Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Клейнер, Э. Ю. Основы теории электронных ламп учебное пособие

.pdf
Скачиваний:
17
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
13.38 Mб
Скачать

ный фокус. Как показывается в электронной оптике (например,

[Л.3.1 П), фокусное расстояние щелевой диафрагмы

рассчитывается

по формуле

 

оп

(3.132)

f = - p— p

где Ug — потенциал диафрагмы; Ег, Ег — напряженности электри­ ческого поля на одной и другой стороне диафрагмы, считая их поло­ жительными, когда представляющие их векторы направлены на­ встречу движению электронов.

Рис. 3.31. Траектории электронов в пределах одной секции сетки при положительных потен­ циалах сетки, больших потенциала окружающей среды (картина получена при помощи резино­

вой

мембраны)

а — Ua — около

нуля;

б — U&— Uc

Для подтверждения того, что сетку действительно можно считать электронно-оптической системой, рассмотрим результаты эксперимен­ тального исследования отклонений, которые испытывают электроны

при прохождении

через

плоскость

сетки.

 

 

На рис. 3.31 в качестве

примеров

приве­

 

 

дены траектории

электронов,

полученные

 

 

путем моделирования (методом

 

резиновой

 

 

мембраны) для случая,

 

когда

 

потенциал

 

 

сетки выше потенциала

окружающей сре­

 

 

ды и сетка рассеивает

поток

электронов.

 

 

Анализ этих траекторий показывает, что

 

 

около анода

тангенс угла

их отклонения

 

 

(5 от нормали

в пределах

одной

секции

 

 

сетки пропорционален

 

расстоянию

у их

 

 

начальной

точки

на поверхности

катода

 

 

от

плоскости

через

середину

просвета

 

 

между витками:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

,

tg р =

бгг/,

 

 

 

(3.133)

Рис. 3.32. Апроксима-

где

 

,

 

пропорциональное-

ция траекторий

элект-

а — коэффициент

ронов ломаными

пря-

ти.

Для

дальнейшего

 

разбора

апрокси-

мыми

 

мируем

траектории

электронов

ломаными

линиями,

состоя­

щими

из двух отрезков: отрезка, нормального

к плоскости

сетки

на участке между катодом и сеткой,

и отрезка с углом наклона |3 —

между сеткой и анодом (рис. 3.32). Если теперь продлить наклонные участ’ки до пересечения их со средней плоскостью между витками, то все они будут пересекать эту плоскость на одинаковом расстоянии / от плоскости сетки. В этом легко убедиться, если рассмотреть пря­ моугольный треугольник ACF, образуемый плоскостью сетки, средней плоскостью между витками и продлением наклонного отрезка траек­ тории электрона. В этом треугольнике угол у вершины F равен |3,

лежащий против

него

катет — у,

а прилежащий — /. Тогда

из тре­

угольника следует, что

 

 

 

 

 

tgil =

(3.134)

Сопоставляя

(3.134)

и (3.133),

находим

 

/ = — .

а

т. е. что / — величина, не зависящая от у. Это означает, что парал­ лельный пучок электронов при прохождении сетки преломляется так, будто все электроны идут из точки F. Следовательно, сетка дей­ ствует как линза с фокусным расстоянием /. Если теперь секцию сетки уподобить щелевой диафрагме, то согласно (3.132) фокусное расстояние сетки можно вычислять по формуле

/ =

2Us

*

(3.135)

Е

_р

 

с(а)

с с(к)

 

 

где Ud — действующее напряжение в плоскости сетки; £с(а) — на­ пряженность электрического поля с анодной стороны сетки; EcW — напряженность электрического поля с катодной стороны сетки.

Подставляя для Ес{а) и £с(1{) (3.28) и (3.29), учитывая, что в них С = Ud, и полагая = 0, получим

f

2£/а

(3.136)

 

ия- и д _

Up

 

dас

4 СК

Приводя далее знаменатель дроби к общему знаменателю и имея в виду, что d.dC+ dC|( = с/ак, это выражение можно легко представить в виде

 

 

2dac rfcк

ид

(3.137)

 

 

^ак

ид- и ,

 

^ск

 

 

 

 

 

4ак

Когда

<

Ua da<■-, то / > 0 и сетка

действует как собиратель-

 

 

dau

 

 

 

ная линза; при Ид> Ua- ^ ~ , ( < 0

и электронный поток при про-

• хождении

сетки

^ак

 

 

 

рассеивается.

