Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Клейнер, Э. Ю. Основы теории электронных ламп учебное пособие

.pdf
Скачиваний:
17
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
13.38 Mб
Скачать

тогда электроны с катода не смогут пройти к аноду. Поэтому экраны по пути движения электронов выполняются в виде сеток; чем сильнее должно быть экранирующее действие, тем гуще делается сетка.

На экранирующую сетку всегда подается постоянный положитель­ ный потенциал, постоянный для того, чтобы обеспечить ее экранирую­

щее

действие,

положительный,

 

 

 

— чтобы

обеспечить

токопро-

 

 

 

хождение через лампу. Так как

 

 

 

первая

сетка

обычно имеет

от­

 

 

 

рицательный потенциал, то при

 

 

 

отрицательном

 

потенциале

и

 

 

 

второй

сетки

действующее

на­

 

 

 

пряжение

в

плоскости первой

 

 

 

было бы отрицательным и лам­

 

 

 

па

оказалась

бы

запертой.

Рис. 4.10.

Схема включения тетрода

Напряжение экранирующей сет­

 

 

 

ки

обычно

выбирают

в преде­

 

значение потенциала - второй

лах (0,5-=-1,0)

U . Положительное

сетки приводит

к тому, что

катодный ток

разделяется на анодный

ток

и ток

второй

сетки

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/« =

/. +

/«■

(4.13)

Когда лампа работает в усилителе и на ее управляющую сетку пода­ ется переменное напряжение, то не только в анодной цепи, но и в цепи экранирующей сетки появляется переменная составляющая тока. Если теперь в цепи экранирующей сетки содержится какое-либо сопротивление (таким сопротивлением может быть и внутреннее сопротивление источника питания), то потенциал ее во время работы усилителя становится пульсирующим и ее экранирующее действие уменьшается. Для обеспечения постоянства потенциала экранирую­ щей сетки между ней и катодом всегда включается конденсатор большой емкости, который шунтирует внешнюю цепь по перемен­ ному току (рис. 4.10).

4.3.2. Закон степени 3/2 для тетрода

Для вывода уравнения катодного тока в тетроде определим соглас­

но 4.2.1 действующие напряжения в плоскостях второй сетки

 

U02 — °2 (^2 U01 +

^с2 + D2Ua)

(4.14)

и первой сетки

 

 

 

 

U01 =

ai №a +

Uд2).

(4.15)

Учитывая, что обычно Uq\ С Uс2 и D'2<i 0,1, в (4.14) можно

пре­

небречь членом D^Uo, по сравнению

с Uc2 и записать

 

U 02 ^

°2 (^с2

“Ь Д г ^ а )-

(4.16)

231

Т огда (4 .15) п ри н и м ает вид

(4.17)

(4.18)

Это выражение, и представляет собой закон степени 3/2 для тетрода.

4.3.3. Токорйспределение в тетроде

Из-за наличия в тетроде двух положительных электродов, второй сетки и анода, ход анодно-сеточных и анодных характеристик тетрода определяется не только закономерностями изменения катодного тока, но и токораспределением.

Так цак в тетроде напряжение первой сетки по модулю обычно мало по сравнению с напряжением второй, то тангенциальные состав­ ляющие скоростей, приобретаемые электронами при прохождении первой сетки, всегда на много меньше скоростей, сообщаемых им полем второй. Поэтому практически можно пренебречь влиянием пер­ вой сетки на направление, вектора скорости электронов в плоскости второй сетки й рассматривать тетрод с точки зрения токораспределения как триод, получающийся при изъятии первой сетки из тетрода. Тогда на основании (3.177) для коэффициента токопрохождения в ре­ жиме перехвата можно записать

(4.19)

21n ~ Pi

2кс2

где с2, Рг, Uc2 и Uд2 — соответственно радиус проволоки навивки, шаг навивки, напряжение и действующее напряжение второй сетки, a UJUffi с учетом (4.16) равно

(4.20)

Таким же образом можно получить выражение для q в режиме

возврата.

(4.19)

и (4.20) q практически не зависит от напряжения

Согласно

первой сетки.

Это

объясняется тем, что обычно |£/с2|

|£/с1| и вто­

рая сетка настолько густая, что электрические поля по обе ее стороны можно считать независимыми друг от друга.

