталлов.— «Итога наук», сер. Металлургия, ВИНИТИ,	1965.

368

2-3. Степанов А. В. Выращивание кристаллов определенной фор

мы.—«Известия АН		СССР, сер. физич.»,		1969,	№ 2,	с. 1146—1153.
2-4. Tucker Т. N. Topography of silicon web crystal surfaces.—
«Bleotroohem. TedinoJ.», 1956, 4, № 11—<12, p. 546—549.
2-5.	Бардин A. H. Технология оптического				стекла. M., «Высшая
школа»,	1963.
2-6.	Винокуров В. М.		Исследование	процесса		полировки на
стекле. М., «Машиностроение», 1967.
2-7.	Preston F. W. The structure of obraded glas surfaces.—
«Trans. Opt», 1921, 23, p.			141 — 164.
2-8. Григорьева Л. Ф. Исследование процесса шлифовки моно
кристаллов германия		н	кремния.— «Вопросы		радиоэлектроники»
1960, сер. II, вып. 2.
2-9. Капустина Т. П. и др. Строение поверхностного слоя шли
фованных пластин кремния и германия.— «Известия						вузов, Прибо
ростроение», .1964, № 7, с. .10—'15.
2-10.	Енишерлова	К. Л. .и др. Повышение			качества поверхност

ного слоя при доводке хрупких материалов в полупроводниковой

промышленности.— «Электронная	техника», 1969,	сер.	2, вып 6,
с. 190—201.
2-11. Mendel Е. Polishing of	silicon.— «Sem.	Prod,	and	Sol.
State Technol.*, 1967, № 1.
2-12. Mendel E. Chemical-mechanical polishing of silicon.— «Solid
State Technob, 1970, № 1, p. 42—46.
2-13. Формообразование оптических поверхностей.— Сб.				статей
под ред. Куманина. М., Оборонгиз,	1962.

2-'14. Пундур П. А., Зейля Р. Н. Эффект Тваймана при изготов лении кремниевых приборов планерной технологии.— «Обмен опы том в электронной промышленности», 1967, вып. 5, с. 41—42.

2-15. Рыжков Д. И., Шейход Л. Г. Шлифование полупроводни ковых материалов инструментами из синтетических алмазов в свя занном состоянии.— «Электронная техника», 1967, сер. 10, вып. 3(28), р. 3—17.


2-16.	Jensen Е. W. Polishing			silicon wafers.— «Solid State	Tech
nology*, 1967, 10, № 2, p. 19—24.
2-17.	Капустина Т. П., Машехин В. Т. Деформация тонких					\
пластин	кремния	при	механической обработке.— «Известия		вузов.	^
Приборостроение»,		1967, № 6, с		М2—ill4.
2-18.	Куклева 3. А. Получение полупроводниковых поверхностей					/
германия	и кремния		без трещиноватого слоя.—• «Оптико-механиче-			»

екая промышленность», 1965, № 3, .р. 37—39.

2-19. Mayburg. Optimum abrasive sizes for minimizing the po lishing times of semiconductors.—«J. Electrochem. Soc.», 1-969, v. 116,

(й-20] Антропов А. И. Теоретическая электрохимия. M., «Высшая школа», 1969.

2-21. Ефимов Е. А., Ерусалимчик И. Г. Электрохимия германия и кремния. М„ ГХИ, 1963.

2-22. Ефимов Е. А., Ерусалимчик И. Г., Соколова Г. П. Элек трохимическое поведение кремниевого электрода в растворах окис

лителей. — ЖФХ,	1964,	XXXVIII,	№ 9, с. 2172—2175.
'2-23. Sullivan	М.	а. о.— «J.	Electrochem. Soo>, 1963, v. ПО,
p. 412.
24—224			369

2-24. Ефимов Ё. А., Ёрусалимчик Й. Г. Химическая и электро-

химическая полировка германия и кремния.— «Электронная						техника»,
1969, сер. '2, вып. 4, с. 223—243.
2-25. Bogenshutz		а. о.—«J.	Electrochem.	£oc.»,	1967,	v.		114,
p. 970—973.
2-36.	Rosvold W. C. Patent USA, № 3486892 (dek), 1969.
2-27.	Finne R. M., Kleine S. L. A water-amine-complexing						agent
system	for etching	silicon.— «J.	Electrochem.	Soc.»,	1967,		№	9,

p.965—970.

