Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Шваб А. Измерения на высоком напряжении. Измерительные приборы и способы измерения

.pdf
Скачиваний:
38
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
9.97 Mб
Скачать

 

 

ны

моста

Л (рис.

167).

 

 

В этой схеме емкость С3

 

 

по

отношению

к

земле

 

 

высоковольтной

стороны

 

 

питающего

трансформа­

 

 

тора

(емкость

обмотки,

3

 

проходного

 

изолятора,

 

 

коронирующих

подводя­

 

 

щих проводов),

имеющая

 

 

потери, оказывается

под­

 

 

ключенной

параллельно

 

 

испытуемому объекту. По­

Рис. 167. Мост Шеринга для

этому сначала при отклю­

ченном испытуемом

объ­

испытуемых объектов с односто­

екте

определяют емкость

ронне заземленной обкладкой

(за­

землена вершина моста А).

 

С3 и ее tgö3, а затем еще

С3, С3 — паразитные емкости по

отно­

раз

уравновешивают

шению к земле.

 

мост при

подключенном

 

 

испытуемом объекте. Дей­

ствительные значения С\ и tgöi определяются по изме­ ренным во втором случае величинам С \ и tgö'i:

Ct=C'i—Qз,

irr £ _ б7] tg S', CgtgSg

щCj

Точность измерения сильно снижается, если общие С'і и tg5'i в основном определяются емкостью по отно­ шению к земле С3.

У универсального моста для измерения емкости и tg б по Полеку [Л. 349, 360] предусмотрен дополнительный прибор, с помощью которого производят уравновешива­ ние при отключенном испытуемом объекте. В этом слу­ чае после основного уравновешивания не требуется про­ изводить пересчет для исключения влияния паразитной емкости Сз.

Паразитная емкость С3, параллельная третьему пле­ чу, должна быть учтена, если угловая погрешность, рав­

ная ДдаСз,

соизмерима с требуемой точностью. У уни­

версального

моста для измерения емкости и tg б эта

угловая погрешность компенсируется описанным в §24, в уравновешиванием емкости.

190

б) М-схема

В схеме, предложенной Шерингом и Поттхоффом (рис, 168) (Л. 357, 358], предусматриваются высоко­ вольтные катушки с постоянной взаим-оиндуктивностью Мі и низковольтные катушки с регулируемой взаимоин­ дуктивностью М2. Во вторичных катушках (высоковольт­ ной и низковольтной) индуктируются напряжения, кото­ рые сдвинуты на 90° по от­ ношению к зарядным токам конденсаторов Сі и С2, а между собой на угол бі.

Уравновешивание по вели­ чине производится взаимо­ индуктивностью М2, а по углу диэлектрических потерь—со­ противлением Ri. В уравно­ вешенном состоянии моста справедливы уравнения

/-* _

,

 

—"ж г

2!

Рис. 168. .М-схема по Шерингу

 

 

 

 

и Поттхоффу для испытуемых

 

 

объектов с односторонне за­

При сравнении

результа­

земленной обкладкой.

 

тов, полученных на М-схеме,

 

с результатами измерения мостом Шеринга нужно ем­

кость Сі пересчитать, так как М-схема измеряет емкости

с потерями по параллельной схеме замещения. При точ­

ных измерениях tgö к полученному значению tgöi

сле­

дует прибавить поправочный член порядка 5 -ІО-4,

учи­

тывающий угловые погрешности взаимоиндуктивностей и потери на вихревые токи в катушках и экранах. При установке моста следует обратить особое внимание на то, чтобы не было внешних полей рассеяния, так как взаимоиндуктивности, выполненные в виде катушек без сердечника, очень чувствительны к ним.