Так как в тетроде оба положительных электрода расположены рядом, то на токи за счет распределения электронов, летящих Q катода, накладывается еще динатронный эффект.

232

4.3.4. Статические характеристики тетрода

I. Виды статических характеристик тетрода

Статические характеристики тетрода, в зависимости от того, на­ пряжение какого электрода принимается за аргумент, делят на сле­ дующие группы.

а) Характеристики по напряжению первой сетки:

катодно-сеточная

Л< = f (£/а ) при Uc2, U&= const;

анодно-сеточная

/а = / (f/ci) ГРИ ^С2. = const;

экранно-сеточная

/« = / (£/сх) ПРИ ^ С 2. U а = const.

б) Характеристики по напряжению второй сетки (их принято называть экранными):

катодно-экранная

/ Ч = / ( ^ с в ) при E/ci, t/a = const;

анодно-экранная

II

и

экранная

^сг = / (^ с г )

при

Uа =

const;

при

U c v £ /а =

const.

в) Характеристики по анодному напряжению:

катодно-анодная

/ к =

/ (U а)

при

£/с1,

U q2 =

const; .

анодная

 

 

 

 

 

/ а =

/' (*Л)

при

С/с1,

Uc2=

const; ■

экранно-анодная

 

 

 

 

 

/С2 =

/ (^а)

при

Ucv

Uc2 =

const.

Каждую из этих зависимостей можно представить в виде семейства характеристик, параметром которого является одно из напряжений, поддерживаемых постоянным для отдельной характеристики.

В приведенный перечень не включены характеристики тока пер­ вой сетки, полагая, что она, как управляющая, имеет отрицательный потенциал, Если отбросить это ограничение, то к характеристикам группы а) добавляется сеточная характеристика, группы б) — сеточ-. но-экранная и группы в) — сеточно-анодная.

Практическое значение анодной и анодно-сеточной характеристик то же, что у триода: они служат для анализа работы лампы. Харак­ теристики по напряжению второй сетки используются, в основном, для выбора рабочей точки при разработке новой аппаратуры.

233

II. Х арактеристики по напряж ению п ервой сетки

Начало катодно-сеточной характеристики находится из условия / к = 0. Тогда на основании (4.18) получаем для напряжения запира­ ния

^с1зап— — °2 (Di Uc2+ £>i D3 Ua).

(4.21)

Член DflzUa очень мал по сравнению с первым членом в скобке, так что положение начальной точки в основном зависит от значений Dx и t/c2. Дальнейший ее ход определяется законом степени 3/2.

Рис. 4.11.

Катодно-сеточная,

анода Ua и экранирующей

сетки

анодно-сеточная и экранно­

сеточная

характеристики тет­

(Усо на ход анодно-сеточных

и эк­

 

рода

ранно-сеточных

характеристик

 

 

тетрода:

 

при и с2 и а

U,2>Uc2

"Р" и'с2-иа

и' > и"

при U"c2.u"a

 

Анодно-сеточная и экранно-сеточная характеристики

начинаются

в той же точке на оси абсцисс, что и катодно-сеточная,

и также под­

чиняются закону степени 3/2, так как токораспределение практически от Uci не зависит (рис. 4.11). Влияние Ua на ход этих характеристик незначительно. Их начальная точка из-за густоты второй сетки со­ гласно (4.21) практически от Ua не зависит. С изменением Ua из-за изменения коэффициента токораспределения только несколько изме­ няется наклон анодно-сеточной и экранно-сеточной характеристик, причем меняется он в противоположные стороны (рис. 4.12). Если сравнивать эти характеристики при равных значениях Ua, но раз­ личных Uc2, то они будут отличаться не только наклоном, но соглас­ но (4.21) и положением начальной точки.

234

III. Х арактеристики по анодном у напряж ению

 

В связи с тем,

что UcZ > 0 , катодный ток имеется

как при поло-

' жительных, так

и отрицательных

значениях

Ua. Согласно

(4-18) / к

от зависит слабо.

Поэтому теоретически катодно-анодная

характе­

ристика

должна

представлять

 

 

 

 

 

 

 

 

собой плавную

 

линию с малым

 

 

 

 

 

 

 

 

наклоном.

