книги из ГПНТБ / Клейнер, Э. Ю. Основы теории электронных ламп учебное пособие
.pdfный фокус. Как показывается в электронной оптике (например,
[Л.3.1 П), фокусное расстояние щелевой диафрагмы |
рассчитывается |
по формуле |
|
оп |
(3.132) |
f = - p— p |
где Ug — потенциал диафрагмы; Ег, Ег — напряженности электри ческого поля на одной и другой стороне диафрагмы, считая их поло жительными, когда представляющие их векторы направлены на встречу движению электронов.
Рис. 3.31. Траектории электронов в пределах одной секции сетки при положительных потен циалах сетки, больших потенциала окружающей среды (картина получена при помощи резино
вой |
мембраны) |
|
а — Ua — около |
нуля; |
б — U&— Uc |
Для подтверждения того, что сетку действительно можно считать электронно-оптической системой, рассмотрим результаты эксперимен тального исследования отклонений, которые испытывают электроны
при прохождении |
через |
плоскость |
сетки. |
|
|
|||||||
На рис. 3.31 в качестве |
примеров |
приве |
|
|
||||||||
дены траектории |
электронов, |
полученные |
|
|
||||||||
путем моделирования (методом |
|
резиновой |
|
|
||||||||
мембраны) для случая, |
|
когда |
|
потенциал |
|
|
||||||
сетки выше потенциала |
окружающей сре |
|
|
|||||||||
ды и сетка рассеивает |
поток |
электронов. |
|
|
||||||||
Анализ этих траекторий показывает, что |
|
|
||||||||||
около анода |
тангенс угла |
их отклонения |
|
|
||||||||
(5 от нормали |
в пределах |
одной |
секции |
|
|
|||||||
сетки пропорционален |
|
расстоянию |
у их |
|
|
|||||||
начальной |
точки |
на поверхности |
катода |
|
|
|||||||
от |
плоскости |
через |
середину |
просвета |
|
|
||||||
между витками: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
, |
tg р = |
бгг/, |
|
|
|
(3.133) |
Рис. 3.32. Апроксима- |
|||
где |
|
, |
|
пропорциональное- |
ция траекторий |
элект- |
||||||
а — коэффициент |
ронов ломаными |
пря- |
||||||||||
ти. |
Для |
дальнейшего |
|
разбора |
апрокси- |
мыми |
|
мируем |
траектории |
электронов |
ломаными |
линиями, |
состоя |
щими |
из двух отрезков: отрезка, нормального |
к плоскости |
сетки |
||
на участке между катодом и сеткой, |
и отрезка с углом наклона |3 — |
между сеткой и анодом (рис. 3.32). Если теперь продлить наклонные участ’ки до пересечения их со средней плоскостью между витками, то все они будут пересекать эту плоскость на одинаковом расстоянии / от плоскости сетки. В этом легко убедиться, если рассмотреть пря моугольный треугольник ACF, образуемый плоскостью сетки, средней плоскостью между витками и продлением наклонного отрезка траек тории электрона. В этом треугольнике угол у вершины F равен |3,
лежащий против |
него |
катет — у, |
а прилежащий — /. Тогда |
из тре |
угольника следует, что |
|
|
|
|
|
|
tgil = |
(3.134) |
|
Сопоставляя |
(3.134) |
и (3.133), |
находим |
|
/ = — .
а
т. е. что / — величина, не зависящая от у. Это означает, что парал лельный пучок электронов при прохождении сетки преломляется так, будто все электроны идут из точки F. Следовательно, сетка дей ствует как линза с фокусным расстоянием /. Если теперь секцию сетки уподобить щелевой диафрагме, то согласно (3.132) фокусное расстояние сетки можно вычислять по формуле
/ = |
2Us |
* |
(3.135) |
|
Е |
_р |
|||
|
с(а) |
с с(к) |
|
|
где Ud — действующее напряжение в плоскости сетки; £с(а) — на пряженность электрического поля с анодной стороны сетки; EcW — напряженность электрического поля с катодной стороны сетки.
