Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Кизель В.А. Отражение света

.pdf
Скачиваний:
23
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
11.45 Mб
Скачать

с) при обычном отражении — —1,5 и и,

меняющемся

от

0 до 0,13; б ) при

ПВО —

=0,625 (значения и — у кривых);

«1

rit

,

меняющемся от 0,76

Пі

в )

при я = 0 ,І и г-*

до 0,98.

 

 

Лі

 

 

 

 

5 33]

МЕТОДЫ НПВО

2 69

*1

Рис. 88. Зависимость энергетических коэффициентов отражения R от % для разных углов падения ср;

,Л|=1, л2=о,з.

270 ПРИМЕНЕНИЯ ЯВЛЕНИИ ОТРАЖЕНИЯ [ГЛ. 7

Выбор условий для получения наибольшей точности рассматривался как в цитированных работах, так и в других; выбор толщин слоя обсуждался в работах [113,

114], предел применимости

и

выбор

углов

падения —

в работах

[42, 115]. Выгоднее

измерять

R±\ иногда

выгоднее большие углы падения

(естественно, при над­

лежащем

подборе п2/п[).

В

§

30

и в

помещенной

там табл. 6 были указаны некоторые методики расчетов

(см. также гл.

1 [65]) и рекомендации по методике ма­

шинного счета.

объединение этого метода

с

методом

Некоторое

Т. П. Кравца,

состоящее в рекомендации

по

подбору

п2, п\, проводится в работе [116], а специфика приме­ нения в дальней инфракрасной области дана в рабо­ те [117].

Второй вариант, FTR, предназначен в основном для измерения величин п прозрачных веществ. Часть энер­ гии из среды 2 выводится в сторону с помощью прозрач­ ных призм или полусферы с достаточно большим п, приближаемых к отражающей поверхности раздела сред 1 и 2 на расстояние d.^% так, чтобы поверхности их были параллельны (известный «оптический телефон» Цейсса). Можно измерять отражение в среду 1 или про­ пускание образовавшегося тонкого зазора (см.гл .2 [3]).

В обоих вариантах одно из преимуществ заключает­ ся в избавлении от осложнений, связанных с интерфе­ ренцией в тонких кюветах.

Для практической спектроскопии и применений ме­ тод удобен тем, что спектр отражения близок по форме к спектру поглощения, а положения максимумов полос близки или почти точно совпадают. В ряде случаев для практических целей возможно далее (подробности см. в гл. 2, ссылка [3]) обходиться без пересчетов (всегда сложных); однако в общем случае игнорирование раз­ личия в спектрах может привести для некоторыхдлин волн к серьезны^ ошибкам (см. § 34).

Метод удобен также тем, что при его применении физически выделяются некоторые типы колебаний. Это объясняется тем, что скорости неоднородных волн в сре­ де 2 меняются с ср (см. примечание на стр. 83) и могут быть подобраны близкими к резонансам, или т. п. Так (см. гл. 2, ссылки [15]), предложен способ возбуждения

§ з-п

ФОРМА ПОЛОСЫ ОТРАЖЕНИЯ

271

иисследования плазменных волн в хорошем металле, где « < 1 , т. е. условия похожи на ІіПВО. Скорость не­ однородных волн в металле меняется путем изменения ср

иможет быть подобрана равной сопл/&пл, что способст­ вует возбуждению.

Вработе [118] на одних и тех же объектах прове­ дены и сопоставлены измерения колебательных спектров методами В, 3) и НПВО. Оказалось, что первые лучше выявляют продольные оптические моды, а попереч­

ные— хуже, и только в перпендикулярной компоненте

(ср. стр. 263 и 264 и рис. 86, 99 и 100).

Методы, подобные НПВО, развиваются в последнее время в рентгеновской области. Явление НПВО можно

использовать для

пассивных модуляторов добротности

в ОКГ. Эффекты

смещения луча при ПВО (см.

§ 9)

предлагалось использовать для диагностики плазмы

(см.

гл. 2, ссылка [39]).

