9. Измеритель частотных характеристик (Bode Plotter)

Для анализа характеристик цепей в частотной области имитируется прибор Bode Plotter (Bode – от диаграммы Боде). Это аналог прибора измерителя частотных характеристик (ИЧХ). С помощью ИЧХ снимаются амплитудно-частотные характеристики (АЧХ) и фазо-частотные характеристики(ФЧХ). В окне конструирования условный графический образ прибора появится после щелчка на кнопку Bode Plotter панели Instruments (Инструменты). Для включения в схему моделирования прибор имеет гнезда In (Вход) на него подается напряжение которое считается входным и гнезда Out (Выход) для подачи выходного напряжения с исследуемой схемы.

Щелчком на значке прибора ИЧХ встроенного в исследуемую схему на экране монитора появится изображение лицевой панели. Для снятия АЧХ необходимо нажать на кнопку Magnitude (Амплитуда). При нажатии кнопки Phase воспроизводится ФЧХ. Горизонтальную (Horizontal) и вертикальную (Vertical) разметку осей можно установить в логарифмическом (кнопки Log ) или линейном (кнопки Lin ) масштабах. Имеются поля для ввода начальных и конечных значений шкал – соответственно поле I (Initial) (начало шкалы) и поле F (Final) (конец шкалы). Для измерения модуля и аргумента коэффициента передачи применяется вертикальный визир, перемещаемый мышью. Результаты, полученные при передвижении визира, высвечиваются под экраном.

Для нормального функционирования режима измерения на вход любой исследуемой схемы необходимо включить генератор переменного сигнала (Функциональный генератор).

Пример выполнения измерения Bode Plotter фильтра низких частот приведен на рисунке.

Схема измерения АЧХ и ФЧХ

10. Анализатор вах (IV Analyzer-xiv1)

Анализатор ВАХ (IV Analyzer-XIV1) позволяет строить вольт-амперные характеристики (ВАХ) диодов, биполярных p-n-p и n-p-n транзисторов, полевых p и n канальных МОП транзисторов. Тип исследуемого прибора задается полем Components помощью кнопки . Выбранный тип прибора активизируется с помощью мыши на лицевой панели анализатора. При нажатии кнопки высвечиваются приборы: Diode (диод), BJT-p-n-p транзистор, BJT-n-p-n транзистор, MOS-p полевой транзистор и MOS-n полевой транзистор.

Установка предельных значений параметров осуществляется нажатием кнопки (моделирование параметров)на лицевой панели.

При нажатии кнопки Sim. Param вызывается диалоговое окно Simulate Parameters. В этом окне с помощью полей Source Name:

V-начальные (Start) и конечные (Stop) параметры для моделирования , а так же приращения (Increment) и число шагов (Num.Steps) моделирования.

Для диодов (Diode) в поле Source Name: Vpn устанавливается начальное (Start:) и конечное (Stop:) значение напряжений.

Для биполярных транзисторов значения параметров устанавливаются начальное (Start) и конечное (Stop) значения токов базы (Source Name: Iв), в поле Source Name: Uce начальное (Start) и конечное (Stop) значения изменения напряжения коллектор-эммитер (KE).

Для полевых транзисторов выставляется начальное (Start) и конечное (Stop) значения напряжений сток исток (Vds) и начальное (Start) , конечное (Stop) значения напряжений затвор-исток (Vgs).

Количество поостренных зависимостей Ic=f (Ucu; Uзи=const) определяется количеством (Num.Steps) изменения напряжения затвор-исток (Vgs). Примером построения выходных ВАХ для полевого транзистора показан на рисунке.

Пример построения выходных ВАХ для полевого транзистора.