'2-28. British Patent № 896.669 (May 1962)

2-29. Greenwood J . Ethylcne-diamine-catechol-water					mixture shows
preferential etching	of	p-n junction. — «J. Electrochem Soc.», 1969,
116, p. 1325^1326.
2-30. Файнштейн		С. M. Обработка		поверхности	полупроводни
ковых приборов. М., «Энергия»,			1970.
2-31. Fairhurst	К. М., Rich		G. J . A	chemical polish method for

the preparation of silicon substrates for epitaxial deposition.— «Mlcro-

electr and Reliab.*, 1966, v. 5, p. 15—18.
2-32.	«Eleotronics», 1969, 42, № 10, p. 112—115.
2-33.	H. J . A. van Kijk, K. de Jonge. Preparation						of	thin	silicon
crystals	by electrochemical thinning of epitaxially grown							structure.—
«J. Electrochem. Soc.», 1970, № 4, p. 553—554.
2-34.	Waggener		H. A. Electrochemically		controlled			thinning		oT
silicon.—«Bell Syst.			Techn. J.», 1970, 49,	№	3, 473—475.
2-35.	Theunissen		M. J . J . Application	of	preferential			electroche
mical etching of		silicon.— «J. Electrochem		Soc.»,		1970,	v.	117,	№ 7,
p. 959—965.
2-36.	Rosvold	W. С. а. о.— «ШЕЕ Trans.»,				1968,	ED-15,		p.	640.
2-37.	Archer	R. J — « J . Phys. Chem. Solids»,				1960,	v.	14,	p.	104.
2-38.	Ефимов	E. А., Ёрусалимчик И. Г.,			Ермолаева Г. И. Выяв

ление р-п переходов на кремнии химическим методом.— «Вопросы

радиоэлектроники»,

1962, сер. И, вып. 2, с. 26—28.

2-39.

Nicolai

I. F. Junction

delineation

and dislocation

revealing

silicon

by the

H I O 4 — H F — H 2 O

system.— «Solid State

Electro

nics*,

1969, v. 12, p. 446—448.

2-40.

Robbins

H . — «J. Electrochem. Soc.»,

1962, v.

109,

63.

2-41.

Whoriskey

P. J . J . — «Appl. Phys.», 1958, v. 29,

867.

2^2.

Silverman

S. J., Benn

D. R . — «J. Electrochem. Soc.»,

1958,

v. 105, p.

170—172.

2-43.

Мямлин

В. А., Плесков

Ю." В. Электрохимия

полупровод

ников. М., «Наука», 11965.

•2-44.

Gregor

V. а. о. Vapor-phase

polishing

silicon

with

H 2

— H B r

gas mixtures.—«IBM Journ.», 1965, v. 9, № 4, p. 327—332.

2-45.

Dismukes

I. P.,

Ulmer

R . — «J.

Electrochem.

Soc.»,

1971,

v. 118, № 4, p. 634.

2-46.

Chu T. Z.,

Tallman

R. Z . — «J.

Electrochem.

Soc.»,

1964,

I l l , p. 1ТЗО6.

2-47.

Угай Я . А. и др. Проблема

газового травления

поверх

ности

полупроводниковых

материалов.— «Электронная

техника»,

1970, сер. 12, № 4, с. 50—57.

Гог

2-48. Rai-Choudhury P., Noreika A. J . Hydrogen sulfide as etchant

silicon.— «J. Electroohem. Soc.», 1969,

116, №

p. 539—541.

2-49.

Rai-Choudhury P.—«J. Electrochem.

Soc.»;

1971,

118,

№

2, p. 266.

370

2-50.

Oldham W. G., Holmstram

R. The

growth and etching of

through windows in Si02 .— «J. Electrochem. Soc.»,

1967,

v. M4,

№ 4, p. 301—388.

