Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Клейнер, Э. Ю. Основы теории электронных ламп учебное пособие

.pdf
Скачиваний:
17
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
13.38 Mб
Скачать

(рис. 2.18) или приложением П.2.5, определив предварительно £/„ по

(2.50) и затем — I/у*

4) по найденному значению / J I m вычисляют / а.

Исходя из (2.37), представляющего решение для (3-области междуэлектродного пространства, можно указать приближенные формулы для расчета характеристик с учетом начальных скоростей, похожие по своей структуре на простой закон степени 3/2 [см. (2.8)]. Если

взять только первый член ряда и вместо £

и г|

подставить выражения

(2.34) и (2.35),

то получается как первое приближение

 

/а =

2,33 • 10-«

при

d „ - в см],

(2.52)

 

где Um< 0.

 

 

 

Учет первых двух членов ряда дает в кЗчестве второго приближе­ ния, если в квадратной скобке пренебречь слагаемым относительно малой величины

/а = 2,33 • Ю-а^ а~ ^ / / г 1 + 2,66

1а ак х т )

Выражение (2.52) соответствует (2.8), если считать, что поверх­ ность катода перенесена в плоскость минимума. Оно переходит в (2.8), если положить Um = 0 и Хщ-= 0. Выражение (2.53) отличается от (2.52) наличием множителя в квадратных скобках, который всегда больше единицы и при малых Uа может составить несколько единиц. Выражение (2.52) представляет собой грубое приближение и для точ­ ного расчета характеристик, в особенности при малых Uа, мало при­ годно; оно интересно в основном тем, что по нему виден переход от точного решения к простому закону степени 3/2. Выражение (2.53) по сравнению с истинным значением дает относительно малую ошибку, не превышающую 5% для диодов с оксидным катодом при > \Um\. Сравнивая (2.53) с (2.8), видно, что при одинаковых Uа истинное значение / а, т. е. / а с учетом начальных скоростей, значительно боль­ ше значения / без учета начальных скоростей; это следует из того,

что в

(2.53):

анодное напряжение

больше

приложенного на

1)

действующее

) действующее междуэлектродное расстояние меньше геометри­

ческого на хт\

 

 

 

3)

содержится дополнительный множитель в квадратных скобка

больший единицы.

 

 

 

При расчете характеристики по (2.53),

так же

как при использо­

вании кривой г] =

/ (£) (см. рис. 2.13), надо исходить из выбранного

значения плотности тока и определять соответствующее Uа. Необхо­

димые значения Um и Хщ находят по графикам рис.

2.15 и 2.16, исходя

из известных Т к и / э.

 

 

О

величине

ошибки, совершаемой при использовании простог

закона степени 3/2,

можно составить себе представление по рис. 2.19,

60

2.20 и 2.21. На рис. 2.19 для плоского диода с оксидным катодом и

междуэлектродным расстоянием d ai( = 0,1

мм приведены характерис­

тики для трех значений Т к,

рас­

у а, лл4/см2

 

 

 

 

 

считанные по кривым Ленгмюра

 

 

 

 

 

или

Ферриса,

и

 

для

сравне­

 

 

 

 

 

 

 

ния

характеристика,

рассчи­

 

 

 

 

 

 

 

танная

 

по

(2.8).

Рис.

 

2.20

 

 

 

 

 

 

 

показывает,

во

сколько

 

раз

 

 

 

 

 

 

 

при

 

d aK = 0,1

 

мм

анод­

 

 

 

 

 

 

 

ное

напряжение,

 

рассчитанное

 

 

 

 

 

 

 

по (2.8)

 

(U о),

 

отличается

от.

 

 

 

 

 

 

 

величины {/а., найденной для

 

 

 

 

 

 

 

того же значения

 

d aH

с учетом

 

 

 

 

 

 

 

начальных

скоростей

(Uav).

 

 

 

 

 

 

 

Рис.

2.21

дает

отношения зна­

 

 

 

 

 

 

 

чений d aK,

получающихся при

 

 

 

 

 

 

 

определении

геометрии

лампы

 

 

 

 

 

 

 

по заданным

анодному

напря­

Рис. 2.19. Характеристики плоского

жению

и

плотности

анодного

тока,

если расчет

вести без уче­

диода

с

оксидным катодом

с учетом

та №цо) и с учетом

начальных

начальных

скоростей

электронов при

Тк =

950

К (/),

Тк =

1050

К (//) и

скоростей (daiiV).

