Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Кизель В.А. Отражение света

.pdf
Скачиваний:
18
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
11.45 Mб
Скачать

2 7 8 ПРИМЕНЕНИЯ ЯВЛЕНИИ ОТРАЖЕНИЯ [ГЛ. 7

В прикладных измерениях это часто упускается из вида. Кривые Я(®), подобные изображенным па рис. 89—92, на опыте получаются весьма часто, но в ряде случаев имеются некоторые отклонения (не меняющие, однако, качественную картину) *).

Практически важно следующее. При реально встре­ чающихся значениях п0 не менее ~1,5 (обусловленных наличием матрицы или растворителя, а также вкладом других удаленных мощных полос поглощения) «неселек­ тивное отражение»

Ro =

имеет порядок ~ 5 % , чаще Если имеются кюветы,

R

ш ------1------

1

1

1^

0,75

 

/

У \\\

 

-

 

 

 

II

\

V

 

0,50

 

 

I1

V

-

 

 

 

I I

\

 

 

0,25

 

 

/

1

 

 

 

 

 

/

1

 

 

 

 

 

/

 

1

 

 

 

 

 

/

 

1

 

 

 

 

 

 

■.1______

 

(ш-шно~,г

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 91.

 

Зависимости R, к при

л0= 4 , Nf —5- ІО18,

Г - ~ 2 - 1010.

т. е. согласно табл. 7 при вения І ^ Х 2).

К - 1 ) 2*

(«о + В 2

более.

окна криостатов или термо­ статов и др., накладывается «неселективное» их отраже­ ние и рассеяние на поверх­ ностях (отсюда, кстати, ясно, что для лучшего разреше­ ния желательна иммерсия). Поэтому можно сказать, что измерение х по R любыми методами (кроме НПВО, см. § 33 и модулированного от­ ражения, см .§ 29) экспери­ ментально удобно для по­ лос любого вида лишь при значениях R, грубо ориентировочно равных R ^ 2 R 0, т. е.

R ^2X 0,05 = 0,1,

.

х^эО.З— глубине проникно­

') О влиянии рассеяния и многократного отражения на форму контура см. подробнее в работах [122, 123].

2) В качестве примера укажем, что для растворов красителей, где силы осцилляторов очень велики, поглощение «на просвет» легко обнаруживается уже при концентрациях ІО-7— ІО-6 моль/л, но отра­ жение становится заметно селективным лишь около ІО"2 моль/л и вы­ ше (когда глубина проникновения света уже порядка десятка длин волн и менее).

,R.%

\oo

 

 

 

 

 

 

 

80'

 

 

 

 

 

 

 

70

 

 

 

 

 

 

 

SO

 

 

 

 

 

 

 

50

 

 

 

 

 

 

 

00

 

 

 

 

 

 

 

30

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

0/0

/0

20

2 2 2 0

2 6 2 0 ,3 0

32

30

30 3 0 ,0 0

HX

 

 

 

 

 

 

 

wo

 

 

-Л Ь-

-іь»

h -

 

 

so

 

 

 

гГ

 

 

 

00

 

 

 

 

 

 

 

00

 

 

 

 

Na. “Т

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

■N.

к

 

 

 

 

 

 

 

 

 

- °/2

 

 

 

к

 

 

 

 

16

20

20 20

3 2

3 0 00

 

 

 

 

gl

 

 

Ä,MKM

Рис. 92. Остаточное отражение («решеточное отражение»).

а ) расчет для AlSb по формулам (34.1) и (34.2)

с

ЛоэН;

кружки— данные

эксперимента; б)

то ж е для GaP;

о) то ж е для разных соединений;

сплошная

к р и в ая — данные

эксперимента, пунктир — расчет по

формулам (34.1) н (34.2)

сЛ оуИ ; слева — кривые Г =4°К ;

справа — кривые

(AlSb и

ІпР)

Г=293° К

 

(см.

гл. 6, [212]).