2-51. L a n g

G. A., Stavish

Т.—«RCA

Rev.», 1963, 24, p. 488—498.

2-52.

Chu T. Z. a. o. Situ

etching

silicon

substrates

prior

epitaxial

growth — «J. Electrochem. Soc.»,

1966,

v. 1'13, № 2, p. 156—

158.

2-53.

Орион Б. В., Скворцов И. М., Кожитов Л . В. Газовая по

лировка

кремния.— «Обзоры

по электронной технике», ин-т «Элек

троника», 1971, вып. № 8(307).

2-54.

Tsui

R. Т. С. Ion

etch technique and its applications.—

«Solkl Stale Teohnob, 1967, Dec, p. 33—38.

2-55.

KIoss

F., Herte L. Advanced iin R. F. Induced plasma sput

tering. «Solkl State

Technol.»,

1967, p. '45—48.

2-56.

Белановский А. С.

Адсорбция и десорбция на

поверхности

полупроводников.— «Обзоры

по электронной технике», вып. 58(127),

ин-т «Электроника», М., 1969.

2-57.

-Kern W. Radiochemical study

semiconductor

surface

contamination.—«RCA Review*, June, 1970, p. 207—263.

2-58.

Kern W., Puotinon

P. Cleaning solution based on hydrogen

peroxide

for use ,in silicon semiconductor technology.— «ROA Review*,

June, 1970, v. 31.

2-59.

Schmidt

H.— «Solid

State Electron.*,

1968,

NN,

№

p. 827—832.

2-60.

Л у ф т

Б. Д., Шустина

А. Л . Очистка

деталей

электрон

ных

приборов. М., «Энергия»,

1968.

2-61.

Yurash В., Deal В. Е. A method for defermining solid con

tent

of semiconductor processing

materials.— «J. Electrochem. Soc.»,

1968, v. 115, № li , p. 1191—M95.

2- 62.

Mills

A. R. Reverse

osmosis

for

purification

water.—

«Solid State Technol.», July, August, >1970, p. 4'1, p. 71.

3- 1. Окисление,

диффузия,

эпитаксня.

Под

ред.

Р.

Бургера,

Р. Донована. Пер. с англ. М., «Мир»,

1969.

3-2.

Ligenza J . R. Oxidation of silicon by high pressure steam.—

«J. Electrochem. Soc.», 1962, v. '109, p. 73—76.

3-3. Deal В. E. and Grove

A. S. General

relationship

foT the

thermal oxidation of silicon.— «J. Appl. Phys.»,

1965, v. 36,

p. 3770.

3-4.

Ligenza J . R. Effect

of crystal orientation on oxidation rates

silicon in high

pressure steam.— «J. Phys.

Chem.»,

1961,

65,

2011.

Cabrera N. and Mott

N. F. Theory of the oxydation

of me

3-5.

tals.—«Rep. Progr. Phys.», 1948, v. 12, p.

163.

3-6.

Bishop

B. A. and Hogarth C. A. The thermal

oxiidation

silicon using wet oxygen.— «Int. J. Electronics*,

1967,

v. 22,

№

p. 455—460.

3-7. А ж а ж а

Э. Г. Особенности термического

выращивания пле

нок

с изменением

влажности

окислительной

среды.— «Электронная

техника. Полупроводниковые

приборы»,

1968,

вып. 3(41),

68—72.

3-8.

Revesz

A. G. and Evans R. J . Kinetics

and mechanism of

thermal oxidation of silicon with special emphasis on -impurity effects.—«J. Phys. Chem. Solids», 1969, v. 30, № 3, p. 551—564.

