
книги из ГПНТБ / Кизель В.А. Отражение света
.pdf2 7 8 ПРИМЕНЕНИЯ ЯВЛЕНИИ ОТРАЖЕНИЯ [ГЛ. 7
В прикладных измерениях это часто упускается из вида. Кривые Я(®), подобные изображенным па рис. 89—92, на опыте получаются весьма часто, но в ряде случаев имеются некоторые отклонения (не меняющие, однако, качественную картину) *).
Практически важно следующее. При реально встре чающихся значениях п0 не менее ~1,5 (обусловленных наличием матрицы или растворителя, а также вкладом других удаленных мощных полос поглощения) «неселек тивное отражение»
Ro =
имеет порядок ~ 5 % , чаще Если имеются кюветы,
R
ш ------1------
1
1
1^
0,75
|
/ |
У \\\ |
|
- |
|||
|
|
|
II |
\ |
V |
|
|
0,50 |
|
|
I1 |
V |
- |
||
|
|
|
I I |
\ |
|
|
|
0,25 |
|
|
/ |
1 |
|
|
|
|
|
/ |
1 |
|
|
|
|
|
|
/ |
|
1 |
|
|
|
|
|
/ |
|
1 |
|
|
|
|
|
|
■.1______ |
|
(ш-шно~,г |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 91. |
|
Зависимости R, к при |
|||||
л0= 4 , Nf —5- ІО18, |
Г - ~ 2 - 1010. |
т. е. согласно табл. 7 при вения І ^ Х 2).
К - 1 ) 2*
(«о + В 2
более.
окна криостатов или термо статов и др., накладывается «неселективное» их отраже ние и рассеяние на поверх ностях (отсюда, кстати, ясно, что для лучшего разреше ния желательна иммерсия). Поэтому можно сказать, что измерение х по R любыми методами (кроме НПВО, см. § 33 и модулированного от ражения, см .§ 29) экспери ментально удобно для по лос любого вида лишь при значениях R, грубо ориентировочно равных R ^ 2 R 0, т. е.
R ^2X 0,05 = 0,1,
.
х^эО.З— глубине проникно
') О влиянии рассеяния и многократного отражения на форму контура см. подробнее в работах [122, 123].
2) В качестве примера укажем, что для растворов красителей, где силы осцилляторов очень велики, поглощение «на просвет» легко обнаруживается уже при концентрациях ІО-7— ІО-6 моль/л, но отра жение становится заметно селективным лишь около ІО"2 моль/л и вы ше (когда глубина проникновения света уже порядка десятка длин волн и менее).
,R.%
\oo |
|
|
|
|
|
|
|
80' |
|
|
|
|
|
|
|
70 |
|
|
|
|
|
|
|
SO |
|
|
|
|
|
|
|
50 |
|
|
|
|
|
|
|
00 |
|
|
|
|
|
|
|
30 |
|
|
|
|
|
|
|
20 |
|
|
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|
|
|
|
0/0 |
/0 |
20 |
2 2 2 0 |
2 6 2 0 ,3 0 |
32 |
30 |
30 3 0 ,0 0 |
HX |
|
|
|
|
|
|
|
wo |
|
|
-Л Ь- |
-іь» |
h - |
|
|
so |
|
|
|
гГ |
|
|
|
00 |
|
|
|
|
|
|
|
00 |
|
|
|
|
Na. “Т |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
20 |
|
|
■N. |
к |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
- °/2 |
|
|
|
к |
|
|
|
|
16 |
20 |
20 20 |
3 2 |
3 0 00 |
||
|
|
|
|
gl |
|
|
Ä,MKM |
Рис. 92. Остаточное отражение («решеточное отражение»).