в) Измерение tg б способом затухающего колебания

В схеме, описанной в [Л. 360, 361], подлежащий исследованию конденсатор заряжается от источника вы­ сокого напряжения малой мощности (рис. 169). После

191

окончания процесса заряда конденсатор С\ разряжается на индуктивность с малыми потерями (L). По логариф­ мическому декременту затухания колебания можно опре­ делить тангенс угла диэлектрических потерь конденсато­ ра по формуле

 

 

tg8C| = (* / « ) - t g 8 t>

 

 

 

 

 

где Х = 1п Лі/Л2 — логарифмический

декремент

затухания

колебания,

равный натуральному логарифму

отношения

 

 

 

 

 

двух

амплитудных значе­

 

 

 

 

 

ний колебания, сдвинутых

 

 

 

 

 

друг

относительно друга

 

 

 

 

 

на период, а t g 8ь =Я'оуЬ,

 

 

 

 

 

причем

R' — активное со­

 

 

 

 

 

противление катушки, из­

 

 

 

 

 

меренное

на

переменном

 

 

 

 

 

токе. Значение tgö, опре­

Рис.

169. Измерение tg ö

по спо­

деленное

описанным

спо­

собом,

можно

сравнить

собу

затухающего колебания.

с результатами измере­

С\ — односторонне заземленный

изме­

ряемый объект;

L — разрядная

катуш­

ния мостом Шеринга. При

ка с

малыми

потерями;

RQ, С0 —

искусственная

схема для

получения

этом следует

иметь в ви­

упрощенного более точного

отсчета.

ду, что из-за сравнитель­

 

 

 

 

 

но

малого

промежутка

 

 

 

 

 

времени

 

измерения

ре­

зультат измерения

по этому методу искажается за­

висимостью

tgö от

времени,

под

которой

 

понимается

не тепловой эффект, достигаемый за длительный про­ межуток времени, а абсорбционная зависимость tgö, проявляющаяся в течение долей секунды. Кроме того, частота колебаний почти всегда отличается от 50 Гц, что при явно выраженной частотной зависимости tgö искажает результат. При внесении соответствующих поправок и проведении описанных перерасчетов способ затухающего колебания представляется перспективным в приложении к измерению параметров технических кон­ денсаторов. Этот способ имеет еще и то преимущество, что для него нужен источник испытательного напряже­ ния малой мощности. Поэтому способ затухающего ко­ лебания рекомендуется в первую очередь для измере­ ния tgö у заложенных в грунт кабелей,где испытуемый объект заземляется с одной стороны и для его заряда необходима большая мощность.

192

26. ИЗМЕРЕНИЕ ЧАСТИЧНЫХ РАЗРЯДОВ

В начальные периоды развития электротехники оценка качества изолирующего устройства производи­ лась по сопротивлению и электрической прочности изо­ ляции. В процессе поисков неразрушающих способов испытания изоляции обнаруженная зависимость значе­ ния tgö от напряжения создала дополнительную воз­ можность контроля изоляции. Однако измерение tgö не всегда обнаруживает локальные слабые места в виде газовых включений или трещин. Уже при сравнительно небольших напряжениях в этих пустотах происходят внутренние разряды, называемые теперь частичными, которые с течением времени уменьшают поверхностное сопротивление пустот [Л. 362]. В конечном итоге полость становится проводящей, сокращая изоляционное рассто­ яние, вследствие чего снижается срок службы аппарата. В действительности механизм старения и развития пере­ крытия при рабочем напряжении значительно сложнее и в настоящее время является предметом многочислен­ ных научно-исследовательских работ.

Если внутри высоковольтного аппарата обнаружива­ ются частичные разряды, то это является сигналом для конструктора о том, что внутри изоляции имеются сла­ бые места. Путем соответствующих конструктивных ме­ роприятий и местного усиления изоляции можно частич­ но снять электрическую нагрузку с точек с ослабленной изоляцией и тем самым заметно увеличить срок службы аппарата.