 

 

 

 

2 8 0

ПРИМЕНЕНИЯ ЯВЛЕНИИ ОТРАЖЕНИЯ

[ГЛ. 7

Если рассматриваемый центр, например, молекула,

находится

под внешним влиянием (в прозрачном раст­

ворителе),

контур полосы деформируется

в результате

взаимодействия с колебаниями молекул последнего (фо­ нонным спектром) — так называемых «динамических взаимодействий». Формулы для этого случая при лока­ лизованном возбуждении центра в отсутствие экситонных эффектов и связанной с ними пространственной дис­ персии даны А. С. Давыдовым [124]. Для полосы по­ глощения они дают гауссов контур и при ослаблении связи с растворителем постепенно переходят в (34.1) и (34.2) !) »(рис. 93). Подобными формулами хорошо опи­ сываются полосы примесных центров в кристаллах

Рис. 93. Кривые зависимости (л — I) и к от (<вр— со).

1 — по А. С. Давыдову; 2 — по формулам (34.1) н (34.2), затухание слабое.

(рис. 94 [126]), красителей в растворах (рис. 95, 96 [127]) и многие другие. При заметном поглощении кон­ тур становится асимметричным, как и контур (34.1) и (34.2).

Необходимо также иметь в виду, что в растворах контур полосы поглощения несколько деформируется за счет наложения (в грубом приближении аддитивном) дисперсии растворителя (когда полоса поглощения ши-

') О переходе от одной формы контура к другой см. также ра­ боту [125].

§ 34]

ФОРМА ПОЛОСЫ ОТРАЖЕНИЯ

281

рока). Строго говоря, следует учесть, что взаимодейст­ вие с внутренним (кристаллическим) полем («статиче­ ское взаимодействие») в растворах, расплавах, твердой

Рис. 94. Дисперсия внутри F-полосы в NaCl.

Точки — данные эксперимента; / — (л—1) по А. С. Давыдову; / / — по формулам

(34.1) и (34.2); / / / — поглощение.

фазе может

сдвигать

максимум полосы поглощения

и деформировать ее 1).

Связь наблюдаемого и

«ис­

тинного» (т.

е. для свободной молекулы) контуров

рас-

Рис. 95. а) Полоса отражения напыленного на различные стекла слоя крнсталлвиолета; б) определенные отсюда по способу А величины

п и х.

смотрена в цикле работ [128—132] и ряде других. Не входя в детали вопроса, следует отметить, что и в слу-

') Ср. также с рис. 48 и 49. Видно, как по мере увеличения дав­ ления, т. е. усиления влияния окружения увеличивается расхождение с формулами (34.1) и (34.2).

т

ПРИМЕНЁНИЯ ЯВЛЕНИЙ ОТРАЖЁНМЯ

[ГЛ. ?

 

 

чае динамических или статических воздействий можно, видимо, утверждать, что при смещении и деформации х(ш) приведенные соображения о связи х(<») и і?(ю) качественно (только!) останутся справедливыми.

Все сказанное относится к случаю полностью лока­ лизованного возбуждения. Если имеют место экситонные явления с нелокализованными возбуждениями, кар­ тина усложняется. Линии становятся асимметричными,

Рис. 96. Полоса

отражения а) раствора метилвиолета (0,12 моль'л)

в анилине; б) раствор фуксина (0,36 мояь/л).

 

I — данные эксперимента; 2 — аппроксимация по формулам для сильной

связи;

 

3 •— то ж е

для слабой связи.

 

появляются

вторичные

пики и т. д. (подробности

см.,

например, в работах [124, 133, 134]).

В качестве примера на рис. 97 приведены данные расчетов [134] для отражения от молекулярного кри­ сталла при наличии экситонных эффектов (без учета поправок на добавочные эффекты п. д. и третью волну). Кривые, подобные изображенным, получены в ходе экс­ перимента [135].