В

действительности

 

 

 

 

 

 

 

 

же

 

она

вблизи

 

оси ординат

с

 

 

 

 

 

 

 

 

уменьшением 11йпадает сильнее,

 

 

 

 

 

 

 

 

чем

это

соответствует

закону

 

 

 

 

 

 

 

 

степени 3/2 (рис. 4.13). Это

 

 

 

 

 

 

 

 

связано

с тем,

 

что

при

анод­

 

 

 

 

 

 

 

 

ных напряжениях, когда лампа

 

 

 

 

 

 

 

 

по токораспределению

работает

 

 

 

 

 

 

 

 

в режиме возврата,

часть

возв­

 

 

 

 

 

 

 

 

ращающихся от

анода

электро­

Рис. 4.13.

Характеристики

 

тетрода по

нов за

счет инерции пролетает

 

анодному напряжению:

 

через вторую

сетку

И

З а л е т а е т -----------------теоретический ход

характеристик;

В пространство

 

первая

сетка ----------------------- :

реальный ход

характеристик

катод (см. рис.

 

4.5,

траектории-

 

 

 

 

 

 

 

 

вида

6),

увеличивая простран­

 

 

 

 

 

 

 

 

ственный заряд

 

перед

катодом

 

 

 

 

 

 

 

 

и

вызывая

этим

уменьшение

 

 

 

 

 

 

 

 

/ 1{.

Число

таких

электронов

 

 

 

 

 

 

 

 

растет

с

уменьшением

Ua.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В связи с тем, что /„ слабо

 

 

 

 

 

 

 

 

зависит от £/а,

 

анодные

и эк­

 

 

 

 

 

 

 

 

ранно-анодные

 

характеристики

 

 

 

 

 

 

 

 

должны

бы быть

похожими

на

 

 

 

 

 

 

 

 

кривую токораспределения, при­

 

 

 

 

 

 

 

 

веденную

ранее

 

на рис. 3.33,а.

 

 

 

 

 

 

 

 

В действительности

же они при

 

 

 

 

 

 

 

 

Ua<

Uc2 резко

 

искажаются за

 

 

 

 

 

 

 

 

счет

 

динатронного

 

эффекта

Рис.

4.14.

Семейство

анодных

ха­

(рис. 4.13).

На рис.

4.14

пока­

рактеристик

тетрода

и

нагрузоч­

зано семейство

 

анодных харак­

ные прямые при малом (1)

и боль­

теристик

при Ucl в качестве па­

шом (2) сопротивлениях нагрузки:

раметра. Хотя коэффициент вто­

-----------------характеристика

при t/cj =

U^

ричной

эмиссии

 

с анода

и

не

в случае отсутствия вторичной эмиссии с анода

зависит от Ucl, кривые с увели­

 

 

 

 

 

 

 

 

чением Ucl

в начальной

облас­

 

вид

становятся более

плав­

ти из-за более

 

крутого

подъема н а .

ными.

 

 

иметь

в

виду,

что

пологий

участок анодных

и

экранно­

 

Нужно

анодных характеристик соответствует режиму перехвата и не имеет ничего общего с явлением насыщения; каждому значению Ucl соот­ ветствует другой уровень пологого участка. Расстояния между ними

235

при изменении Uix на одинаковые ступени, в связи с нелинейным характером анодно-сеточной характеристики, неодинаковы. Они рас­ тут с изменением UcX в сторону положительных значений.

IV. Характеристики по напряжению второй сетки

. (рис. 4.15)

Кривая для /„ подчиняется за­ кону степени 3/2. Другие две ха­ рактеристики зависят также от токораспределения. Положение начальной точки всех трех кривых определяется по (4.18) из условия

^ с 2 зап = — ( р г" U а + £*2

(4.22^

Рис. 4.15. Характеристики тетрода по напряжению второй сетки

4.3.5. Применение тетродов

■Перед тем, как перейти к возможности применения тетродов, уста­ новим, в какой мере-у тетродов отсутствуют недостатки, имеющиеся

утриодов (см. § 3.14).

1.Наличие экранирующей сетки ослабляет в тетроде, по сравне­

нию с триодом, электростатическую связь анода с первой сеткой и катодом, что приводит к уменьшению частичных междуэлектродных емкостей Сас1 и Сак. Тетрод, как и все многоэлектродные лампы, обычно работает в схеме с общим катодом. Тогда анод является вы­ ходным электродом, первая сетка — входным и емкость Сас1 — про­ ходной емкостью лампы. Проходная емкость у тетродов в среднем в десятки раз меньше, чем у аналогичных триодов.