 

 

 

142

Как известно из теории поля, вид эквипотенциальных линий элект­ ростатического поля многоэлектродной. системы не меняется, если пропорционально изменить потенциалы всех электродов. Это озна­ чает, что в триоде формы поля и траекторий электронов не зависят от абсолютного значения сеточного и анодного напряжений в отдель­ ности, а только от их отношения. Только от UJUCдолжно зависеть тогда и фокусное расстояние

'■ = /(- £ •)•

<3-|38>

Для проверки этой функциональной зависимости подставляем в

*(3.137) уравнение (3.68) и в результате деления числителя и знамена­ теля на Uа получаем

2dac ^ск

 

Uc

+ D

 

Us

(3.139)

4а к

J h -

+ d ) -

 

ua

 

I

т. e. что f — однозначная функция от UJU C.

3.8.3.Коэффициенты токопрохождения

итокораспределения

Для количественного учета распределения электронов по электро­ дам с положительным потенциалом пользуются коэффициентами то­ копрохождения и токораспределения.

Под коэффициентом токопрохождения q понимают отношение анодного тока к катодному

<7=

~ ~

(3.140)

 

' К

 

а под коэффициентом токораспределения k — отношение

анодного

тока к сеточному

 

 

k =

— .

(3.141)

Из (3.2) путем деления на / а легко вывести,

что эти коэффициенты

связаны соотношениями

 

 

.

k

(3.142)

q

* + l ’

 

h -

q

(3.143)

 

1— q

 

Оба коэффициента могут в одинаковой мере служить для характерис­ тики токораспределения, но в теоретических расчетах удобнее поль­ зоваться величиной q.

143-

Зная q или k, можно по / к определять I a и /с,

пользуясь выраже-

ниями

 

 

 

 

/а = Я К ИЛИ

U = . .

, А<>

(3.144,

145)

 

k+

1

 

 

/с = (1 — q) /,< или

/ с = —1 — /к.

(3.146,

147)

Так как форма траекторий электронов зависит только от отноше­ ния анодного и сеточного напряжений, то и коэффициенты q и к одно­ значно определяются не величиной каждого из этих напряжений в отдельности, а только их отношением:

(3.148)

(3.149)

*- * ( £ ) ■

3.8.4.Режимы токораспределення

Если снять зависимость коэффициентов q и к от отношения Ua/Uc, то получаются близкие по форме кривые, состоящие из двух отли-

Рис. 3.33. Кривые

токораспределення

(принципиальный

ход без учета начальных скоростей электронов

и простран­

ственного

заряда)

 

 

а — q = / (U&/Uc)i б k =

f ((Уа/С/с);--------------

кривые при

сетке с ко­

нечными шагом и диаметром проволоки

навивки

(поле — неравномерное);

----------- кривые при сетке с очень мелкой структурой (поле—равномерное);

/ — область

возврата; И — область перехвата

 

чающихся друг от друга участков, крутого — при малых UJU C и пологого — при больших (рис. 3.33). Значение UJUC, соответствую­ щее границе между обоими участками (UJUc)rv, всегда меньше еди­

144

ницы и теоретически для большинства конструкций триодов лежит в пределах 0,1—0,3.

Разница в наклонах обоих участков вызвана различным характе­ ром движения электронов в пространстве сетка — анод. На пути от катода до сетки (предполагая, конечно, что Uc > 0), электроны при любых значениях UJUC ускоряются. Между сеткой и анодом знак

изменения их скорости зависит от отношения

UJUC, при

>

£/„

они ускоряются,

при Uа <

U0 — тормозятся.

Когда >

Uc,

все

электроны,

проходящие через

сет­

 

 

 

ку, долетают

до анода. То же

имеет

 

 

 

место, когда

U

немного

меньше,

 

 

 

чем Uс но все же ——> (—- ) ;

\ U c / Гр

хотя в этом случае электроны меж­ ду сеткой и анодом . и тормозятся, они за счет' запаса кинетической энергии, приобретенной на пути от катода до сетки, все же долетают до

анода. Но к о г

д

а , тор-

U c

\

и Q, / Гр

мозящее действие поля между сет­ кой и анодом настолько сильно, что значительная часть электронов не достигает анода, а, не дойдя до него, поворачивает обратно и летит на витки сетки. Таким образом, сеточ­ ный ток в общем случае будет сос­