Из

рисунков

7'к =1150

К

(///)

и без учета началь­

видно,

что расхождения

расче­

ных

скоростей

(IV );

daK =

0,1 мм

тов с учетом и без учета началь­

Одко

 

 

 

 

 

на?

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0am

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

71—

 

 

 

 

 

UfM

0,9

0,8

0,1

О 50 100 ISO 200 250ja,MA/ml

Рис. 2.20. Зависимость отношения значения анодного напряжения без учета начальных скоростей элект­ ронов ((Уа0) к его значению с учетом начальных скоростей (Uav) от плот­ ности анодного тока при разных рас­ стояниях анод — катод, Тк — 1050 К

0,6

0,5

Ug=0,5i

о,з

0,2

0.1

О

50

100 150 200

25Oja,HA0

Рис.

2.21.

Зависимость

отношения

значения

расстояния анод — катод

без учета начальных скоростей (daK0) к его значению с учетом началь­

ных скоростей

(dalttl) от плотности

анодного тока

при различных £/а

(Тк =

1050 К)

ных скоростей

могут быть

очень большими.

Они

тем

больше,

чем меньше

плотность

анодного

тока и

междуэлектродное

расстояние.

При плотностях тока,

имеющихся

в

реальных

лампах (<100 мА/см2),

практически

всегда

необходимо учи­

тывать начальные скорости.

Если их не учитывать, ошибка лишь при

очень больших daK (> 1 мм) может стать менее 10%.

 

 

2.2.4. Характеристика цилиндрического диода с учетом начальных скоростей электронов

Как уже показало рассмотрение характеристик без учета началь­ ных скоростей электронов, расчет характеристики цилиндрического диода значительно более сложен, чем плоского. Это в еще большей мере относится и к расчету характеристики цилиндрического диода с учетом начальных скоростей. В связи с этим при таких расчетах в инженерной практике в большинстве случаев ограничиваются при1 ближенными формулами.

1.Область начального тока

Вто время как в плоском диоде из-за обычно больших линейных размеров поверхности электродов по сравнению с расстоянием d &v величина / а практически зависит только от нормальных составляю­ щих начальных скоростей электронов, в случае цилиндрических электродов существенную роль играют и тангенциальные составляю­ щие. Это связано с тем, что в системе электродов, где анод полностью охватывает катод, электрон и при движении по касательной к поверх­ ности катода может дойти до анода. С учетом тангенциальных состав­

ляющих Шоттки вывел для значения /„ в начальной области [Л.2.8].

а

 

 

 

 

+ 1— Ф

, (2.54)

где

1

±_

Ф (х) — функция

вероятности

или —

1

 

I

 

i '

 

 

 

 

 

 

 

ошибок

 

 

 

 

 

 

_

 

2

 

 

 

Ф (*) = —

 

 

 

о

численные значения которой табулированы; U — алгебраическое значение анодного напряжения (Uа < 0).

При ( r j r j -> 1, т. е. при толстом катоде и малом зазоре между катодом и анодом, ^-> оо и (2.54) переходит в (2.31). Это обусловлено тем, что конфигурация электродов все больше приближается к плос­ кой.

52

При больших гJr (> 10), что соответствует тонкому катоду и аноду сравнительно большого диаметра, X » 1, а аргумент первой

из функции ошибок в ( 2 . 5 4 ) , - ^ - ] / — \

и&-, становится малой ве-

 

га

у

ит

личинои . Если теперь Ф

 

 

j разложить в ряд

ф (х )= —

[х —

113

215

У*

 

и воспользоваться только первым членом разложения, то (2.54) при­ нимает вид

 

 

 

 

J h + 1

 

l

и я

 

 

/. =

/„

— ф

У

(2.55)

 

 

 

и.

 

 

Ur

 

U r

 

При

 

> 3

в (2.55) с хорошей

точностью

можно ограни­

 

ит

 

 

 

 

 

 

читься первым членом в квадратных скобках, так как при больших

функция Ф ^ п^/"- Л*

практически равна единице:

Ur

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(2.56)

 

 

 

 

 

Если представить (2.56)

в полу­

 

 

 

 

 

логарифмическом

масштабе

в

виде

 

 

 

 

 

In / а =

f (£/а), то

наклон

касатель­

 

 

 

 

 

ной

к получающейся

кривой

будет

 

 

 

 

 

 

 

d \ n l a

_

1

|

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dUa

~

и т

'

2Ua

 

 

 

 

 

 

 

При

больших

_и*

( > 1)

вто­

■Рис. 2.22.