Подставляя для Ес{а) и £с(1{) (3.28) и (3.29), учитывая, что в них С = Ud, и полагая Uк = 0, получим
f |
2£/а |
(3.136) |
|
ия- и д _ |
Up |
|
dас |
4 СК |
Приводя далее знаменатель дроби к общему знаменателю и имея в виду, что d.dC+ dC|( = с/ак, это выражение можно легко представить в виде
|
|
2dac rfcк |
ид |
(3.137) |
|
|
|
^ак |
ид- и , |
|
^ск |
|
|
|
|
|
4ак |
Когда |
Uд< |
Ua da<■-, то / > 0 и сетка |
действует как собиратель- |
||
|
|
dau |
|
|
|
ная линза; при Ид> Ua- ^ ~ , ( < 0 |
и электронный поток при про- |
||||
• хождении |
сетки |
^ак |
|
|
|
рассеивается. |
|
|
|
142
Как известно из теории поля, вид эквипотенциальных линий элект ростатического поля многоэлектродной. системы не меняется, если пропорционально изменить потенциалы всех электродов. Это озна чает, что в триоде формы поля и траекторий электронов не зависят от абсолютного значения сеточного и анодного напряжений в отдель ности, а только от их отношения. Только от UJUCдолжно зависеть тогда и фокусное расстояние
'■ = /(- £ •)• |
<3-|38> |
Для проверки этой функциональной зависимости подставляем в
*(3.137) уравнение (3.68) и в результате деления числителя и знамена теля на Uа получаем
2dac ^ск |
|
Uc |
+ D |
|
Us |
(3.139) |
|
4а к |
J h - |
+ d ) - |
|
|
ua |
|
I |
т. e. что f — однозначная функция от UJU C.
3.8.3.Коэффициенты токопрохождения
итокораспределения
Для количественного учета распределения электронов по электро дам с положительным потенциалом пользуются коэффициентами то копрохождения и токораспределения.
Под коэффициентом токопрохождения q понимают отношение анодного тока к катодному
<7= |
~ ~ • |
(3.140) |
|
' К |
|
а под коэффициентом токораспределения k — отношение |
анодного |
|
тока к сеточному |
|
|
k = |
— . |
(3.141) |
Из (3.2) путем деления на / а легко вывести, |
что эти коэффициенты |
||
связаны соотношениями |
|
|
|
. |
k |
(3.142) |
|
q |
* + l ’ |
||
|
|||
h - |
q |
(3.143) |
|
|
1— q |
|
Оба коэффициента могут в одинаковой мере служить для характерис тики токораспределения, но в теоретических расчетах удобнее поль зоваться величиной q.
143-
Зная q или k, можно по / к определять I a и /с, |
пользуясь выраже- |
|||
ниями |
|
|
|
|
/а = Я К ИЛИ |
U = . . |
, А<> |
(3.144, |
145) |
|
k+ |
1 |
|
|
/с = (1 — q) /,< или |
/ с = —1 — /к. |
(3.146, |
147) |
Так как форма траекторий электронов зависит только от отноше ния анодного и сеточного напряжений, то и коэффициенты q и к одно значно определяются не величиной каждого из этих напряжений в отдельности, а только их отношением:
(3.148)
(3.149)
*- * ( £ ) ■
3.8.4.Режимы токораспределення
Если снять зависимость коэффициентов q и к от отношения Ua/Uc, то получаются близкие по форме кривые, состоящие из двух отли-
Рис. 3.33. Кривые |
токораспределення |
(принципиальный |
||
ход без учета начальных скоростей электронов |
и простран |
|||
ственного |
заряда) |
|
|
|
а — q = / (U&/Uc)i б — k = |
f ((Уа/С/с);-------------- |
кривые при |
сетке с ко |
|
нечными шагом и диаметром проволоки |
навивки |
(поле — неравномерное); |
||
----------- кривые при сетке с очень мелкой структурой (поле—равномерное); |
||||
/ — область |
возврата; И — область перехвата |
|
чающихся друг от друга участков, крутого — при малых UJU C и пологого — при больших (рис. 3.33). Значение UJUC, соответствую щее границе между обоими участками (UJUc)rv, всегда меньше еди
144
ницы и теоретически для большинства конструкций триодов лежит в пределах 0,1—0,3.