V , )

1

Рис. 3.34. Токораспределение в триоде (стрелки указывают не направление токов, а направле­ ние движения соответствующих

. им потоков электронов)

1 — ток, соответствующий потоку элек­ тронов, проходящих через плоскость

тоятьиз двух составляющих (рис. 3.34): составляющей 1С, получающейся за счет электронов, налетающих на витки сетки при

прямом движении от катода к аноду, и составляющей l"c, получаю­ щейся за счет электронов, возвращающихся обратно из пространства сетка — анод

/ с = /с + •

При UJU 0 > 1 преобладает составляющая /с, при Ua/Uc € 1 — составляющая / с.

Всвязи с изложенным различают два режима токораспределения.

1.Режим возврата, — когда часть электррнов, проходящих плос­

кость сетки, не долетает до анода. Ток сетки в основном получается за счет возврата электронов из пространства сетка — анод.

2. Режим перехвата, — когда все электроны, проходящие через плоскость сетки, практически долетают до анода. Ток сетки получает­ ся за счет электронов, перехватываемых ею при прямом их движении от катода к аноду.

Режим возврата, имеет место, когда

Uа \

режим: пере-

U c J r p ’

 

ий -

 

 

хвата — когда —— > I ис L

 

 

6— 286

145

3.8.5. Токораспределение в режиме возврата

Возврат электронов к сетке из пространства сетка — анод вызван, как будет показано далее,.-искривлением их траекторий из-за неравно­ мерности электрического поля в ближней зоне сетки. При равномер­

 

 

 

ном

поле

все

электроны,

прохо­

к

 

 

дящие

через

сетку,

долетали

бы

 

 

 

до анода при любых,

даже самых

 

 

 

малых

Uа, и режима

 

возврата бы

 

 

 

не существовало. Для доказатель­

 

 

 

ства этого обратимся к рис. 3.35,

 

 

 

на котором

показано

распреде­

 

 

 

ление

потенциала

 

между

элект­

 

 

 

родами,

соответствующее

режиму

 

 

 

возврата; потенциальный

рельеф

 

 

 

здесь дан в упрощенном виде, без

 

 

 

учета

пространственного заряда и

 

 

 

в предположении,

что

потенциал

 

 

 

в плоскости

сетки

равен

дейст-

 

 

 

вующему. На пути от катода до

 

 

 

сетки электрон набирает кинети­

Рис. 3.35.

Распределение потен­

ческую

энергию,

 

равную

eUg,

между сеткой

и анодом он

тормо­

циала в триоде в

режиме воз­

врата без учета пространствен­

зится

и,

чтобы дойти до анода,

до­

ного заряда

и неравномерности

лжен

затратить

энергию

е(0д

поля

вблизи

сетки

Uа). Так

как

при положитель­

 

 

 

ных

анодных

напряжениях

eUg

 

 

 

всегда

больше,

 

чем

e(Ug— Uа),

то электрон, если он двигается к аноду по нормали, всегда должен до него долететь. Кривая токораспределения в этом случае представ­ ляла бы собой горизонтальную линию (см. рис. 3.33).

Иначе обстоит дело, если траектория электрона при прохождении через сетку искривляется. Апроксимируем ее, как в § 3.8.4, ломаной линией. Будем считать, что траектория до сетки от величины отноше­ ния UJUCне зависит и предположим, что угол ее излома в плоскости сетки равен (3 (рис. 3.36). Если вектор скорости электрона непосред­ ственно за плоскостью сетки разложить на тангенциальную и нормаль­ ную составляющие, то последняя будет

цс„ = vccos р,

(3.150)

где vc — скорость электрона в плоскости

сетки.

-Тогда кинетическая энергия WR, с которой он движется в направ­

лении, нормальном к аноду, и которая

может быть израсходована

на преодоление тормозящего действия поля между сеткой и анодом, будет равна

Wa =

mv~

mt%

(3.151)

2

2~ COS2 р .

146

Как видно из (3.150) и (3.151), пС|,и Wn тем меньше, чем больше |3. При больших |3 энергия Wa может стать меньше энергии e(Ud — а), необходимой, чтобы электрон долетел до анода. Угол отклонения, при котором величина Wn еще

достаточна

для

достижения

анода,

 

называется

 

к р и ­

т и ч е с к и м

(|31ф).