3-9. Gulbransen E. A., Andrew K. F., Brassart F. A. Oxydation of silicon at high temperatures and low pressure under flow conditions and the vapor pressure of silicon.— «J. of the Electrochem. Soc.», 1966, v. '113, № 8, p. 834—837,

24*

371

3-10. Oroshnik	J., Kraitchman J . Pyrolytic		deposition ol	silicon
dioxide in an evacuated		system.— «J. Eleclrochem. Soc.», 1968, v. 115,
№ 6, p. 649—652.
3-11. Воронков	N1.	Г., Осокин Ю. В.,	Тулуевский	В. М.,

Грель П. С. Осаждение пленок двуокиси кремния пиролизом тетра-

ацетоксисилана	и	олпгоперацетоксисилоксанов.— Сб.				«Электронная
техника», 1970,	«Полупроводниковые			приборы»,	сер.	2,	вып.		1,
с. 168—174.
3-12. Арсламбеков В. А.~ Горбунова К. М., Каратаева							В. И. По-
V лучение пленок Si02 гидролизом SiF/,.—«Неорганические							материа
лы», 1970. т. 6, № 9, с. 1625—1629.
3-13. Hart Р. В. Oxide deposition in silicon epitaxial							systems.—
«Eleotrochemical	Technology*, 1967, v. 5, № 7—8,				p. 365—367.
3-14. Swann R. C. G., Pyne A. E. The preparation and properties
of silica films deposited from silane				and carbon dioxide.— «J. of					the
Electrochem. Soc.», 1969, v. 116, № 7, ip. 10'L4—1017.
3-15. Sinclair		W., Peters	F. G. Preparation of		oxide glass			films
by reaction sputtering.— «J.			Amer. Ceramic Soc.»,		1963,	v. 46,		p.	20.

3-16. Valetta R. M., Perri J . A., Riseman J. Reactively sputtered silicon dioxide films.— «Eleotrochem. Technology*, :1966, № 7—8, p. 402—406.

3-17.

Jackson G. M., Sputtering R. F . — «Solid State Films»,

1970,

v. 5, № 4, p. 209—246.

3-18.

Schwartz G. and Jones R. Argon

content

SiOj

films

deposited

by R. F. sputtering in argon.— «IBM

J .

Res.

Develop.»,

1970, v. 14, № 1, p. 52—60.

3-19.

Dreiner.—«J. Electrochem. Soc.», 1966, v. 113,

p. :1210.

3-20.

Nannoni R., Musselin M. J. Anodic oxidation of silicon.

Effects

water on oxide

properties.— «Thin

Solid Films*,

1970, v. 6,

p. 397—406.

3-21.

Ligenza

J. R., Kuhn

M. DC arc anodic

plasma oxidation —

a new

vacuum process for

solid state device

fabrication.— «Solid

State Technology*. December 1970, p. 33—38.

3-22.

Mai Ch. Ch., Looney J . C. Thermal

growth and

chemical

etching

of silicon

dioxide

films.— «Semicond.

Prod,

and

Solid

State

Technology*, 1966, № 1, p. 19—24.

3-23.

Fitzgibbons W. A., Kloffenstein Th., Busen К. M. The effect

of a silicon-boron phase on

thermally grown

silicon oxide

films.—

«J. Electrochem. Soc.», 1970, v. 117, № 2, p. 272—274.

3-24.

Toshiba

develops

iperfect

crystal

technology.— «Design

Electronics*, 1971, v. 8, № 6, p. 8—9.

3-25.

Cheroff

G., Fang

F., Nochberg F. Effect of

low

temperature

annealing

on the

surface

conductivity

of Si

Si — Si02 — Al

sys

tem — «IB M Journ.*, 1964, v. 8, p. 416.

3-26. Balk P., Burkhardt P. J . , Gregor L. V. Orientation depen dence of built in surface charge on thermally oxidized silicon.— «Ргос. ЪЕБЕ» (correspondence), 1965, v. 53, p. 2133.

3-27. Deal В. E., Sklar M., Grove A. S., Snow E. H. Characte ristics of the surface-state charge (Qss) of thermally oxidized sili con.— «J. Electrochem. Soc.», 1967, v. 114, № 3, p. 266.

3-28. Iwauchi Shigeki, Toshio Tanaka. Characteristics of Si — Si02 structures formed by DC reactive sputtering.— «Jap J. Appl. Phys.», 1968, v. 7, № 40, .p. 1193—1201.