Разница в наклонах обоих участков вызвана различным характе ром движения электронов в пространстве сетка — анод. На пути от катода до сетки (предполагая, конечно, что Uc > 0), электроны при любых значениях UJUC ускоряются. Между сеткой и анодом знак
изменения их скорости зависит от отношения |
UJUC, при |
Uа > |
£/„ |
||||
они ускоряются, |
при Uа < |
U0 — тормозятся. |
Когда Uа > |
Uc, |
все |
||
электроны, |
проходящие через |
сет |
|
|
|
||
ку, долетают |
до анода. То же |
имеет |
|
|
|
||
место, когда |
U |
немного |
меньше, |
|
|
|
чем Uс но все же ——> (—- ) ;
\ U c / Гр
хотя в этом случае электроны меж ду сеткой и анодом . и тормозятся, они за счет' запаса кинетической энергии, приобретенной на пути от катода до сетки, все же долетают до
анода. Но к о г |
д |
а , тор- |
U c |
\ |
и Q, / Гр |
мозящее действие поля между сет кой и анодом настолько сильно, что значительная часть электронов не достигает анода, а, не дойдя до него, поворачивает обратно и летит на витки сетки. Таким образом, сеточ ный ток в общем случае будет сос
V , )
1
Рис. 3.34. Токораспределение в триоде (стрелки указывают не направление токов, а направле ние движения соответствующих
. им потоков электронов)
1 — ток, соответствующий потоку элек тронов, проходящих через плоскость
тоятьиз двух составляющих (рис. 3.34): составляющей 1С, получающейся за счет электронов, налетающих на витки сетки при
прямом движении от катода к аноду, и составляющей l"c, получаю щейся за счет электронов, возвращающихся обратно из пространства сетка — анод
/ с = /с + •
При UJU 0 > 1 преобладает составляющая /с, при Ua/Uc € 1 — составляющая / с.
Всвязи с изложенным различают два режима токораспределения.
1.Режим возврата, — когда часть электррнов, проходящих плос
кость сетки, не долетает до анода. Ток сетки в основном получается за счет возврата электронов из пространства сетка — анод.
2. Режим перехвата, — когда все электроны, проходящие через плоскость сетки, практически долетают до анода. Ток сетки получает ся за счет электронов, перехватываемых ею при прямом их движении от катода к аноду.
Режим возврата, имеет место, когда Uг |
Uа \ |
режим: пере- |
Uс |
U c J r p ’ |
|
ий - |
|
|
хвата — когда —— > I ис L |
|
|
6— 286 |
145 |
3.8.5. Токораспределение в режиме возврата
Возврат электронов к сетке из пространства сетка — анод вызван, как будет показано далее,.-искривлением их траекторий из-за неравно мерности электрического поля в ближней зоне сетки. При равномер
|
|
|
ном |
поле |
все |
электроны, |
прохо |
|||||||
к |
|
|
дящие |
через |
сетку, |
долетали |
бы |
|||||||
|
|
|
до анода при любых, |
даже самых |
||||||||||
|
|
|
малых |
Uа, и режима |
|
возврата бы |
||||||||
|
|
|
не существовало. Для доказатель |
|||||||||||
|
|
|
ства этого обратимся к рис. 3.35, |
|||||||||||
|
|
|
на котором |
показано |
распреде |
|||||||||
|
|
|
ление |
потенциала |
|
между |
элект |
|||||||
|
|
|
родами, |
соответствующее |
режиму |
|||||||||
|
|
|
возврата; потенциальный |
рельеф |
||||||||||
|
|
|
здесь дан в упрощенном виде, без |
|||||||||||
|
|
|
учета |
пространственного заряда и |
||||||||||
|
|
|
в предположении, |
что |
потенциал |
|||||||||
|
|
|
в плоскости |
сетки |
равен |
дейст- |
||||||||
|
|
|
вующему. На пути от катода до |
|||||||||||
|
|
|
сетки электрон набирает кинети |
|||||||||||
Рис. 3.35. |
Распределение потен |
ческую |
энергию, |
|
равную |
eUg, |
||||||||
между сеткой |
и анодом он |
тормо |
||||||||||||
циала в триоде в |
режиме воз |
|||||||||||||
врата без учета пространствен |
зится |
и, |
чтобы дойти до анода, |
до |
||||||||||
ного заряда |
и неравномерности |
лжен |
затратить |
энергию |
е(0д — |
|||||||||
поля |
вблизи |
сетки |
— Uа). Так |
как |
при положитель |
|||||||||
|
|
|
ных |
анодных |
напряжениях |
eUg |
||||||||
|
|
|
всегда |
больше, |
|
чем |
e(Ug— Uа), |
то электрон, если он двигается к аноду по нормали, всегда должен до него долететь. Кривая токораспределения в этом случае представ ляла бы собой горизонтальную линию (см. рис. 3.33).