 

Элект­

роны,

у которых |3

<

|Зкр, до­

летают до анода,

а те,

у ко­

торых

(3

>

[Зкр,

не дойдя

до

него,

поворачивают обратно.

(Зкр определяется

из

усло­

вия,

что

 

Wn при

Р

=

Ркр

должно

равняться

Ф ь -

-UУ.

(Р—Ркр) = e(Ud- U a)

или согласно (3.151)

пи% cos кр = e(Ud- U a).

к ’штшу/Ш шштжж

Учитывая, что

(3.152)

Рис. 3.36. К выводу

уравнения токорасп-

 

тт%

 

 

ределения в режиме возврата:

 

— пространство, занимаемое потоком электронов,

 

ш

составляющих анодный ток

= eUrl

 

 

 

 

И

cos2pK =

1 — sin2PKp,

 

получаем

 

 

___

 

 

sin Ркр =

V~VJ

(3-153)

Произведем оценку угла (Зкр. Рассматривая каждую секцию сетки как цилиндрическую линзу, найдем наибольший возможный угол отклонения электрона |Зт . В предположении, что проволока навивки сетки бесконечно тонка, такой угол отклонения получается у элект­ рона, проходящего через центр витка. Тогда из ДCOF (см. рис. 3.36)

1

Т р

 

tgPm =

——

.

 

(3.154)

В режиме возврата, где Ua <

Ud,

в (3.137)

можно

пренебречь

величиной

Ua- ^ - , тем более, что и

- ^ - < 1 .

Тогда /

становится

величиной,

“ ак

 

“ ак

 

 

не зависящей от напряжений

 

 

j. __ 2dac dCK

(3.155)

 

6*

 

147

а (3.154) принимает вид

tg Р* =

pdа

(3.156)

4dac Фж

 

 

Как /, так и tg flm зависят, таким образом только от геометрии лампы. У большинства конструкций ламп tg |Зга < 0,4, что соответст­ вует |Зт < 23°. В среднем |Зт составляет около 15°, а |Зкр практически всегда меньше рт . Поэтому для Ркр, как для малоимуща, с ошибкой, не превышающей 5%, можно считать, что

sin ркр« tg ркр« р кр-

(3.157)

Отсюда (3.153) можно записать в виде

 

Ркр = У-щ--

(3.158)

Для нахождения зависимости q

обозначим через у

расстояние от середины между витками до точки, в которой электрон, отклоняемый на угол |Зкр, пересекает плоскость сетки. Тогда все элект­ роны, проходящие через сетку в пределах отрезка 2укр, будут попа­ дать на анод и составлять анодный ток. Электроны, соответствующие катодному току в пределах одной секции сетки, летят с участка ка­ тода шириной р (см. рис. 3.36). Тогда

 

 

<7 = ^ ^

.

 

 

(3.159)

Из ДBOF следует

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1/кр =

/ tg Ркр>

 

 

или, используя (3.155),

(3.157) и

(3.158),

 

 

..

 

2dac ^ск

f

U я

(3.160)

n

- ^ s ^ V

- i

h

-

 

Подставив это выражение в (3.159),

получаем

 

9

=

4^ЯС *

 

УV

U*

(3.161)

pd ак

 

Дробь перед корнем зависит'только от размеров системы электро­

дов и называется к о э ф ф и ц и е н т о м

в о з в р а т а

 

Св = .I k d s * . .

(3.162)

 

pdaK

 

С использованием

этого обозначения

(3.161) принимает вид

 

9 = Св 1

/ - ^ - .

(3.163)

Сравнивая (3.162)

с (3.156),, видим, что

 

с„ = .

1

(3.164)

 

tg

 

 

148

Теперь определим значение ОJU a, соответствующее переходу из ' режима возврата в режим перехвата [([/а/£/с)гр]. Как следует из (3.160), укр увеличивается с ростом Uа. Возврат электронов прекратится, когда 2укр станет равным просвету между витками р — 2с. Пренебре­ гая величиной 2с по сравнению с р, можно в первом приближении считать, что переход происходит, когда 2укр = р. Это согласно (3.160) соответствует условию

/

U*\

= (

Pd^

у

\

Ug /гр

\

4dac rfCI£

/

которое при использовании (3.162) можно записать в виде

Ш, ~ ч "

Если учесть, что в режиме возврата DUa< Uc, то можно счи­ тать, что я? Uc. Тогда ориентировочно

(3.165)

\ Uc /Гр

Это уравнение, принимая во внимание (3.164), можно представить

также в виде

(tl “

Этим соотношением .( — ) непосредственно связывается с рт .