2. Усиление, даваемое тетродом, можно характеризовать общим статическим коэффициентом усиления. Смысл этого понятия заключа­ ется в том, чтобы сопоставить изменение потенциала выходного элект­ рода с изменением по1-енциала входного в их воздействии на анодный ток. Тогда при схеме с общим катодом

V-

dUa

 

(4.23)

dUcl

I . = const

 

a

 

Для того чтобы сравнить

эту величину с

статическим коэффи­

циентом усиления триода, оценим, какое требуется изменение анод­

ного напряжения, чтобы скомпенсировать

действие на ток / а измене­

ния напряжения управляющей сетки на

1 В.

Так как Ia — q / к,

то влияние изменения нужно рассматривать

как наложение влия­

ний его на / к и q..Чтобы вызвать такое же изменение / к, как в триоде, изменение Ua в тетроде согласно (4.18) должно быть в 1Юг раз боль­

236

ше. Если ограничиться режимом перехвата, в котором обычно исполь­

зуются тетроды,

то q согласно (4.19) незначительно

изменяется с Uя.

Таким образом,

при .режиме перехвата-

влияние

изменения Ua на.

/ а в тетроде намного слабее, чем в триоде.

Это значит, что р. у тетрода

в нормальных рабочих условиях значительно больше, чем у триода. Их величины в среднем отличаются на один порядок.

3.

 

Для эффективного усиления мощности требуются лампы с боль

шим р целевыми»

анодно-сеточными характеристиками.

Как было ука­

зано

ранее, увеличение р тетрода,

по сравнению с р триода, зависит

в основном от величины D2

и

 

 

 

 

 

будет тем больше,

чем

меньше

~\

 

 

 

 

D2. Согласно (4.21)

сдвиг анод­

!

i

Ь

 

но-сеточной характеристики тет­

 

рода

по

отношению к началу

К

С,

сг

А

 

системы

координат

определяет­

 

 

 

 

 

ся главным образом величинами

 

 

 

 

 

Di и Uc2 и

будет

тем

больше,

 

 

 

 

 

чем больше

Dь

Следовательно,

 

 

 

 

 

если

сделать

Di

большим,

а

 

 

 

 

 

£>2 — малым,

то

получаются

 

 

 

 

 

одновременно

большое р и «ле­

 

 

 

 

 

вые»

характеристики.

 

 

 

 

 

 

 

Согласно

 

этому сопоставле­

 

 

 

 

 

нию

экранированные

тетроды

Рис. 4.16.

Распределение потенци­

должны

хорошо

работать

в

ала в тетроде без учета простран­

каскадах усиления

напряжения

ственного заряда в статическом (—)

высокой частоты,

каскадах уси­

и рабочем

(---------- )

режимах

при

ления мощности

и в ламповых

большом

значении

анодного

тока

генераторах.

В действительнос­

 

 

тому — динатронный

ти они,

однако,

мало

применяются; причиной

эффект.

Так как на искажение формы статических характеристик тетродов в основном влияет вторичная эмиссия с анода, их нельзя использо­ вать для усиления в условиях, когда Ua может стать меньше U&. Такое положение может возникнуть в рабочем режиме при большой, амплитуде переменной составляющей анодного тока, даже если на­

пряжение питания в анодной цепи Еа больше,

чем 0 с2 (рис. 4.16).

Это вытекает из (1.24), согласно которому £/а =

Ея 1яЯя.

Малые нелинейные искажения можно получить лишь при малых амплитудах усиливаемых сигналов (см. нагрузочные прямые на рис. 4.14). Поэтому тетроды практически не применяют в усилителях низкой частоты, особенно для усиления мощности, так как в этом случае амплитуды переменных составляющих токов и напряжений

обычно велики.

При использовании тетродов в генераторах наличие динатронного эффекта приводит к уменьшению колебательной мощности (ср. на рис. 4.14 отрезки нагрузочной прямой от оси абсцисс до точки пере­ сечения с характеристиками при наличии и отсутствии динатронного эффекта).