Иначе обстоит дело, если траектория электрона при прохождении через сетку искривляется. Апроксимируем ее, как в § 3.8.4, ломаной линией. Будем считать, что траектория до сетки от величины отноше ния UJUCне зависит и предположим, что угол ее излома в плоскости сетки равен (3 (рис. 3.36). Если вектор скорости электрона непосред ственно за плоскостью сетки разложить на тангенциальную и нормаль ную составляющие, то последняя будет
цс„ = vccos р, |
(3.150) |
где vc — скорость электрона в плоскости |
сетки. |
-Тогда кинетическая энергия WR, с которой он движется в направ |
|
лении, нормальном к аноду, и которая |
может быть израсходована |
на преодоление тормозящего действия поля между сеткой и анодом, будет равна
Wa = |
mv~ |
mt% |
(3.151) |
2 |
2~ COS2 р . |
146
Как видно из (3.150) и (3.151), пС|,и Wn тем меньше, чем больше |3. При больших |3 энергия Wa может стать меньше энергии e(Ud — а), необходимой, чтобы электрон долетел до анода. Угол отклонения, при котором величина Wn еще
достаточна |
для |
достижения |
||||||
анода, |
|
называется |
|
к р и |
||||
т и ч е с к и м |
(|31ф). |
|
Элект |
|||||
роны, |
у которых |3 |
< |
|Зкр, до |
|||||
летают до анода, |
а те, |
у ко |
||||||
торых |
(3 |
> |
[Зкр, |
не дойдя |
до |
|||
него, |
поворачивают обратно. |
|||||||
(Зкр определяется |
из |
усло |
||||||
вия, |
что |
|
Wn при |
Р |
= |
Ркр |
||
должно |
равняться |
Ф ь - |
-UУ.