372

3-29. Kerr D. P., Logan J. S., Burkhardt P, J., Pliskin W. A. Stabilization of S4O2 passivation iavers with P2 05 .— «LBM Journ.»,

1964, v. 8, l№ 4, p. 376—384.

3-30.	Balk P., Eldridge J. M.	Plio эр hosilicate glass stabilization
of BET devices.—«Ртос. I E E E * ,		1969, v. 57, № 9, p. 1558—1563.
3-31.	Goetzberger A. Improved	properties of silicon dioxide layers

grown under bias.—«J. Electrochem. Soc.», 1966, v. T13, № 2, p. 138— 141.

3-32. Swann R. C. G. a. 0. The preparations and properties of thin 'film silicon-nitrogen compound produced by a radio frequency glow discharge reaction.— «J. E'lectroohem. Soc. Solid State Science*, 1967, v. 114, № 7, p. 7-12—717.

3-33. Takuo Sugano, Katsumi Hirai, Koidu Kurowa, Koitiro. Vapor

deposition of silicon nitride film on			silicon and properties of MNS
diodes.— «J.ap. J. Apipl. Phys.s, Febr.,			1968,	p. .122—127.
3-34.	Doo V. Y., Nickols	D. R„ Silvey		G. A. Preparation and pro
perties of	pyrolytic silicon	nitride.— «J.		Electrochem. Soc.», 1966,
v. 1'13, №	12, p. '1279—1281.

3-35. Chu T. L., Lee С. H., Gruber G. A. The preparation and properties of amorphous silicon nitride films.— «J. Electrochem. Soc. Solid State Science*, '1967, v. 114, p. 717—722.

3-36. Grieco M. J., Worthing F. L., Schwartz B. Silicon nitride thin films from SiGU plus NH3 : Preparation and properties.— «J. Bleclrocibem. Soc. Solid. State Sciences, 1968, v. 115, № 5, p. 525— 530.

3-37.	Hu S.	M., Gregor	L. V. Silicon nitride films by		reactive
sputtering.— «J. Electrochem. Soc. Solid State Sciences, 1967,					v. T14,
№ 8, p. 826—833.
3-38.	Hu S.	M. Properties of amorphous		silicon nitride	films.—
«J. of the	Electrochem. Soc.»,		1966, v. 113, №	7, p. 693—698.

3-39. Yu Kinori Ruwano. Some properties of silicon nitride films produced by radio frequency glow discharge reaction of silane and nitrogen.—«Jap. J. of Appl. Phys.», 1969, v. 8, № 7, p. 876—882.

3-40. W. van Gelder and Hauser V. E. The etching of silicon nitride in phosphoric acid with silicon dioxide as г mask.— «J. Elec trochem. Soc. Solid State Sciences, 1967, v. 114, № 8, ip. 869^872.

3-41. Woitsch F. Silicon nitride etching.— «Solid State Techno logy*, 1968, № 1, p. 29—31, 38.

3-4-2. Doo V. Y. Silicon nitride, a			new diffusion		mask.— «ШВЕ
Transactions on		Electron Devices*, d966,	'№ 7, p. 661—563.
3-43.	Franz	I., Langheinrich W. Silicon nitride as			a	mask	in in
dium—diffusion.— «Solid State Electronics*,				1969,	v.	112,	№ 1,
p. 61—64.
3-44.	Brown	D. M., Grey P. V., Henmann		F. K-, Philipp			H. R.
Properties	of SixOy Nz films on Si.— «J. Electrochem. Soc. Solid State
Sciences,	1968, v. 115, № 3, p. 311—317.
3-45.	Багдасаров X. С., Воробьев Л. В., Маркарянц А. Е., Мар-

карянц Э. А., Федоров Е. Ф. Диэлектрические свойства тонких пле нок АЬОз.— «Электронная техника. Материалы», 1970, вып. 2, с. 72—75.

3-46. Duffy М. Т., Revesz A. G. Interface properties of Si(Si0 2 ) — А'ЬОз structures.— «J. Electrochem. Soc. Solid State Science*, 1970, v. 1'17, № 3, p. 372—377.