а ) расчет для AlSb по формулам (34.1) и (34.2) |
с |
ЛоэН; |
кружки— данные |
|||
эксперимента; б) |
то ж е для GaP; |
о) то ж е для разных соединений; |
сплошная |
|||
к р и в ая — данные |
эксперимента, пунктир — расчет по |
формулам (34.1) н (34.2) |
||||
сЛ оуИ ; слева — кривые Г =4°К ; |
справа — кривые |
(AlSb и |
ІпР) |
Г=293° К |
||
|
(см. |
гл. 6, [212]). |
|
|
|
|
2 8 0 |
ПРИМЕНЕНИЯ ЯВЛЕНИИ ОТРАЖЕНИЯ |
[ГЛ. 7 |
Если рассматриваемый центр, например, молекула, |
||
находится |
под внешним влиянием (в прозрачном раст |
|
ворителе), |
контур полосы деформируется |
в результате |
взаимодействия с колебаниями молекул последнего (фо нонным спектром) — так называемых «динамических взаимодействий». Формулы для этого случая при лока лизованном возбуждении центра в отсутствие экситонных эффектов и связанной с ними пространственной дис персии даны А. С. Давыдовым [124]. Для полосы по глощения они дают гауссов контур и при ослаблении связи с растворителем постепенно переходят в (34.1) и (34.2) !) »(рис. 93). Подобными формулами хорошо опи сываются полосы примесных центров в кристаллах
Рис. 93. Кривые зависимости (л — I) и к от (<вр— со).
1 — по А. С. Давыдову; 2 — по формулам (34.1) н (34.2), затухание слабое.
(рис. 94 [126]), красителей в растворах (рис. 95, 96 [127]) и многие другие. При заметном поглощении кон тур становится асимметричным, как и контур (34.1) и (34.2).
Необходимо также иметь в виду, что в растворах контур полосы поглощения несколько деформируется за счет наложения (в грубом приближении аддитивном) дисперсии растворителя (когда полоса поглощения ши-
') О переходе от одной формы контура к другой см. также ра боту [125].
§ 34] |
ФОРМА ПОЛОСЫ ОТРАЖЕНИЯ |
281 |
рока). Строго говоря, следует учесть, что взаимодейст вие с внутренним (кристаллическим) полем («статиче ское взаимодействие») в растворах, расплавах, твердой
Рис. 94. Дисперсия внутри F-полосы в NaCl.
Точки — данные эксперимента; / — (л—1) по А. С. Давыдову; / / — по формулам
(34.1) и (34.2); / / / — поглощение.
фазе может |
сдвигать |
максимум полосы поглощения |
|
и деформировать ее 1). |
Связь наблюдаемого и |
«ис |
|
тинного» (т. |
е. для свободной молекулы) контуров |
рас- |
Рис. 95. а) Полоса отражения напыленного на различные стекла слоя крнсталлвиолета; б) определенные отсюда по способу А величины
п и х.
смотрена в цикле работ [128—132] и ряде других. Не входя в детали вопроса, следует отметить, что и в слу-
') Ср. также с рис. 48 и 49. Видно, как по мере увеличения дав ления, т. е. усиления влияния окружения увеличивается расхождение с формулами (34.1) и (34.2).
т |
ПРИМЕНЁНИЯ ЯВЛЕНИЙ ОТРАЖЁНМЯ |
[ГЛ. ? |
|
|
чае динамических или статических воздействий можно, видимо, утверждать, что при смещении и деформации х(ш) приведенные соображения о связи х(<») и і?(ю) качественно (только!) останутся справедливыми.
Все сказанное относится к случаю полностью лока лизованного возбуждения. Если имеют место экситонные явления с нелокализованными возбуждениями, кар тина усложняется. Линии становятся асимметричными,
Рис. 96. Полоса |
отражения а) раствора метилвиолета (0,12 моль'л) |
||
в анилине; б) раствор фуксина (0,36 мояь/л). |
|
||
I — данные эксперимента; 2 — аппроксимация по формулам для сильной |
связи; |
||
|
3 •— то ж е |
для слабой связи. |
|
появляются |
вторичные |
пики и т. д. (подробности |
см., |
например, в работах [124, 133, 134]).
В качестве примера на рис. 97 приведены данные расчетов [134] для отражения от молекулярного кри сталла при наличии экситонных эффектов (без учета поправок на добавочные эффекты п. д. и третью волну). Кривые, подобные изображенным, получены в ходе экс перимента [135].