Кабели с пластмассовой оболочкой или аппараты, изолированные литой смолой, могут иметь многочислен­ ные пустоты, обусловленные технологией изготовления, разрушающее действие разрядов в которых проявляется даже при воздействии рабочего напряжения [Л. 392,427]. Их наличие обнаруживается при измерении значения tgö в виде ионизационного колена. Однако измерение tg б может дать одинаковый результат как в случае ред­ ких сильных разрядов, так и в случае большого числа слабых безопасных разрядов [Л. 363]. Незначительные производственные дефекты часто не удается обнаружить по ионизационному колену. Поэтому для правильной оценки качества изоляции, помимо измерения значения tgö, дополнительно применяют различные способы из­ мерения частичных разрядов. Разработка техники изме­ рений частичных разрядов еще не завершена. В настоя-

193

Щее время проводят многочисленные исследования по определению таких параметров частичных разрядов, ко­ торые могли бы служить критерием их фактической опасности для испытуемого объекта и могли бы быть воспроизведены при любых условиях с достаточной точ­ ностью [Л. 378, 379, 395] — задача достаточно сложная, так как значения, измеренные определенным прибором, зависят от многих параметров испытательной установки и испытуемого объекта.

Ниже описано несколько способов измерения частич­ ных разрядов, хорошо зарекомендовавших себя в раз­ личных схемах [Л. 420]. Чтобы можно было сопоставлять получаемые результаты, рекомендуется соблюдать указа­

ния норм NEMA

(National Electrical Manufacturers

Association — США)

[382, 403], ASTM (American

Society for Testing and Materials — США) [404] и VDE — ФРГ [Л. 380, 384, 385, 420] Г

Частичные разряды в пустотах сопровождаются дру­ гими электрическими и физическими явлениями, которые могут быть использованы для количественной оцен­ ки, а также определения местонахождения пустот. По­ мимо визуальных наблюдений (при возникновении тлею­ щего разряда) и акустических явлений (коронирования, шипения) для обнаружения внутренних частичных раз­ рядов используют в первую очередь токи во внешней токовой цепи и связанные с ними электромагнитные поля.

Изоляционный материал с внутренними частичными разрядами может быть показан в виде упрощенной схе­ мы замещения, изображенной на рис. 170. Емкость С% соответствует емкостям воздушных включений, которые время от времени шунтируются электрическими разря­ дами (выключатель F)\ Cj представляет собой емкость остающегося изоляционного расстояния при шунтирован­ ных разрядом пустотах, С3— остающаяся, свободная от частичных разрядов емкость испытуемого объекта. В са­ мом общем случае Сі^Сг-ССз. Возникающие во время разрядов импульсные смещения зарядов АСЬ на обклад­ ках емкости Сісоздают явно выраженный ток іг(і),кото-1

1 В СССР при измерении частичных разрядов до введения соот­ ветствующего ГОСТ следует руководствоваться рекомендациями РТМ «Трансформаторы силовые. Измерение частичных разрядов при испытаниях напряжением промышленной частоты», 1У7І. Прим,

ред.

194

рый в схеме замещения испытуемого объекта может быть учтен путем добавления источника постоянного то­ ка с очень большим внутренним сопротивлением R% (рис. 171). Такая схема замещения правильно передает качественную картину физических явлений, наблюдае­ мых при исследованиях частичных разрядов. Однако при количественном рассмотрения иногда возникают трудно­

Рис.

170.

Упрощен­

Рис. 171. Схема заме­

ная

схема

замещения

щения с генератором им­

конденсатора с воз­

пульсов тока.

душными

включе­

 

ниями.

 

 

сти, так что некоторыми авторами были предложены более сложные схемы замещения (Л. 362, 424, 425, 426].

Импульс тока k{t) может быть измерен способами, описанными ниже.