373

3-47. Revesz A. G. Some	aspects of structure sensitive properties
of semiconductor — insulator	Interface systems.— «J. of the Vacuum
Science and Technology*, 1969, v. 6, ip. 596.
3-48. Japanese passivate	Si transistors at lower temperature.—
EDN, 1968, v. 13, № 5, p. 33.
3-49. Kern W., Heim R. C. Chemical vapor deposition of silicon
glasses for use with silicon	devices.— «J. of the Electrochem. Soc.
Electrochem. Technology*, 1970,.v. 117, № 4, p. 5G2—572.
3-50. Brown D. M. a. o. Refractory metal silicon device technolo
gy.— «Solid State Electronics*, 1968, № 12, p. ,1105—1112.
4- 1. Smits F. M. and Miller R. C. Rate limitation at the surface
for impurity diffusion .in semiconductors.— «Phys. Rev.*, 1956, № 5,
p. 104.
4-2. Болтакс Б. И. Диффузия в полупроводниках. М., Физмат-
гнз, 1961.
4-3. Reiss, Fuller С. S. Diffusion (processes iin germanium and si
licon.— ^Semiconductor*, 1959, № 4.
4-4. Millea M. F. The effect of heavy doping on the diffusion of

impurities in silicon.— «Phys. Cham. Solids*, 1966, v. 27, p. 315—325.

4-5.

Smits

F. M. Formation of junction structures by solid — state

diffusion.—«Ргос.

I R E * , 1958, 46, № 6, ,p. 1049—1061.

4-6.

Schelley

A. V., Tredgold

R. H. The Influence of donor-accep

tor 'pair formation

and space charge on the fabrication of p-n junctions

by diffusion.—«Solid

State Electronics*, 1970, v.

13-, № 9, p. 1219—

1222.

Prussin

S. Generation and distribution of dislocations by

4-7.

solute.—«J. Appl. Phys.», 1961, v. 32, p. 1876—1881.

4-8.

Parker

J . — «J. Appl. Phys.», 1967, v. 38, № 9, p. 3471—3475.

4-9.

Thai

N. D. Anomalous

diffusion

semiconductors — a

quantitative analysis.— «Solid

State Electronics*, 1970, v. 13, № 2,

p. 165—172.

M. C , Barson

F., Fairfield J . M. and Schwuttke G . H.

4-10.

Duffy

Effects of high

phosphorus concentration on diffusion into silicon.—

«J. Electrochem. Soc. Solid State

Science*,

1968, № >1, p. 84—88.

4-11.

Nicholas К. H. Studies of anomalous

diffusion

of impurities

in silicon.— «Philips

Tech. Review*, 1967, v. 28, № 5—7, p. 14Q—152.

4-12.

Grove

A. S. Physics and Technology of semiconductor de

vices. John Wiley and Sons Inc. New York,

London, Sydney, 1967.

4-13.

Dolego

U. Solid State Electronics, 1967, '10, № 11, p. 1103—

1104.

4-14. Основы технологии кремниевых ИС. Окисление, диффузия,

эпитаксия. Под ред. Р. Бургера

и Р. Донована. Пер. с англ. М.,

«Мир», 1969.

4-15.

Mackintosh

I. М.— «J. Electrochem.

Soc.»,

1962, v. 109,

p. 392—401.

4-16.

Fuller,

Ditzenberger.— «J. Appl. Phys.»,

1954, v. 25, p. !l439—,

1440; 1956, v. 27, p. 544—553.

4-17.

Armstrong W. Y. The diffusivity

arsenic

in silicon.—

«J. Electrochem. Soc.», 1932, v. 109, p. 1065—1067.

4-18.

Rohan

J . J . , Pickering N. E. and Kennedy

J . Diffusion of

radioactive antimony

in silicon.— «J. Electrochem. Soc.»,

'1959, v. 106,

№ 8, p. 705—709.

4-19.

Thurston M. O., Tsai

J . The dependence

of the diffeitivities

of inrpuriuies in silicon on background doping

and surface concentra

tion— «Repts Ohio State Univ.*, 19G2, № 2.

374

<<< < Предыдущая 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 3637 / 3937 38 39 > Следующая >>>

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