237

§4.4. ПЕНТОД

4.4.1.Действие защитной сетки в пентоде

Для того чтобы избавиться от динатронного эффекта, ограничиваю­ щего возможности использования тетрода, в электродную систему между экранирующей сеткой и анодом вводится дополнительная сет­ ка, называемая а н т и д и н а т р о н н о й или з а щ и т н о й . Та­ ким образом получается пятиэлектродная лампа — пентод. Защитная

 

 

 

 

 

 

 

 

сетка

обычно

выполняется

 

очень

К

С1

 

 

 

/I

 

 

редкой и должна

иметь

потенци­

 

 

 

 

 

ал,

близкий к потенциалу

 

катода.

4 ~ - 1 —

 

I—

’—

L 7

 

 

В большинстве случаев

ее

можно

 

 

 

прямо соединить с катодом.

У тех

-------i----- ~ Р й

 

 

 

1

 

 

пентодов, у которых не предполага­

 

 

 

 

 

 

 

 

ется использовать третью сетку еще

 

 

 

 

 

 

 

 

для каких-либо других целей, со­

 

 

 

 

 

 

 

 

единение с

катодом

производится

 

 

 

 

 

 

 

 

непосредственно внутри

баллона и

 

 

 

 

 

 

 

 

тем самым

сокращается

количест­

 

 

 

 

 

 

 

 

во

необходимых

вводов

в ножке

 

 

 

 

 

 

 

 

лампы.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для объяснения действия треть­

Рис. 4.17.

Распределение

потен­

ей

сетки

удобно

исходить

из диа­

циала в пентоде (без учета прос­

граммы

распределения

потенциа­

транственного заряда) в продоль­

ла между катодом и

анодом

пен­

ных сечениях I—/, проходящем

тода.

На

рис.

4.17 это распределе­

сквозь витки сеток, и IIII,

про­

ние

показано

в двух

различных

ходящем

через

просветы

между

 

 

витками

сеток

 

 

продольных сечениях лампы: про­

 

 

 

 

 

 

 

 

ложенном через

витки

сеток и че­

 

 

 

 

 

 

 

 

рез

середины

просветов

 

между

витками.

Потенциал

третьей

сетки

 

принят

 

равным

 

нулю.

Кри-

вые даны в упрощенном

виде,

без учета пространственного

заряда.

В

сечении

через

витки

/ —/ распределение

построить

 

просто,

п'ак

как

кривая

в плоскостях

электродов

должна

проходить

через

точки, соответствующие заданным потенциалам электродов. Но прак­ тически важнее распределение по сечению через просветы I I II, так как по этому пути движется основной поток электронов. Здесь кривая распределения потенциала идет более плавно, чем вдоль I I. Это связано с тем, что потенциал посередине просвета между витками какой-либо сетки определяется не только потенциалом самой сетки, но и действующими потенциалами в плоскостях соседних по обе сто­ роны электродов. В результате потенциал в плоскости третьей сетки по пути движения электронов не равен нулю, а имеет некоторое по­ ложительное значение t/min, составляющее обычно несколько десят­ ков вольт.

Появление благодаря третьей сетке глубокого минимума потен­ циала между второй сеткой и анодом позволяет избавиться от дина­ тронного эффекта. Вторичные электроны при выходе из анода за счет

238

минимума сразу попадают в тормозящее поле, и, не долетая до третьей сетки, почти все возвращаются обратно к аноду, так как большая часть их имеет слишком малые начальные энергии (-<20 эВ), чтобы преодолеть минимум. Поэтому потенциал анода без проявления динатронного эффекта может снижаться в рабочем режиме до значений, лишь на 20—30 В превышающих потенциал в минимуме, т. е. прини­ мать значения, на много меньшие потенциала второй сетки. По тем же соображениям вторичные электроны, выбитые из второй сетки, при анодных напряжениях, больших Аг. не могут перейти на анод. Первичные электроны в основной своей массе не задерживаются этим минимумом, так как потенциал катода, с которого они летят, значи­ тельно ниже потенциала минимума.

. 4.4.2. Закон степени 3/2 для пентода

У пентода, так же как у тетрода, характеристики токов анода и экранирующей сетки определяются наложением закономерностей токораспределения на закон изменекия катодного тока. Однако в отличие от тетрода здесь отсутствует динатронный эффект.

Для вывода закона степени 3/2 для пентода приведем пентод к

эквивалентному диоду.

Тогда катодный

ток выразится как

где Udl — действующее

, /„ = G U'it,

(4.24)

напряжение в

плоскости первой сетки

пентода.