Начальные

участки

рым

членом

 

 

Ur

пренебречь и

характеристик

диодов различной

 

можно,

конфигурации

в

безразмерных

кривая

переходит в пр ямую с накло-

 

координатах:

 

ном,

равным наклону

соответствую­

ческого диода по ( 2 .5 5 ) ; -------— харак­

щей прямой Для плоского диода.. Обе

---------------------характеристика

цилиндри­

теристика

цилиндрического

диода по

линии

лишь

параллельно

сдвинуты

( 2 .5 6 );-----------характеристика

 

плоского диода

 

друг

относительно друга (рис.

2.22).

 

 

 

 

 

Из наклона этой прямой, так же как и в плоском случае,

можно опре­

делить температуру

катода.

 

 

 

 

 

 

 

53

II. О бласть пространственного зар я д а

При цилиндрических электродах влияние начальных скоростей на ход характеристики в области пространственного заряда значи­ тельно меньше, чем при плоских. Это объясняется тем, что в цилиндри­ ческой системе потенциал вблизи катода растет более резко, чем в плоской (ср. рис. 2.7 и 2.10). Поэтому здесь минимум потенциала силь­ но прижимается к поверхности катода и расстояние между минимумом и катодом получается очень малым.

Решение задачи о построении характеристики цилиндрического диода с учетом начальных скоростей электронов было указано Виткрофтом [Л.2.6]. Для удобства расчета им были введены две безраз­ мерные величины

В = 6,7 • 1010

IaT~«/a lh -

в А, Тк-

в К]

(2.57)

и

0,85

 

 

 

 

 

 

(2.58)

 

{BrmlrS U

'

 

 

 

 

где I — длина системы электродов; rm — радиус

поверхности

мини­

мума потенциала.

 

 

 

 

Рис. 2.23 Кривые для определения глубины миниму­ ма потенциала в цилиндрическом диоде

Пользуясь такой же методикой, как Ленгмюр для случая плоских электродов, он построил три семейства кривых, при помощи которых легко произвести построение характеристик (рис. 2.23, 2.24, 2.25). Для расчетов должны быть известны, как и в плоском случае, геомет­ рические размеры системы электродов (rK, ra, I), температура катода Т к и ток эмиссии / э. Здесь также задаются величиной / а и определяют соответствующее ему значение U . Порядок расчета следующий:

1) по размерам г , I и температуре Т к на основании (2.57) дл принятого значения / вычисляют В\

54

2)

зная / а, / 9 и В, пользуясь рис. 2.23, по кривой для соответст­

вующего значения В1д/1а определяют Um\

3)

зная В, по кривой (рис. 2.24) для соответствующего значения

/ 0/ / а

находят гт \ ■

Рис. 2.24. Кривые для определения положения минимума потенциала в цилиндрическом диоде

4)зная В и гт, по (2.58) вычисляют С;

5)зная гт, Um и С, по кривой (рис. 2.25) для соот­

ветствующих

значений

С и

/ а//9

находят

Uа. На рис.

2.25

 

для значений

С =

1 и

С =

4 приведены по две кри­

вые;

сплошные соответствуют

I J I

э

=

0,

пунктирные —

/ а/ / э =

1.

Между

ними

можно

интерполировать

ли­

нейно.

 

подъема потен­

Крутизна

циала

у

поверхности

катода

зависит от отношения га/гк;

чем

больше

r j r u, тем подъ­

ем

становится

круче.

При

малых rJrKон

почти

такой

же,

как

в

плоской системе

электродов.

 

Поэтому

при

га/гк <

2 расчет

можно вес­

ти

как для плоского случая,

приравнивая

 

поверхности

Га

гт

Рис. 2.25. Кривые для определения характеристики цилиндрического дио­ да в области пространственного заря­ да с учетом начальных скоростей элект­ ронов

55

анода и катода. При

больших / а и r J r K результаты такого рас­

чета мало отличаются

от расчета без учета начальных скоростей

[см. (2.23)].

 

§ 2.3. РЕАЛЬНЫЕ СТАТИЧЕСКИЕ

ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ

Характеристики, снятые опытным путем на реальных лампах, довольно значительно отличаются от теоретических, т. е. построен­ ных на основании кривых Ленгмюра или Ферриса (рис. 2.26). В целом

 

 

 

реальные характеристики идут ниже.