(Р—Ркр) = e(Ud- U a)
или согласно (3.151)
пи% cos кр = e(Ud- U a). |
к ’штшу/Ш шштжж |
|||
Учитывая, что |
(3.152) |
Рис. 3.36. К выводу |
уравнения токорасп- |
|
|
||||
тт% |
|
|
ределения в режиме возврата: |
|
|
|Й |
— пространство, занимаемое потоком электронов, |
||
|
ш |
составляющих анодный ток |
||
= eUrl |
|
|
|
|
И |
cos2pK = |
1 — sin2PKp, |
|
|
получаем |
|
|
___ |
|
|
sin Ркр = |
V~VJ • |
(3-153) |
Произведем оценку угла (Зкр. Рассматривая каждую секцию сетки как цилиндрическую линзу, найдем наибольший возможный угол отклонения электрона |Зт . В предположении, что проволока навивки сетки бесконечно тонка, такой угол отклонения получается у элект рона, проходящего через центр витка. Тогда из ДCOF (см. рис. 3.36)
1
Т р
|
tgPm = |
—— |
. |
|
(3.154) |
В режиме возврата, где Ua < |
Ud, |
в (3.137) |
можно |
пренебречь |
|
величиной |
Ua- ^ - , тем более, что и |
- ^ - < 1 . |
Тогда / |
становится |
|
величиной, |
“ ак |
|
“ ак |
|
|
не зависящей от напряжений |
|
|
j. __ 2dac dCK |
(3.155) |
|
|
6* |
|
147
а (3.154) принимает вид
tg Р* = |
pdа |
(3.156) |
|
4dac Фж |
|||
|
|
Как /, так и tg flm зависят, таким образом только от геометрии лампы. У большинства конструкций ламп tg |Зга < 0,4, что соответст вует |Зт < 23°. В среднем |Зт составляет около 15°, а |Зкр практически всегда меньше рт . Поэтому для Ркр, как для малоимуща, с ошибкой, не превышающей 5%, можно считать, что
sin ркр« tg ркр« р кр- |
(3.157) |
Отсюда (3.153) можно записать в виде |
|
Ркр = У-щ-- |
(3.158) |
Для нахождения зависимости q |
обозначим через у |
расстояние от середины между витками до точки, в которой электрон, отклоняемый на угол |Зкр, пересекает плоскость сетки. Тогда все элект роны, проходящие через сетку в пределах отрезка 2укр, будут попа дать на анод и составлять анодный ток. Электроны, соответствующие катодному току в пределах одной секции сетки, летят с участка ка тода шириной р (см. рис. 3.36). Тогда
|
|
<7 = ^ ^ |
. |
|
|
(3.159) |
||
Из ДBOF следует |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1/кр = |
/ tg Ркр> |
|
|
|||
или, используя (3.155), |
(3.157) и |
(3.158), |
|
|
||||
.. |
|
2dac ^ск |
f |
U я |
(3.160) |
|||
n |
- ^ s ^ V |
- i |
h |
- |
||||
|
||||||||
Подставив это выражение в (3.159), |
получаем |
|
||||||
9 |
= |
4^ЯС * |
|
УV |
U* |
• |
(3.161) |
|
pd ак |
|
Дробь перед корнем зависит'только от размеров системы электро
дов и называется к о э ф ф и ц и е н т о м |
в о з в р а т а |
||
|
Св = .I k d s * . . |
(3.162) |
|
|
pdaK |
|
|
С использованием |
этого обозначения |
(3.161) принимает вид |
|
|
9 = Св 1 |
/ - ^ - . |
(3.163) |
Сравнивая (3.162) |
с (3.156),, видим, что |
||
|
с„ = . |
1 |
(3.164) |
|
tg |
|
|
148
Теперь определим значение ОJU a, соответствующее переходу из ' режима возврата в режим перехвата [([/а/£/с)гр]. Как следует из (3.160), укр увеличивается с ростом Uа. Возврат электронов прекратится, когда 2укр станет равным просвету между витками р — 2с. Пренебре гая величиной 2с по сравнению с р, можно в первом приближении считать, что переход происходит, когда 2укр = р. Это согласно (3.160) соответствует условию
/ |
U*\ |
= ( |
Pd^ |
у |
\ |
Ug /гр |
\ |
4dac rfCI£ |
/ |
которое при использовании (3.162) можно записать в виде
Ш, ~ ч "
Если учесть, что в режиме возврата DUa< Uc, то можно счи тать, что Uд я? Uc. Тогда ориентировочно
(3.165)
\ Uc /Гр
Это уравнение, принимая во внимание (3.164), можно представить
также в виде
(tl “
Этим соотношением .( — ) непосредственно связывается с рт .
\ U с /гр |
/ и а \ |
Соответственно приведенным значениям (Зт |
величина 1^—1 в боль |
шинстве случаев лежит в пределах 0,1—0,2.