При наличии заметной пространственной диспепсии, если со стороны oj*<a>p в области, где х мало, а (n— 1)

§ 34]

ФОРМА ПОЛОСЫ ОТРАЖЕНИЯ

2 8 3

еще велико, возникает третья волна с очень оолыдими п, то в этой области (согласно [018]) может иметь ме­ сто столь сильное отражение, несмотря на малость к,

R

s \ \ од

1

\'Я

Ы-<°рва

з)

Рис. 97. Формы полосы отражения при различных формах экситон ных зон.

7'~'0° К. без учета п. д.; т Э(],ф экситонов < 0 (теория).

что максимум R {со) сместится дисперсионных соотношений1), Подобное сильное отражение в

сюда. Это не нарушает ибо они интегральны. области очень малых %

') Вопрос о применимости дисперсионных соотношений для треть­ ей волны (аналитичности функции в верхней полуплоскости), как и

][•;

вопрос о величине и роли поглощения, дискутировался в работе [136].

іо

i S

2 8 4

ПРИМЕНЕНИЯ ЯВЛЕНИИ ОТРАЖЕНИЯ

[ГЛ. 7

 

 

при со<соР действительно наблюдалось для ряда веществ

(GaS [137, 138], ZnO [139], ZnTe [137]) и может счи­ таться доказательством наличия пространственной дис­ персии в этих веществах (хотя и не абсолютно безус­ ловным [018]).

Однако следует подчеркнуть, что в общем случае здесь необходима осторожность, ибо формулы (34.1) и (34.2) и им подобные пригодны лишь для одноосцилляторной полосы. Между тем, например, полосы красите­ лей— обычно двухосцилляториые, т. е. образованы на­ ложением двух близких переходов (см. [140] и рис. 95, а, б [141]); этим объясняются некоторые видимые на рис. 95 и 96 отклонения со стороны малых частот.

Вообще, как известно, при наличии нескольких воз­ можных переходов (соответственно нескольких собст­ венных частот и нескольких «эффективных осциллято­ ров») в формулах (34.1) и (34.2) должно быть сумми­ рование членов подобного вида с разными Nt, f,-, со*,-, т. е. аддитивное наложение полос. В принципе это мо­ жет вызвать деформацию полосы отра'жения и в от­ сутствие пространственной дисперсии. Кроме того, мо­ жет иметь место также смешивание квантовых состоя­ ний.

Как сказано ранее, рассмотренный контур полосы отражения представляет, строго говоря, крайний случай для свободных молекул, например, газа или раствора в пассивном растворителе. Другим крайним схематиче­ ским случаем может быть отражение твердого тела с зонной, структурой, обусловленное только свободными

носителями без учета релаксации

(см. также § 27)

е' (со) = 1

4 п е 2А!г = 1

(0п.

= —

 

 

 

(£>гтэфф

(О2

 

 

 

е" (со) = 2пк =

0, ©ПЛ ----

4 л е 1Ы1

 

 

т эфф

 

 

Поскольку п и х

 

 

 

 

вещественны и больше нуля,

то ре-

шеѵчя примут вид

 

 

 

 

 

 

 

 

f t

 

 

 

°пл

Ѵ/2

СО

СОпл,

0 ,

 

%

~

1

СО >

СОпл.

 

\1/2

 

 

 

П■ =

1 ------- Д5-- )

,

И =

0,

 

<j 3<11

ФОРМЫ 'ПОЛОСЫ ОТРАЖЕНИЯ

2 8 5

что даст результат, представленный схематически на рис. 98 (кривая 1). Если изобразить вклад межзонных переходов постоянной емз

„ /

,

®пл ^

'

шпл

е

(со) — емз II

со2 I’

®пл

— 1

 

\

/

 

V емз

то получится кривая типа 2. Наконец, при наличии сла­ бого затухания получится кривая типа 3.

Подобный ход R может схематично описывать (весь­ ма приблизительно) отражение от металлов и вырож­ денных полупроводников (ср. также [142]).

Для данных п и % значение R изменяется с углом падения; эти изменения для разных абсолютных значе­ ний п и % и разных их сочетаний неодинаковы. Отсюда

Рис. 98. Схематическая зависимость коэффициента отражения от со для вещества с зонной структурой (только свободные

носители).