\ U с /гр

/ и а \

Соответственно приведенным значениям (Зт

величина 1^—1 в боль­

шинстве случаев лежит в пределах 0,1—0,2.

На рис. 3.37 приведена зависимость q = / (jf~) ДЛя Т-Рех систем

электродов, отличающихся только значениями

2с и' р. Этич значения

выбраны так, чтобы во

всех

 

 

 

трех случаях

коэффициент

за-

 

 

 

полнения сетки а

 

2с

 

был

 

 

 

= —

 

 

 

 

одинаковым.

Из

 

 

Р

 

 

 

 

 

рисунка видно,

 

 

 

что

кривая

поднимается

тем

 

 

 

круче и тем самым область

воз­

 

 

 

врата становится тем уже,

чем

 

 

 

мельче

структура

 

сетки.

Это

 

 

 

объясняется

тем, что при более

 

 

 

мелкой

структуре сетки

элект­

 

 

 

рическое поле в

ее

плоскости

 

 

 

более равномерное.

 

хорошо

 

 

 

 

Изложенная

теория

 

 

 

подтверждается эксперименталь­

Рис- 3.37.

Токораспределение в

но

при условии,

что соблюдают-

ся сделанные

в

нячалр

ппелпп-

~Режиме возврата при различной

ся сделанные

в

начале

предпо

структуре сетки. Размеры

системы

сылки.

Этого

можно

добиться,

электродов: daK/dCK= 3;

а = 0,2

149

если

измерения производить

при

малых плотностях

токов,

низкой

температуре катода и

малых

напряжениях на

электро­

дах. В условиях, в которых реально работают лампы, эти предпосыл­ ки обычно не выполняются и поэтому наблюдаются значительные от­ клонения от полученных зависимостей. Дальнейшее уточнение теории за счет лучшего учета действительной формы электрического поля между сеткой и катодом в большинстве случаев не имеет практического смысла, так как эта поправка несущественна по сравненщо с откло­ нениями, вызываемыми другими неучтенными явлениями. Если при очень малых dCKнеобходим учет пространственного заряда перед ка­ тодом, то в (3.161) нужно подставлять соответствующее значение Ug. Учет начальных скоростей электронов приводит к появлению «хвос­ та» у кривых токораспределения в области малых отрицательных значений UJUC. Роль минимума потенциала между сеткой и анодом

и влияние вторично-электронной эмиссии будут

рассмотрены дальше.

3.8.6., Токораспределение в режиме перехвата

 

 

 

 

Режим перехвата,

в отличие от режима

возврата,

имеет

 

ме-

сто в очень широком

Ua

Ua

( и я \

1

,

диапазоне значении ——, от —- =

—-

 

Uc

Uc

{ Uc )гр

 

т. е. от значений, меньших единицы, дотЛ-^-оо. Так как токорас-

U q

пределение в конечном итоге определяется формой траекторий элект­ ронов, рассмотрим сначала, каким образом в этих пределах значений

и,

—гг~ изменяются электрическое поле между электродами и электронно­

оптические свойства сетки. Как уже указывалось, изгиб траектории электрона в плоскости сетки и соответственно ее фокусирующее дей­ ствие зависят от отношения потенциала сетки Uc к среднему потен­ циалу окружающего ее пространства, который в первом приближении можно приравнять действующему потенциалу в плоскости сетки Uа.

U

 

1 сетка не

искажает электрическое поле лампы

°

При -jj- =

и тра­

ектории

всех

электронов — прямые (рис. 3.38,6). В пределах

одной

секции

сетки

сеточный

ток тогда составляют электроны, уходящие

с участка катода, равного проекции витка сетки на его поверхность. При обычных витых сетках или сетках в виде параллельных стерж­ ней это будет полоса шириной 2с. Катодный ток в тех же условиях составляют электроны с полосы шириной р. Отсюда отношение / с// при Uc = (величины, относящиеся к этому случаю, снабжены индеском п)

(3.166)

и соответствующее значение q

(3. 167)

Р

150

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