Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Алексеев А.И. Колебательные цепи. Параллельный контур учеб. пособие для курсантов ХВВУ

.pdf
Скачиваний:
15
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
2.46 Mб
Скачать

широко применяется для оценки избирательных свойств нагруженного параллельного контура.

Эквивалентная добротность системы контур-источник численно равна добротности условного реального вполне параллельного конту­

ра

(рис. 36,г)

с параметрами

R = R3

и р

.

 

Добротность вполне

параллельного контура равна

 

 

 

 

 

 

Q

=

у -

'

(ЮО)

 

Подставляя

(84)

в

(100),

получаем

 

 

П

_

_ __^ое

 

_

Q

}

 

Ч Э

 

?

 

 

 

N*t

 

1 + - І 21

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К\_

 

где

KQe ,

р

,

Q

-

параметры параллельного

контура в исход­

ной цепи (рис. 36,а ).

 

 

 

 

 

 

Этот метод обычно используется для расчета эквивалентной доб­

ротности и более сложных цепей,

содержащих параллельный контур

(рис.39,а ). На рис.

39 показана

последовательность схемных преоб­

разований.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 39.

Эквивалентная добротность условного

контура

 

Q =

=

Roe М

и _________

 

 

?

Р ^ А ^ о е ' Ѵ Ѵ н )

 

 

 

■ое

“V-

'ое

 

( Ю І )

 

 

i +

 

'“Ч

 

 

 

 

" H

 

 

 

полоса пропускают резонансной кривой напряжения на контуре

 

п э =

і “

Ч 1 + ^

 

1 7

) ■

(І02)

амплитуда напряжения на контуре на резонансной частоте

и_ _ L o _ І ___________ ®ss________

R,

*3

R.

 

 

Ros

(ЮЗ)

Эквивалентная добротность

ц э

ß;

ß H

 

во всех

приведенных выше соот­

ношениях - это

условный параметр колебательной цепи. Если величи­

на добротности

собственно контура Q

определяет количественные

соотношения между амплитудами токов в ветвях

I и, I с

и подводимым

к контуру током

I

на

резонансной частоте

 

 

 

\ р а

Ѵ

- С і : Ѵ

 

 

то эквивалентную добротность следует рассматривать как некоторый вспомогательный параметр, предназначенный для оценки только формы частотных характеристик нагруженного параллельного контура.

Полоса пропускания нагруженного контура существенно зависит от величин сопротивлений нагрузок ß^ , б н . В реальных схемах различных электронных устройств величины ß-L и RH выбираются боль­ шими только в тех случаях, когда необходимо иметь минимально воз­ можную полосу пропускания системы.

 

Гораздо чаще при расчете и проектировании устройства выдвига­

ется

задача согласования

колебательного контура с внешней цепью

при заданных резонансной

частоте

и полосе пропускания П^ сис­

темы источник-контур-нагрузка (рис. 39,а ).

 

В простейшем случае

для цепи источник-контур (рис. 36,а) ус­

ловие

согласования может иметь вид

 

й ; “ 2 b W

K «

(104)

Полоса пропускания нагруженного контура

с учетом сформулиро­

ванных выше требований должна удовлетворять следующему условию:

 

П

= —

 

 

 

 

(105)

 

3

о*,

 

^

К;

удовлетворяющего условиям

 

Параметры параллельного контура,

(104)

и (105),

равны

 

 

 

 

 

 

 

 

С =

і

 

 

(106)

 

 

 

£ П 3 R-,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

L

 

w* C

ÜL?L

(107)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

г

=

 

n \ ß i

(108)

 

 

 

*1

T~

 

 

 

 

 

 

%

 

 

 

Расочитаем параметры контура для двух величин внутреннего

сопротивления источника

R-t =100

кОм

и

s i кОм при заданных

j1 »

500 кГц и

 

rij

=20

кГц.

 

 

 

Р

В первом случае

R-t = 100

кОм,

 

 

 

 

 

 

 

1

 

159

ncp,

 

 

 

 

3,14-20- \оъ-ios

 

 

 

 

 

20-10*- Ю5

= 0,637 мГи ;

 

 

 

 

4-3,14- 25 • 1010

 

 

г

=

 

4-Ю8 -Ю5

40 Ом .