 

 

 

На отдельных участках различия со­

 

 

 

стоят в следующем:

 

 

 

 

 

 

 

1)

реальная

характеристика

по

 

 

 

сравнению с теоретической несколь­

 

 

 

ко сдвинута

вправо.

Это особенно за­

 

 

 

метно по

положению начала харак­

 

 

 

теристики, которое, несмотря на вли­

 

 

 

яние начальных

скоростей

электро­

 

 

 

нов, может лежать при положитель­

 

 

 

ных значениях

t / a;

 

 

 

 

 

 

 

2)

в

области пространственного

Рис. 2.26.

Теоретическая и реаль­

заряда подъем

реальной

характерис­

тики

менее

крутой,

чем

теоретичес­

ная характеристики диода

 

 

 

 

кой,

и переход

в

насыщение более

характеристики в средней

 

плавный.

В

результате

этого

ход

части становится более близким

к линей­

ному;

в области насыщения анодный ток у реальных ламп не остаетс

3)

строго постоянным, а увеличивается с ростом U .

Эти различия вызваны рядом явлений, не учтенных в изложенной ранее теории. Основными из них являются контактная разность по­ тенциалов, неравномерное распределение температуры по поверхности кдтода и эффект Шоттки.

2.3.1. Влияние контактной разности потенциалов

Как известно, под контактной разностью потенциалов понимают разность потенциалов, возникающую при отсутствии внешних на­ пряжений в пространстве между двумя телами, имеющими различные работы выхода и электрический контакт друг с другом. Для выясне­ ния влияния контактной разности потенциалов на движение электро-' нов в междуэлёктродном пространстве диода рассмотрим рис. 2.27. На нем даны энергетические диаграммы междуэлектродного простран­ ства для двух случаев, при отсутствии и при наличии источника на­ пряжения в анодной цепи. В подобного рода энергетических диаграм­ мах по оси ординат в общем случае откладывается потенциальная энергия электронов; в данном случае по ней отложена разность между

56

потенциальными энергиями, которыми обладают электроны в рас­ сматриваемой точке междуэлектродного пространства, и на уровне Ферми, находясь внутри катода. В связи с тем, что заряд электрона отрицательный, в энергетических диаграммах, в отличие от диаграмм распределения потенциалов в междуэлектродном пространстве, вверх по оси ординат откладываются не положительные, а отрицательные потенциалы, дополнительно умноженные на е. Скачки на границе электродов с вакуумом представляют собой потенциальные барьеры,

Рис. 2.27. Энергетическая диаграмма междуэлектродного про­ странства диода при холодном катоде:

а — без источника анодного напряжения; 6 — при наличии источника анодного напряжения. Е р — уровень Ферми

соответствующие работе выхода катода есрк и анода есра. Если оба электрода накоротко соединены друг с другом и, следовательно, уров­ ни Ферми у них совпадают (рис. 2.27,а), то в пространстве между электродами действует разность потенциалов, соответствующая раз­ ности их работ выхода. Этаразность и будет контактной разностью потенциалов

^крп=Ф к— Фа-

(2-59)

Если-фа > фк, то UKрп < 0, т. е. поле, возникающее за счет кон­ тактной разности, тормозит движение электронов. Для того чтобы

57

правильно учитывать влияние контактной разности потенциалов на движение электронов, надо иметь в виду, что в этой разности с поло­ жительным знаком всегда должна стоять величина потенциального барьера того электрода, от которого электрон летит.

При включении в анодную цепь источника напряжения U (рис. 2.72,6) в пространстве между электродами будет действовать не­

которая разность потенциалов Ua,

отличная от Uа.

Из диаграммы

рис. 2.27,6 следует

 

 

 

Н

Фк "

“Ь Фа»

 

откуда

 

 

 

и й = Ий +

ф к —

ф а = Uа + £ /лрп-

(2 .6 0 )

Для учета влияния контактной разности в диоде ее значение, таким образом, нужно добавлять к подаваемому извне анодному напряжению. Так, например, формула (2.11) при учете контактной разности потенциалов принимает вид

 

/a =

G ( t / a + ^K pn)V’ -

(2 .6 1 )

Так

как обычно £7крп <

0,

то характеристики

под действием кон­

тактной

разности сдвигаются

вправо.