а) Четырехполюсник связи в заземляющем проводе испытуемого объекта

Четырехполюсник связи RM включают в заземляю­ щий провод испытуемого объекта (рис. 172). Возникаю­ щий на RM импульс напряжения подается по коаксиаль­ ному кабелю на измерительный прибор. На практике параллельно сопротивлению RM подключают разрядник для защиты от перенапряжений измерительного прибо­ ра; кроме того, между отпайкой от RM и одним из вы­ ходных зажимов включают еще последовательно конден­ сатор Ск, чтобы на измерительный прибор не попадали зарядные токи низкой частоты. Сопротивление RM вместе с разрядником и развязывающим конденсатором С& часто монтируют в одном корпусе, имеющем два входных (токовых) и два выходных зажима (отбор напряжения для подключения соединительного кабеля

195

к измерительному прибору). Такой прибор получил на­ звание «четырехполюсник связи».

Когда емкости

испытуемых объектов невелики, со­

противление Я м

может быть активным [Л. 378]. Целе­

сообразно согласовать его с волновым сопротивлением

соединительного

кабеля к измерительному прибору.

Если выбрать

с целью получения большой ампли­

туды напряжения, то импульс вследствие значительных емкостей у применяемых кабелей получается сглажен-

Рис. 172, Четырехполюсник связи RM в заземляющем проводе испытуемого объекта.

ным [Л. 364]. Амплитуда импульса тока, протекающего по сопротивлению Ям, не может быть вычислена в этом

случае по закону Ома из максимального значения им­ пульса напряжения [Л. 364, 365, 371].

Если для измерения применить рассматриваемые да­ лее селективные измерительные приборы, то в качестве четырехполюсника связи можно использовать настроен­ ный в резонанс колебательный контур. Это особенно целесообразно для испытуемых объектов большой емко­ сти, так как в такой схеме исключаются падение напря­

жения на Я м

и тепловые потери от зарядного тока низ­

кой частоты.

Одновременно существенно повышается

чувствительность схемы. Протекающий по сопротивле­ нию Я м импульс тока не идентичен току частичного раз­ ряда i%{t). В зависимости от постоянной времени изме­

рительного контура получаются приведенные в табл. 2 зависимости между величинами, измеренными на сопро­ тивлении Я м и токами іг(0> отнесенными к AQz(t).

При высоких частотах цепь тока частичного разряда замыкается через паразитные емкости со стороны высо-

' 196

см

 

 

рQt

со

 

 

sf

 

 

Л

я

 

 

 

ч

 

 

 

 

 

 

те

 

 

 

Н

 

 

 

со

 

V

*

 

 

н

 

 

О

 

 

8

 

 

 

 

 

or

 

 

 

р

 

 

 

А

кабель

 

р

(> *Я ®

р

Длинный

 

 

V

 

 

 

 

 

 

р

С учетом индуктив­

ности подводящих про­ водов и элементов схе­ мы

т М и

индуктивности

и

 

с*

учета Без

проводов { подводящк

схемы элементов

р

 

 

 

А

 

 

 

р

 

 

 

р

 

 

 

V

 

 

 

£

Величины, измеренные

у четырехполюсника связи и предъявляемые требования

 

к

К

ф

tf

о

Q ,

С

О К

фь

Г<5

о»

«Q

^ ^ е

*5 г а

N

 

к

 

о;

 

■о

о *

•*

U

 

09

 

ея

тС

C^)

С У

 

^

с

s

■rf

«о

ем

^

*-N

М

 

О

 

I

 

из­

а м

быть

 

Должно вестно

«

 

 

ч

 

 

ф

 

 

et

о»

 

ф

N)

CU

<

с

г

 

о к

 

и

 

 

н

 

 

 

ч

 

 

ф

 

 

*=t

 

Он

ф

 

Он

 

с

е .

 

о

о

 

МР"

£о

 

N

 

 

 

м

N

 

 

 

С

У

 

 

 

 

<3

 

І-1-

 

 

 

S

N

■ « ь

^

 

 

 

 

.

?

і

o '

^

 

 

 

 

 

 

и

~[«н

0?

 

 

 

 

*

1

о

 

 

 

ея

 

 

 

Cj

 

 

 

 

С

У

J

Ч .