 

Метод НПВО,

особенно при пользовании многократ­

ным отражением, позволяет обнаруживать поверхност­ ную ориентацию и упорядоченность в твердых полиме­

рах и других

объектах,

подобную рассмотренной

в § 23—26.

 

 

§ 34.

Форма полосы отражения

Из формул (4.16) и (4.17)

видно, что одни и те же

значения R могут быть получены при различных п и %.

Поэтому при произвольных зависимостях п( со), и (со) форма полосы отражения может быть любой, иначе го­

воря,

контуры полос поглощения

х(со) и

отражения

R (со) могут совпасть лишь в особых случаях. В частно­

сти,

максимальные значения R (и)

могут

получаться

при иных значениях и, чем максимумы к (а). Некото­ рые ограничения могут накладываться лишь интеграль­ ными (в пределах от со=0 до со-э-оо) дисперсионными

соотношениями Крамерса— Кронига

для п и н [017,

018], справедливыми для любых «(со)

и х(со), если они

аналитичны (см. § 35). Анализ ряда

возможных видов

полосы R (со) приведен в работе [119].

 

Для реально встречающихся зависимостей п(со) и %(со) форма R (со) более определенна, ибо п и н функ­ ционально связаны.

2 7 2

ПРИМЕНЕНИЯ ЯВЛЕНИИ ОТРАЖЕНИЯ

[ГЛ. 7

Рассмотрим простейший случай изолированной по­ лосы поглощения для вещества молекулярной струк­ туры.

Спектральная зависимость параметров изолирован­ ной полосы поглощения, связанной с одиоосцидляторным дипольным переходом (в двухуровневой системе) для свободных атомов или молекул (например, в раз­ реженном газе), обычно удовлетворительно описывает­ ся «классическим дисперсионным контуром» [02, 06, 120, 121]

(34.1)

е3*

N J

Г_________

(34.2)

~ /га

«V

(сор - ш ) 2 + (І72)3’

 

где Ni — число осцилляторов в 1 см3-, f — сила осцилля­ тора; Шр — резонансная частота; Г — «константа затуха­ ния».

На рис. 89 и 90 и в табл. 7 приведены некоторые ре­ зультаты наших расчетов по этим формулам ‘). Они мо­ гут быть применены для других значений а„, N u f, учи­

тывая, что эти величины входят только в сочетании —

Расчеты приведены для случая нормального падения, т. е.

р(га-1)3 + х3

* ~ (я + 1)3+ х 3 '

Из этих данных можно сделать следующие выводы:

1)полоса отражения значительно шире полосы по­ глощения;

2)она имеет менее острый максимум;

3)она всегда сдвинута относительно ар и %шкв в об­ ласть больших частот2);

') Расчеты проведены совместно с К. Ф. Луканиным, которому автор приносит благодарность.

3) В некоторых особых случаях, когда полоса поглощения имеет иное физическое происхождение, чем описываемая «одноосцилляторными» формулами (34.1) и (34.2), и когда га (со), вследствие особенно­ стей процесса, всюду > 1 , этот вывод может оказаться несправед­ ливым.

т>г

п ,х R

- 2 - 1

0 1 2

3 (ш-ш„)-Ючг

Рис. 89. Результаты расчета по формулам (34.1) и (34.2) для значе­ ний параметров, указанных в табл. 7;

ш =2 • 10«.

18 в. А. Кизель

2 7 4

ПРИМЕНЕНИЯ ЯВЛЕНИИ ОТРАЖЕНИЯ

[ГЛ. 7

П,Х R

§ З'Ц

ФОРМА ПОЛОСЫ ОТРАЖЕНИЯ

27 5

4) при малых Nil 11 Г контур полосы отражения поч­ ти совпадает с контуром полосы поглощения и имеет максимум очень близко к сор<!3;

г

15

W

0,5

о

-в -о - г о г o b (s>-<spio-1s

Рис. 89 (продолжение)

5)при росте Nif отражение усиливается, максимум смещается в сторону больших частот и становится ме­ нее острым, полуширина полосы отражения растет;

6)при росте Г отражение падает '), максимум не сме­

щается и становится менее острым, полуширина растет;

*) Физическая причина этого заключается в том, что с ростом затухания в среде 2 все .большая часть электромагнитной энергии диссипируется.