 

Величина контактной разности потенциалов зависит от материала электродов и состояния их поверхности. Для различных типов ламп она может принимать значения, лежащие в пределах —0,5 н---- 3 В. Но и у ламп одного и того же типа UKpn может не быть одинаковой, а колебаться в широких пределах. Это связано в основном с тем, что работа выхода анода, в зависимости от обстоятельств, может прини­ мать различные значения. Так, например, во время изготовления ламп с оксидным катодом происходит испарение материала катода, который затем частично оседает на поверхности анода и образует здесь пленку с пониженной работой выхода. Из-за неполной иден­ тичности технологического процесса изготовления степень запылен­ ности анода не всегда одинакова, а значит, различны и сра. Испаряется материал катода и во время нормальной эксплуатации ламп, в резуль­ тате чего сра и соответственно и UKpnсо временем уменьшаются. Если, например, у диода с оксидным катодом и никелевым анодом работа выхода анода-при чистой поверхности составляет 4,6 эВ, то в резуль­ тате запыления она спадает до 2—2,5 эВ. Если есрк принять равным 1,5 эВ, то это означает, что- UKpn уменьшилось с 3 до 1 В. Этим объяс­ няется то, что характеристики ламп во время тренировки обычно уходят влево. После некоторого начального периода у ламп с оксидным катодом UKpn в большинстве случаев стабилизируется на уровне около 1 В. Поэтому при расчете характеристик таких ламп величину UKpn обычно принимают равной 0 ,8 — 1,0 В.

Рассмотрим вопрос о влиянии величин ср и сра на смещение начала характеристики относительно оси ординат. Начнем с плоского диода, где условия наиболее простые. Смещение начала реальной характе­ ристики относительно начала характеристики, построенной без учета контактной разности потенциалов, определяется разностью срк — фа,

58

смещение его относительно оси

координат — только

величиной сра

и от срк не зависит. В этом легко

убедиться, если проанализировать

уравнение начальной области

(2.31),

написанное

с учетом UKpn

 

 

иа +

 

 

 

 

/. =

/ ве

Ur

 

 

(2.62)

Подставляя для I д (2.27) и для С/крп (2.59), получаем

 

___?к_

Ua +

Ук ~

 

 

Ia = FKA T l e

Ut е

 

Ur

,

(2.63)

что при сложении показателей степени дает

 

 

 

 

 

 

’’’а

 

 

Ia = F KA T l e

Ut

,

 

(2.64)

т. е. фк выпадает. Такой результат объясняется

тем,

что фк входит

в (2.63) два раза, в обоих случаяхоказывая противоположное дейст­ вие. Один раз оно входит в выражение тока эмиссии, который с умень­ шением фк увеличивается, другой —^ в выражение для 0 крп, которое с уменьшением ф[{ растет, оказывая этим более сильное тормозящее действие на выходящие из катода электроны. В случае цилиндриче­ ских электродов за счет другой конфигурации электрического поля фк из уравнения анодного тока полностью не выпадает и поэтому сохра­ няется некоторая зависимость этого смещения от фк.

Характеристики, рассчитанные без учета как контактной разности, так и начальных скоростей электронов, т. е. непосредственно по (2.9), иногда неплохо совпадают с опытными кривыми. Это обстоятельство чисто случайное и является следствием взаимной компенсации влия­ ний, которое оказывают эти два фактора на ход характеристики. Как видно из рис. 2.19, характеристика, рассчитанная с учетом началь­ ных скоростей, но без учета UKpn, при определенных условиях может оказаться смещенной влево, относительно характеристики, построен­

ной по (2.9),

на 1 В; а учет UKP„ может сдвинуть характеристику на

1 В вправо.

В сумме сдвиг получается равным нулю.

2.3.2. Влияние неравномерности температуры катода

В реальных лампах температура катода по всей поверхности не­ одинакова; в местах крепления, в частности, где катод, соприкасается со слюдяными пластинами, она за счет теплоотвода ниже (рис. 2.28). Соответственно меньшими будут удельный ток эмиссии и напряжение насыщения (ср. с рис. 2.8). Так, например, в диоде с оксидным като­ дом при понижении температуры с 1100 до 1000 К (перепады в 50— 100° соответствуют реальным условиям) напряжение насыщения, вычисленное по (2.21), уменьшается приблизительно в 2,5 раза. Пере­ ход отдельных участков катода в насыщение при более низких на-

59

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