Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Физика твердого тела и конденсированных систем Часть 1..pdf
Скачиваний:
10
Добавлен:
15.11.2022
Размер:
3.04 Mб
Скачать

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 6

ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И МЕТАЛЛОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ

Цель работы: ознакомиться с методом исследования зависимости электросопротивления полупроводников и металлов от температуры.

Приборы и принадлежности: установка с образцами и термометром, электроплитка, цифровые приборы Щ4313.

Краткие теоретические сведения

Известно, что электросопротивление полупроводников с повышением температуры уменьшается по закону

 

 

 

А£

 

 

 

 

R = R0e2kT,

 

 

(1)

где АЕ -

ширина запрещенной

зоны;

к -

постоянная

Больцмана,

Т - термодинамическая температура.

 

 

 

 

 

Причиной этого является температурный рост концентрации подвижных

носителей заряда (электронов и дырок) согласно соотношению

 

 

 

АЕ

 

 

 

 

л ~ е

2кт

 

 

(2)

Прологарифмировав соотношение (1), получим

 

 

 

 

AF

1

 

(3)

 

1пЛ = 1пЛ0 + -------.

 

 

 

0

2 к Т

 

 

График

найденной линейной зависимости

ln/J = / ^ j

(рис. 1) есть

прямая, образующая с осью абсцисс угол а, причем

 

 

« а

Д£

 

 

(4)

 

-

- .

 

 

 

Рис. 2. Зависимость R =J[t) для металлов

 

 

Следовательно, ширину запрещенной зоны (энергию активации) можно

определить из графика по формуле

 

 

A£ = 2fctga,

(5)

где

tg a = -ДИ )

(6)

 

g Д(1/ту

 

к= 1,38-10'23 Дж/К.

 

 

Значение АЕ рассчитывают в эВ (1 эВ = 1,6-10'19 Дж). Для

повышения

точности результата угловой коэффициент (4) прямой графика (см. рис. 1) необходимо вычислить по методу наименьших квадратов.

Для проводников первого рода (металлов) характерно увеличение электросопротивления с повышением температуры. В небольшом диапазоне изменения температуры выполняется зависимость (рис. 2):

R = R0(\ + a t),

(7)

где RQ- сопротивление проводника при О °С; R -

сопротивление проводника

при / °С, a - температурный коэффициент сопротивления. Раскрывая скобку в уравнении (7), получим линейную зависимость

R = R0 + bt,

 

(8)

где

 

 

b = R0a

(9)

- угловой коэффициент прямой графика

(см. рис. 2).

 

 

Описание установки

 

Исследуемый

полупроводник

(тер­

мистор) и катушка из медной проволоки

расположены в непосредственной

бли­

зости от ртутного

шарика термостата

(рис. 3). Термометр вместе в катушкой и полупроводником погружены в глицерин, налитый в сосуд С|, который, в свою очередь, погружается в сосуд с водой С2,

установленный на электроплитке.

Измерение сопротивления полупроводника и катушки производится с помощью цифрового прибора Щ4313.

Порядок выполнения работы

1.Измерить сопротивление проводника катушки из медной проволоки при комнатной температуре. Результаты занести в табл. 1.

2.Измерить сопротивление полупроводника при комнатной темпе­ ратуре. Результаты занести в табл. 2.

3.Включить нагреватель и в процессе нагревания измерить сопротивле­

ние полупроводника и металла в интервале

температур до 90 °С (через

10 °С). Результаты занести в табл. 1 и 2.

 

 

 

Для металла

 

4. Методом наименьших

квадратов

по

данным табл. 1 вычислить

значения R{)и b зависимости (8) по следующим формулам:

N

( 1 N

\ N

 

 

I * A - т т ! '/ Е * .

Ь =

ы\____ V v /=1

уi=i

N

( 1 N

\ N

Ъ ,г - *Е>< Ь

1=1

V v 1=1 1

1 "

N \

( 10)

(11)

"f t

5.Построить график зависимости Д=Д/, °С) по двум точкам: Д0 и R, взятым для произвольного значения температуры. Нанести на график экспериментальные точки.

6.Вычислить температурный коэффициент сопротивления а по формуле (9).

Для полупроводников

7. Построить график зависимости R =ДТ) для полупроводника по данным табл. 2.

8. По данным табл. 2 вычислить значения эмпирических параметров In До и tg а методом наименьших квадратов по следующим формулам:

 

 

, N 1ЛN

 

ц щ 1

—У — У щ

 

tga = 1=1 V

Т,-

 

( 12)

 

\2

 

 

 

|(^14 fiF

i

/V

( 1 N ,

9. Построить график

зависимости

ln/? = ln/?0 + — tg a по двум точкам,

при произвольно взятых значениях температуры. Нанести на график экспериментальные точки, взятые из табл. 2.

10. Вычислить энергию активации АЕ электропроводности полупроводника в эВ по формуле (5).

Таблица 1