ясно, что при изменении ср контур будет деформировать­ ся; в частности, полоса отражения расширяется или су­ жается.

В связи со всем сказанным возникает исключительно важный для приложений вопрос об экспериментальном измерении %(а) по отражению. Как указывалось, ши­ рина полосы R (со) значительно больше ширины х(ю), и разрешение «в отражении» поэтому хуже, за исключе­ нием малых значений и и Г (см. рис. 89 и 90); кроме того, воспроизведение %(а) по R(a), если форма конту­ ра заранее неизвестна, довольно сложно. Поэтому в каждом конкретном случае необходим выбор опти­ мальных условий для лучшего выявления контура и структуры %(«в). Подобные условия рассматривались, в § 30; некоторые детали указаны в работе [119]. Наи­ более желательно измерение Дгц под углом Брюстера.

2 8 6

ПРИМЕНЕНИЯ ЯВЛЕНИИ ОТРАЖЕНИЯ

[ГЛ. 7

На рис. 99 показаны спектры отражения [119] СщО, снятые при разных условиях; видно, какую важную роль играет выбор условий (фбр~72°).

(Rl

4

h=smÂ

/,2

I

tp-80'

1,0

 

______

0,8

-

^

0,6

 

 

1,2

: <р=7в°

1,0

 

 

0,8

 

 

0,6

 

 

1,2-ср=ВО°

1.0

 

 

0,8

 

 

0.6

 

 

1,2

 

ср=О0°

0,6 С— 1— I—

I____I____I

I

т о 0600

овоо

5000

 

а)

A.J

—I_I I I I I

0600 6600 0800 5000

6) KÂ

Рис. 99. Спектры отражения кристалла СіъО для разных углов падения qr.

а) для R ± ; б) для R ц .

На рис. 100 показано определение к (со) по R(a) [143] методом НПВО; результаты достаточно хорошие даже в случае, когда полоса отражения значительно ме­ нее отчетливо выявлена, чем полоса поглощения (см. также стр. 263 и 271).

Эти вопросы особенно важны, если приходится поль­ зоваться диффузным отражением (неполированный об­ разец, порошок, поликристалл, эмульсии, суспензии). Здесь могут реализовываться случаи отражений раз­ личной кратности и промежуточного захода луча в ве­

ФОРМА ПОЛОСЫ ОТРАЖЕНИЯ

287

щество (см., например, рис. 101). В каждом случае форма полосы отражения, в согласии со сказанным ра­ нее, будет особей, и состав суммарного отраженного света сильно зависит от профиля поверхности или ха­ рактера измельчения и т. п. При этом сказываются на­ личие текстуры и поверхностные эффекты. В общем

Рис. 100. Измеренные значения Р

сст при

двух углах падения ср (а)

и вычисленные по ним значения п

(б) и у.

(в) для бензола в области

колебательных частот.

виде подобные задачи решаются теорией диффузного отражения (см. § 17). Здесь мы рассмотрим лишь узко­ прикладные аспекты.

Методика определения п(а), %(©) вещества по па­ раметрам диффузно отраженного света далеко не полно разработана. Обзор состояния ее дан, например, в ра­ ботах [144—147] (ср. также [148, 149]). Весьма важно подчеркнуть, что для порошков, эмульсий и суспензий существует некоторая оптимальная степень дисперсно­ сти, при которой это определение наиболее точно. Усло­ вия наибольшей точности и пути определения необходи­ мой степени дисперсности см. [147, 150, 151]. Применя­

емые для порошков методы иммерсии

или прессования

в матрицах (например, КВг и т. п.).

применимы лишь

в определенных пределах, рассмотренных в [144], ибо зависимости п(и) у матрицы и исследуемого вещества различны.

В технических измерениях наиболее часто употреб­ ляется так называемая методика Кубелки — Мунка1) [153—156], хотя она несовершенна, устарела и теоре­ тические ее обоснования недостаточны. Некоторые

') Эта методика была предложена впервые Гуревичем [152].

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