При наличии заметной пространственной диспепсии, если со стороны oj*<a>p в области, где х мало, а (n— 1)
§ 34] |
ФОРМА ПОЛОСЫ ОТРАЖЕНИЯ |
2 8 3 |
еще велико, возникает третья волна с очень оолыдими п, то в этой области (согласно [018]) может иметь ме сто столь сильное отражение, несмотря на малость к,
R
s \ \ од
1
\'Я
Ы-<°рва
з)
Рис. 97. Формы полосы отражения при различных формах экситон ных зон.
7'~'0° К. без учета п. д.; т Э(],ф экситонов < 0 (теория).
что максимум R {со) сместится дисперсионных соотношений1), Подобное сильное отражение в
сюда. Это не нарушает ибо они интегральны. области очень малых %
') Вопрос о применимости дисперсионных соотношений для треть ей волны (аналитичности функции в верхней полуплоскости), как и
][•;
вопрос о величине и роли поглощения, дискутировался в работе [136].
іо
i S
2 8 4 |
ПРИМЕНЕНИЯ ЯВЛЕНИИ ОТРАЖЕНИЯ |
[ГЛ. 7 |
|
|
при со<соР действительно наблюдалось для ряда веществ
(GaS [137, 138], ZnO [139], ZnTe [137]) и может счи таться доказательством наличия пространственной дис персии в этих веществах (хотя и не абсолютно безус ловным [018]).
Однако следует подчеркнуть, что в общем случае здесь необходима осторожность, ибо формулы (34.1) и (34.2) и им подобные пригодны лишь для одноосцилляторной полосы. Между тем, например, полосы красите лей— обычно двухосцилляториые, т. е. образованы на ложением двух близких переходов (см. [140] и рис. 95, а, б [141]); этим объясняются некоторые видимые на рис. 95 и 96 отклонения со стороны малых частот.
Вообще, как известно, при наличии нескольких воз можных переходов (соответственно нескольких собст венных частот и нескольких «эффективных осциллято ров») в формулах (34.1) и (34.2) должно быть сумми рование членов подобного вида с разными Nt, f,-, со*,-, т. е. аддитивное наложение полос. В принципе это мо жет вызвать деформацию полосы отра'жения и в от сутствие пространственной дисперсии. Кроме того, мо жет иметь место также смешивание квантовых состоя ний.
Как сказано ранее, рассмотренный контур полосы отражения представляет, строго говоря, крайний случай для свободных молекул, например, газа или раствора в пассивном растворителе. Другим крайним схематиче ским случаем может быть отражение твердого тела с зонной, структурой, обусловленное только свободными
носителями без учета релаксации |
(см. также § 27) |
||||||
е' (со) = 1 |
4 п е 2А!г = 1 |
(0п. |
= — |
|
|||
|
|
(£>гтэфф |
(О2 |
|
|
|
|
е" (со) = 2пк = |
0, ©ПЛ ---- |
4 л е 1Ы1 |
|
|
|||
т эфф |
|
|
|||||
Поскольку п и х |
|
|
|
|
|||
вещественны и больше нуля, |
то ре- |
||||||
шеѵчя примут вид |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
f t |
|
|
|
°пл |
Ѵ/2 |
СО |
СОпл, |
0 , |
|
% |
~ |
1 |
|
СО > |
СОпл. |
|
\1/2 |
|
|
|
|
П■ = |
1 ------- Д5-- ) |
, |
И = |
0, |
|
<j 3<11 |
ФОРМЫ 'ПОЛОСЫ ОТРАЖЕНИЯ |
2 8 5 |
что даст результат, представленный схематически на рис. 98 (кривая 1). Если изобразить вклад межзонных переходов постоянной емз
„ / |
, |
®пл ^ |
' |
шпл |
е |
(со) — емз II |
со2 I’ |
®пл |
— 1 |
|
\ |
/ |
|
V емз |
то получится кривая типа 2. Наконец, при наличии сла бого затухания получится кривая типа 3.
Подобный ход R может схематично описывать (весь ма приблизительно) отражение от металлов и вырож денных полупроводников (ср. также [142]).
Для данных п и % значение R изменяется с углом падения; эти изменения для разных абсолютных значе ний п и % и разных их сочетаний неодинаковы. Отсюда
Рис. 98. Схематическая зависимость коэффициента отражения от со для вещества с зонной структурой (только свободные
носители).