О

 

 

<3

O '

А

 

 

 

 

 

о

О

 

 

 

 

 

•S

^

 

 

 

 

 

М

р

 

 

 

«

о

 

и

 

 

 

1 е

 

 

С

У

 

 

 

 

 

 

 

1

и

 

 

 

 

 

 

*

 

 

 

N

Со

s

°

 

 

 

 

 

С У

 

^

с І

 

 

^

 

О

“ і и = f ( 0

Должно быть из­ вестно

---------------— ------------------------- —

т

| а іИ dt 0

Должно быть из­ вестно

197

ковольтной обмотки трансформатора и через дополни­ тельно подключенную замыкающую емкость С4. Легко видеть, что напряжение uM(t) на сопротивлении RM с увеличением емкости С4 повышается, а с увеличением частичной емкости С3 испытуемого объекта понижается.

При измерении короны на высоковольтных экранах замыкающую емкость С4 отключают и принимают меры к тому, чтобы паразитная емкость С3 была по возмож­

ности малой,

так как при таком измерении четырехпо­

люсник связи

шунтируется емкостями С4 + С3 [Л. 366].

Постоянная времени измерительного контура схемы по рис. 172, если пренебречь индуктивностью подводя­ щих проводов и элементов схемы, для согласованного

случая

(RM = Z) равна:

 

 

 

-

_

С3 (С4 + С3)

%м р

 

 

ZM — 2

с 3 + С4 + С3 —

2“"илг

б)

Четырехполюсник связи соединен

последовательно

с измерительным конденсатором

Если четырехполюсник связи RM включен последо­

вательно

с замыкающим конденсатором С4 (рис. 173),

то паразитная емкость

С3 уменьшает амплитуду импуль­

са напряжения на RM.

Если пренебречь индуктивностью,

Рис. 173. Четырехполюсник связи RM в заземляющем проводе замыкающе­ го конденсатора С4.

С3 — паразитная емкость высоковольтного

трансформатора; Z — волновое сопротивле­ ние коаксиального соединительного кабе­ ля к показывающему прибору; Ch

емкость кабеля.

98

то постоянная времени измерительного контура для слу­ чая RM = Z равна:

_ __ R M С \

( С Ь + С 3)

К м

г

2 С 3 + С 4 + С 3 —

2

м -

Часто не удается пренебречь общей индуктивностью подводящих проводов и элементов схемы (L). На экра­ не электроннолучевого осциллографа в этом случае вид­ но наложение колебаний на импульс напряжения «м(0> возникающий на сопротивлении Ям. Частота / этих коле­ баний при небольших габаритах испытуемого объекта соответствует собственной частоте измерительного кон­ тура, которая может быть определена (если известны

собственная частота <до=1/]^LCM и относительное зату­ хание к = RM/2L(ÖO) как

Поправочные коэффициенты для пересчета амплитуд­ ного значения им при колебательном процессе измене­ ния заряда AQ2 приведены в [Л. 371].

При протяженном измерительном контуре колебания, наложенные на импульс, обусловлены волновыми про­ цессами на ошиновке, так как для импульсов частичных разрядов с очень крутым фронтом проводник длиной в несколько сантиметров уже должен рассматриваться как линия с распределенными параметрами. Эти линии почти всегда рассогласованы, что приводит к явно вы­ раженным колебаниям [Л. 83]. Явления колебаний могут быть ликвидированы, если соединительные провода за­ мкнуты на активное сопротивление порядка 300—500 Ом.

в) Испытуемый объект с распределенными параметрами

Приведенные выше рассуждения . справедливы для испытуемых объектов, емкость которых в схеме замеще­ ния может быть принята сосредоточенной. Например, короткие отрезки кабеля можно считать сосредоточен­ ной емкостью, когда их .длина мала по сравнению с дли­ ной импульса частичного разряда k{t), возникающего в кабеле в виде бегущей волны. При исследовании длин­ ных кабелей или обмоток трансформаторов испытуемый объект нужно рассматривать как длинную линию. Рису-

199

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