І8*

276

ПРИМЕНЕНИЯ ЯВЛЕНИИ ОТРАЖЕНИЯ

[ГЛ. 7

7) в областях, где поглощение практически отсут­ ствует, п асимптотически приближается к единице, а R стремится к нулю.

Рис. 90. Результаты расчета по формулам (34.1) и (34.2) для значе­ ний 0) ^ = 2- ІО15;

а ) для значений N f = 5 • 101“ н Г = 2 • 10“ (/), 2 -IO10 — (2), 2 • 10" — (3)..6 • 10" — С*).

12-10" — ( 5 ) ,

48-10" — (б);

б) для значений Г = 2 ■10" н

10'“ — (/),

5 -

ІО18—(2), 2,5-

Ю'“- ( 3 ) , 10'“—(4), 5- ІО17—(5), ІО17—(6).

 

Если, кроме рассматриваемой полосы, есть и другие, достаточно далекие, чтобы их вклад в дисперсию мог изображаться постоянной величиной По (или поглощаю­ щие частицы находятся в прозрачных растворителях

§ 341

ФОРМЫ ПОЛОСЫ ОТРАЖЕНИЯ

277

или матрицах с показателем преломления п0для и ~ соР), то в правой части (34.1) и (34.2) вместо единицы сле­

дует поставить nt . В этом случае на кривой R (со) воз­ никает справа минимум.

Т а б л и ц а 7

Г

2 • 10'°

 

 

 

 

 

48-10"

 

10"

2-10"

6-10"

12-10"

24-10"

10'7

л=о,зб

0,092

0,037

0,0013

0,001

0,00023

0,00007

 

я=1,88Я

0,665

0.384Д

 

«=2,13

1,29

1,20

5 • ІО17

 

«=0,61

0,38

_

0,092

_

0,0068

 

 

я = 1,88

1,39«

_

 

 

 

/1=2,13

1,84

 

10іа

 

 

«=0,61

_

0,092

_

0,007

 

 

 

 

 

 

Я=2,11В

 

 

 

 

« = 2,44

 

 

5 • 10IS

fi>0,99

>0,95

0,91

0,74

_

0,32

0,13

 

Я=14,ІЖ

6,89

5,0Iß

2,51

1 22

и,743

 

/1 = 14,2

7,01

5,15

2,84

1,73

1,40

IO13

 

 

fl=0,95

_

_

_

0,33

 

 

 

 

 

 

 

я=7,14

1,23

 

 

 

/1=7,24

 

---

1,73

5 • 1019

 

«>0,99

>0,99

 

 

 

 

 

 

я =44,7

14,1/1

 

 

 

 

 

 

/1=44,7

14,1

 

 

 

 

R

макс

х макс’

"макс могут относ,1ться к

различным

значениям

со.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

На

_рис.

91 приведен результат расчета

[020]

для

,го ==1/Г14и

близких к нашим

 

прочих

параметрах;

ср.

также рис. 48, 49, 78.

 

 

 

 

 

 

 

На рис.

92 показаны кривые R {со) для «остаточных»

лучей («решеточного отражения») от

некоторых

полу­

проводников.

 

 

 

 

 

 

 

Сдвиг Яыаі(0 и Иманс Для остаточных лучей

может

быть весьма значительным.

 

получено [02]:

 

 

 

Так, для «остаточных лучей»

 

 

 

 

 

П олож ение максимума, м к м

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Поглощ е­

Отра­

 

 

 

 

 

 

 

 

ние

жение

 

 

 

 

 

Фтористый литий

 

3 2 , 6

1 7 .0

 

 

 

 

 

Хлористый рубидий

 

84,8

7 3 . 0

 

 

 

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