 

 

 

4 - г з - іо 10

 

 

 

 

 

 

 

Для второй величины внутреннего сопротивления источника ß-L=1 кОм, величины параметров контура соответственно равны С =15,9 ІО5 пФ, L =6,37 мкГн и ^ =0,4 Ом.

Первый случай соответствует ламповым вариантам электронных схем (в типовых режимах современные электронные лампы имеют вели­ чины выходного сопротивления ~ ІОО-ІООО кОм). Реализовать первый контур технически несложно.

Вторая величина =1 кОм соответствует широко распростра­ ненным транзисторным схемам. Обеспечить полученную величину сопро­

тивления

потерь

1

=0,4

Ом

при ветчине емкости

контура С=15,9»

•ІО5 пФ

для второго случая практически невозможно (с увеличением

емкости

возрастают

токи в

ветвях контура, что неизбежно приводит

к значительному

уветченкю

потерь).

 

Уменьшение

ветчины

R-L до десятков и сотен

Ом еще более

усложняет задачу практической реатзации таких схем, поэтому воз­ никла необходимость в разработке таких колебательных контуров, в

которых удается обеспечить

согласование с внешними цепями, обла­

дающими малыми ветчинами

входных (выходных) сопротивлений,- при

технически

приемлемых ветчинах L

и 2 .

Сложные параллельные

контуры, в частности контуры второго и

третьего

вида (рис. 3 ,б ,B)f позволяют

решить эти проблемы.

{ 8. СЛОЖНЫЙ ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ КОНТУР

ТРЕТЬЕГО ВИДА

Входное сопротивление

Схему сложного параллельного контура третьего вида (рис. 40) можно получить из простого паралельного контура, разделив его ем­ кость. Поэтому обычно схему этого контура рассматривают как парал­ лельный контур с частичным подключением к емкости.

Суммарная емкость контура

(109)

Ветчину

(ІЮ)

называют коэффициентом подключения к емкости контура. На основании (109), (ІЮ )

 

 

 

 

О, =

tп

 

( І И )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

С, =

1 - ш

 

(112)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Входное сопротивление

контура

 

 

 

 

і

_______

.

і

 

 

 

2 6х =

:-цсДг +JcüL -1сое?^

 

 

 

 

 

 

 

С учетом (109) -

(ІІ2 )

2 +jC0L-j

+

- Ц

 

 

 

 

 

сеС,

 

иСг'

 

Ze - mR

 

t - ( t - m X - r ) "

^

 

(И З)

 

oe

 

 

 

 

 

Qx

ь

* L)

 

 

где § =

 

 

 

 

- аатухание контура;

 

 

 

 

p =

_ L

Ц С и С г )

^oe

1

 

 

Q = J L = -L

U G ^ C a )

4

г

г

с ,с г

Jo

- L . - / 1 Z Î _Сг_

2зг

V LC, С,

(m )

(115)

(Пб)

На основании (И З) модуль и аргумент входного сопротивления определяются следующими зависимостями:

7 е = naß

[ Ц і-mХт~)2]

^ )2 .

(ІІ7>

Л ох сл

2, 4

+ n2

>

- - H

Для простого параллельного контура

ь

т ) г

(,119)

SP - o-actcj Q. Y

( 120)

 

Даже простое сравнение соотношений (117) и ( Ш ) ,

(118) и

(120) дает наглядное представление о существенных различиях меж­ ду соответствующими характеристиками простого и сложного парал­ лельных контуров.

В отличие от простого сложный параллельный контур можетиметь

две резонансных частоты.

 

 

Из (118) находим

соел = Q

, если

или

[ ' - "

- ф ' і н

- PЬ ' н

- 0

 

 

(_1L ) =

з - ^ Ѵ

Ѵ

с п

г ^ ) 2-

^

(I2 I)

 

to

 

2

 

 

 

 

 

Уравнение (121) имеет вещественные решения только в том слу­

чае,

когда

 

 

 

 

 

 

 

 

L2.2

■0.2

> О

 

 

 

( m + 8 г ) - 4 -8

 

 

или

 

 

 

 

 

 

 

 

 

m K p - S C 2 - S ) ,

 

№ 2 )

т .е . в сложном параллельном

контуре резонансы возможны только при

определенных величинах коэффициента подключения.