На рис. 3.37 приведена зависимость q = / (jf~) ДЛя Т-Рех систем
электродов, отличающихся только значениями |
2с и' р. Этич значения |
||||||||||
выбраны так, чтобы во |
всех |
|
|
|
|||||||
трех случаях |
коэффициент |
за- |
|
|
|
||||||
полнения сетки а |
|
2с |
|
был |
|
|
|
||||
= — |
|
|
|
|
|||||||
одинаковым. |
Из |
|
|
Р |
|
|
|
|
|
||
рисунка видно, |
|
|
|
||||||||
что |
кривая |
поднимается |
тем |
|
|
|
|||||
круче и тем самым область |
воз |
|
|
|
|||||||
врата становится тем уже, |
чем |
|
|
|
|||||||
мельче |
структура |
|
сетки. |
Это |
|
|
|
||||
объясняется |
тем, что при более |
|
|
|
|||||||
мелкой |
структуре сетки |
элект |
|
|
|
||||||
рическое поле в |
ее |
плоскости |
|
|
|
||||||
более равномерное. |
|
хорошо |
|
|
|
||||||
|
Изложенная |
теория |
|
|
|
||||||
подтверждается эксперименталь |
Рис- 3.37. |
Токораспределение в |
|||||||||
но |
при условии, |
что соблюдают- |
|||||||||
ся сделанные |
в |
нячалр |
ппелпп- |
~Режиме возврата при различной |
|||||||
ся сделанные |
в |
начале |
предпо |
структуре сетки. Размеры |
системы |
||||||
сылки. |
Этого |
можно |
добиться, |
электродов: daK/dCK= 3; |
а = 0,2 |
149
если |
измерения производить |
при |
малых плотностях |
токов, |
низкой |
температуре катода и |
малых |
напряжениях на |
электро |
дах. В условиях, в которых реально работают лампы, эти предпосыл ки обычно не выполняются и поэтому наблюдаются значительные от клонения от полученных зависимостей. Дальнейшее уточнение теории за счет лучшего учета действительной формы электрического поля между сеткой и катодом в большинстве случаев не имеет практического смысла, так как эта поправка несущественна по сравненщо с откло нениями, вызываемыми другими неучтенными явлениями. Если при очень малых dCKнеобходим учет пространственного заряда перед ка тодом, то в (3.161) нужно подставлять соответствующее значение Ug. Учет начальных скоростей электронов приводит к появлению «хвос та» у кривых токораспределения в области малых отрицательных значений UJUC. Роль минимума потенциала между сеткой и анодом
и влияние вторично-электронной эмиссии будут |
рассмотрены дальше. |
||||
3.8.6., Токораспределение в режиме перехвата |
|
|
|
|
|
Режим перехвата, |
в отличие от режима |
возврата, |
имеет |
|
ме- |
сто в очень широком |
„ Ua |
Ua |
( и я \ |
1 |
, |
диапазоне значении ——, от —- = |
—- |
||||
|
Uc |
Uc |
{ Uc )гр |
|
т. е. от значений, меньших единицы, дотЛ-^-оо. Так как токорас-
U q
пределение в конечном итоге определяется формой траекторий элект ронов, рассмотрим сначала, каким образом в этих пределах значений
и,
—гг~ изменяются электрическое поле между электродами и электронно
оптические свойства сетки. Как уже указывалось, изгиб траектории электрона в плоскости сетки и соответственно ее фокусирующее дей ствие зависят от отношения потенциала сетки Uc к среднему потен циалу окружающего ее пространства, который в первом приближении можно приравнять действующему потенциалу в плоскости сетки Uа.
U |
|
1 сетка не |
искажает электрическое поле лампы |
° |
При -jj- = |
и тра |
|||
ектории |
всех |
электронов — прямые (рис. 3.38,6). В пределах |
одной |
|
секции |
сетки |
сеточный |
ток тогда составляют электроны, уходящие |
с участка катода, равного проекции витка сетки на его поверхность. При обычных витых сетках или сетках в виде параллельных стерж ней это будет полоса шириной 2с. Катодный ток в тех же условиях составляют электроны с полосы шириной р. Отсюда отношение / с// при Uc = Uд (величины, относящиеся к этому случаю, снабжены индеском п)
(3.166)
и соответствующее значение q
2с
(3. 167)
Р
150