 

 

Для получения развернутого выражения для Ugi напишем зна­

чение действующих напряжений в плоскостях всех

трех сеток пен­

тода. Принимая UK=

0 и А з 0, согласно (4.3)

получаем

А з = о3( А А з + А А ) >

(4.25)

A a =

°2 (A

A i + А 2 + А А з) >

(4.26)

 

А , =

°1 (A i + А Аз).

(4.27)

Теперь подставляем (4.25) в (4.26) и группируем члены, содержа­

щие Uдг- Тогда

 

 

 

 

 

 

 

 

Uд2

----- о3 D2D3J =

A A i + Aa +

°з A A Uа-

(4.28)

Так как у реальных ламп обычно А <

0,1

я D'3<. 0,5

и так как

ст3<

1, а 1/а2

> 1 ,

то с, достаточной для

практических целей

точ­

ностью величиной a3D3D3 по

сравнению с

1/сг2 можно пренебречь.

Отсюда

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

А а ^

°2 (A

A i

"I- А г "Ь °з А А А ) •

(4.29)

Далее подставляя

(4.28)

в

(4.27), группируя члены, содержащие

A i,

и учитывая в соответствии с предыдущим, что- o2DiD'2 «

1/<ъ

получаем для Uд1

 

 

 

 

 

 

 

 

A i « °1 (A i +

°а А Аа + °а °з А А А А)-

(4.30)

239

Как видно из сравнения (4.30) с (4.17), влияние анодного напря­ жения на в пентоде еще слабее, чем в тетроде. Это обусловлено тем, что здесь между анодом и катодом расположена не одна, а две сетки, имеющие постоянный потенциал и тем самым оказывающие экранирующее действие.

У пентодов, предназначенных для усиления напряжения высокой

частоты, экранирующая сетка обычно

делается

настолько

густой,

что D2

1 и D' «

1. Тогда можно считать, что

ст2 =

1

и в

(4.29)

пренебречь, по сравнению с UcZ, слагаемыми D'2Udl

и

o3D2D3Ua,

тем более, что,

кроме того, Udl мало по

сравнению с Uc2, a D3< 1.

С учетом этих

упрощений

 

 

 

 

 

 

 

 

Ugz ж Uc2.

 

 

 

 

(4.31)

Отсюда при густой экранирующей сетке

 

 

 

 

 

 

 

Uд1 — °1 cl + ^1 ^сг)

 

 

 

(4.32)

и уравнение (4.24)

принимает вид

 

 

 

 

 

 

 

 

1к = ОоУ- (ис1 +

п с2),/а.

 

 

 

(4.33)

4.4.3. Токораспределение в пентоде

Расчет токораспределения в пентоде при низких по сравнению со второй сеткой потенциалах первой и третьей сеток можно свести, как и в случае тетрода, к расчету токораспределения в некотором эквивалентном триоде. Однако в пентоде условия токораспределения несколько иные, чем в тетроде, так как здесь электроны после про­ хождения второй сетки в промежутке между второй сеткой и третьей практически при любых значениях Uа попадают в тормозящее элект­ рическое поле. Что касается пространства между третьей сеткой и

анодом, то нужно различать

два случая:

>• Ud3, когда поле для

электронов

ускоряющее, и

Ua< U d3, когда оно тормозящее.

При

(У а > Ud3,

что

соответствует реальным рабочим условиям, триодом,

эквивалентным

пентоду с точки зрения

токораспределения,

будет

такой, у которого сетка находится на месте второй сетки пентода и имеет потенциал, равный Ud2, а анод расположен на месте третьей сетки пентода и имеет потенциал Uдз.. Такая замена пентода триодом возможна по двум причинам: вотпервых, как уже указывалось в

4.3.3, потому, что

при Udl <

Ud2 влиянием первой сетки на токорас­

пределение можно

пренебречь,

во-вторых, потому, что при > Ud3

электрическое поле между третьей сеткой и анодом для первичных электронов ускоряющее и поэтому они могут повернуть обратно ко

второй

сетке только в пространстве между второй и третьей. При

<

Ud3, когда поле тормозящее не только между второй и третьей

сетками, но и между третьей сеткой и анодом, эквивалентным триодом будет триод, образуемый катодом, второй сеткой и анодом пентода.

240

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