 

Справедливость

этого

вывода хорошо

подтвѳркдаѳтся

графиками

зависимостей

проводимости

емкости

и реактивной

составляющей

проводимости

правой

ветви

контура 6 2 ,

изобраненйыми

на

рис. 41.

(123)

*= СОС,

Ба =* tlm '/g *“ 3m

*2 г

отсюда

со CÙ02.X <и- ^02 Q '

а

1

•г

где Q2 , coo2 - параметры последовательного контура L , С2» Z образующего правую ветвь сложного параллельного контура ;

i L

■г“ ъ V С

 

 

w °a"

v k

 

 

Функция

имеет экстремумы

 

на частотах

І^ гU t

= ^2 макс“ Y z

 

 

 

 

т.ѳ. на границах полосы пропускания последовательного контура L ,

Са ,

* .

 

 

 

 

При величинах коэффициента подключения

график

-

(рис. 41)

перѳоекаѳт кривую ß>a (Jp

в двух точках I и 2,

которые соответствуют резонансным частотам сложного контура(в точ­ ках 1,2 суммарная реактивная составляющая входной проводимости

контура

6,+ В2 -

Q ).

Если

т - іѴ 2 - § ') ,

п р я н а я н е пересекает кривую ß2(j)

ни в одной точке. В этом случае входное оопротивление сложного контура остается комплексный на любой частоте. Наконец, при вели­ чине т.«* ^(.2- S') прямая -&,(.■$) касается кривой b2(J) только в од­ ной точке на частоте

Для величин коэффициента подключения пг ^ т <о-= 8(^2-В) резо­ нансные частоты сложного контура определяются следующими соотноше­

ниями:

 

,------------------------------- ------ -

 

 

 

[П7.+ t)2) -

ЪЧ - U 2

(126)

 

 

 

 

 

 

2 - (пг

m -b'è2)2 Ъ г

(127)

 

 

 

 

Частота

^

(рис. 41) близка

по величине к резонансной часто­

те последовательного контура L ,Сг и X . Действительно, при

(т +S г )г

4 § г

 

 

•f = f

/ 2 - ( m t ~ P ) - ( т + S 2)

tT\ J0 2

JPH

JO V

2

= i„ / T

На этой частоте входное сопротивление сложного контура мини­ мально, так как в основном оно определяется малой величиной сопро­ тивления правой ветви контура:

г мин = г

1

 

4 2

 

і -

[6 * с л ^ ог)

і - m -В*

^ 1

A

2in

Анализируя соотношение (127), нетрудно заключить, что макси­ мальное отклонение величины от частоты независимо от прием­ лемых для практики величин затухания контура § имеет место лрм критическом значении коэффициента подключения в контуру m . = r n ­

is этом случае

- ѴіТв - і - - 4 - ^ »

т .е . абсолютная расстройка Д

j

J В равна половине

полосы пропускания контура (относительная расстройка на границах полосы пропускания £ п = ± -L § ).

График зависимости относительной расстройки от величины ко­ эффициента подключения т. изображен на рис. 42. В таблице 4 при­ ведены результаты расчета этой же аависимооти для контура

с добротность»

Q

*20

(затухание 'b *0,05,

критическая

величава

коэффициента подключения

*0,0975).

 

Т а б л и ц а 4

 

 

 

 

 

 

 

 

НТ.

 

 

0 , 1

0 . 2

0 , 4

0 , 6

0 , 8

 

Д Ір t

о /

 

2

0 , 6 7

0 , 5 7

0 , 1 9

0 ,1 6

 

+.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Jo

 

 

 

 

 

 

 

M> e 4і£ , о;

4 0

1 3 ,4

І І , б

3 . 8

3 , 2

п

tu '

lo

 

 

 

 

 

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