ясно, что при изменении ср контур будет деформировать ся; в частности, полоса отражения расширяется или су жается.
В связи со всем сказанным возникает исключительно важный для приложений вопрос об экспериментальном измерении %(а) по отражению. Как указывалось, ши рина полосы R (со) значительно больше ширины х(ю), и разрешение «в отражении» поэтому хуже, за исключе нием малых значений и и Г (см. рис. 89 и 90); кроме того, воспроизведение %(а) по R(a), если форма конту ра заранее неизвестна, довольно сложно. Поэтому в каждом конкретном случае необходим выбор опти мальных условий для лучшего выявления контура и структуры %(«в). Подобные условия рассматривались, в § 30; некоторые детали указаны в работе [119]. Наи более желательно измерение Дгц под углом Брюстера.

2 8 6 |
ПРИМЕНЕНИЯ ЯВЛЕНИИ ОТРАЖЕНИЯ |
[ГЛ. 7 |
На рис. 99 показаны спектры отражения [119] СщО, снятые при разных условиях; видно, какую важную роль играет выбор условий (фбр~72°).
(Rl |
4 |
|
h=sm |
||
/,2 |
I |
tp-80' |
1,0 |
|
______ |
0,8 |
- |
^ |
0,6 |
|
|
1,2 |
: <р=7в° |
|
1,0 |
|
|
0,8 |
|
|
0,6 |
|
|
1,2-ср=ВО° |
||
1.0 |
|
|
0,8 |
|
|
0.6 |
|
|
1,2 |
|
ср=О0° |
0,6 С— 1— I— |
I____I____I |
I |
т о 0600 |
овоо |
5000 |
|
а) |
A.J |
—I_I I I I I
0600 6600 0800 5000
6) KÂ
Рис. 99. Спектры отражения кристалла СіъО для разных углов падения qr.
а) для R ± ; б) для R ц .
На рис. 100 показано определение к (со) по R(a) [143] методом НПВО; результаты достаточно хорошие даже в случае, когда полоса отражения значительно ме нее отчетливо выявлена, чем полоса поглощения (см. также стр. 263 и 271).
Эти вопросы особенно важны, если приходится поль зоваться диффузным отражением (неполированный об разец, порошок, поликристалл, эмульсии, суспензии). Здесь могут реализовываться случаи отражений раз личной кратности и промежуточного захода луча в ве
ФОРМА ПОЛОСЫ ОТРАЖЕНИЯ |
287 |
щество (см., например, рис. 101). В каждом случае форма полосы отражения, в согласии со сказанным ра нее, будет особей, и состав суммарного отраженного света сильно зависит от профиля поверхности или ха рактера измельчения и т. п. При этом сказываются на личие текстуры и поверхностные эффекты. В общем
Рис. 100. Измеренные значения Р |
сст при |
двух углах падения ср (а) |
и вычисленные по ним значения п |
(б) и у. |
(в) для бензола в области |
колебательных частот.
виде подобные задачи решаются теорией диффузного отражения (см. § 17). Здесь мы рассмотрим лишь узко прикладные аспекты.
Методика определения п(а), %(©) вещества по па раметрам диффузно отраженного света далеко не полно разработана. Обзор состояния ее дан, например, в ра ботах [144—147] (ср. также [148, 149]). Весьма важно подчеркнуть, что для порошков, эмульсий и суспензий существует некоторая оптимальная степень дисперсно сти, при которой это определение наиболее точно. Усло вия наибольшей точности и пути определения необходи мой степени дисперсности см. [147, 150, 151]. Применя
емые для порошков методы иммерсии |
или прессования |
в матрицах (например, КВг и т. п.). |
применимы лишь |
в определенных пределах, рассмотренных в [144], ибо зависимости п(и) у матрицы и исследуемого вещества различны.
В технических измерениях наиболее часто употреб ляется так называемая методика Кубелки — Мунка1) [153—156], хотя она несовершенна, устарела и теоре тические ее обоснования недостаточны. Некоторые
') Эта методика была предложена впервые Гуревичем [152].