Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Физика твердого тела и конденсированных систем Часть 1..pdf
Скачиваний:
10
Добавлен:
15.11.2022
Размер:
3.04 Mб
Скачать

Контрольные вопросы*

1.Какая величина называется электрическим сопротивлением?

2.Зависимость сопротивления проводников от температуры.

3.Собственная проводимость полупроводников.

4. Какая величина называется энергией активации полупроводника?

5.Зависимость собственной проводимости полупроводника от температуры.

6.Методика определения энергии активации.

7.Примесная проводимость полупроводника.

8.Зависимость примесной проводимости полупроводника от температуры.

При подготовке к лабораторной работе использовать учебник И.В. Савельева (Курс общей физики: В 3-х т. М.: Наука. Т 2: Электричество. Колебания и волны. Волновая оптика, 1989. 464 с.; Т. 3: Квантовая оптика. Атомная физика. Физика твердого тела. Физика атомного ядра и элементарных частиц. 1987. 317 с.).

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 7

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ПОМОЩЬЮ ЭФФЕКТА ХОЛЛА

Цель работы: у исследуемого полупроводника определить:

1)постоянную Холла Я/у, м3/Кл;

2)преобладающий тип проводимости (знак основных носителей заряда);

3)концентрацию носителей заряда п, м'3;

4)подвижность носителей заряда Ь, м2/(В-с).

Приборы и принадлежности: образец полупроводника, лабораторная установка.

Краткие теоретические сведения

На движущийся в проводнике носитель заряда при наличии магнитного попя действует сила Лоренца (^л), величина и направление которой определяется векторным произведением:

Fn = q v x B , (1) где В - индукция магнитного поля; q и д - заряд и скорость носителя тока. В случае, если носители тока - электроны заряд q = -e , где е= 1,6* 10 19 Кл - элементарный заряд.

Под действием этой силы носители тока отклоняются к одной из продольных граней проводящей пластины, благодаря чему она зарядится одним знаком, а противоположная грань другим (рис. 1).

Процесс образования заряда на продольных гранях продолжается до тех пор, пока кулоновская сила поля Холла не уравновесит действие силы

Лоренца, т.е. выполнится условие

 

eE = e(v)B .

(2)

В установившемся режиме Холловскую разность потенциалов можно

определить из условия (2):

 

U: = E d= (v)B yd .

(3)

Учитывая, что ток через пластину

 

Ix = ed n(v)a,

 

где п - концентрация носителей заряда; а и d - геометрические размеры пластины, можно найти холловскую разность потенциалов по формуле

I XBV

UZ =RH а

(5)

Здесь константа

 

R

(6)

называется постоянной Холла. Из соотношения (5) можно вычислить постоянную Холла:

D

Uza

=у а ’ где У =

U,

R H = - Г Г

(7)

 

1х В у

I*BV'

а затем из формулы (6) определить концентрацию носителей заряда:

(8)

e R H

Далее по известному значению удельной электропроводности (о) образца находят подвижность носителей заряда (b) по формуле

b = ^ -R „ a .

(9)

371

Определение характера проводимости полупроводника производится по закону холловской разности потенциалов при известном направлении тока в образце и направлении вектора магнитной индукции.

Экспериментальная установка для исследования эффекта Холла в полупроводниках

В данной работе холловская разность потенциалов измеряется с помощью электронного милливольтметра типа 111-4313. Электрическая схема измерительной установки изображена на рис. 2 и 3.

Магнитное поле создается электромагнитом, градуировка которого проведена по ампертеслометру типа Ф4354/1. Градуировочный графи.

В

Рис. 2. Схема включения электромагнита (направление

поля В соответствует положению I коммутатора К\)

Рис. 3. Схема включения измерительных приборов

донанпя

эффекта Холла в полупроводниках (направлениям тока /

поля В

соответствуют положения I коммутаторов К2н К\ (см. рис. 2))

 

В =J[f) для межполюсного зазора Л = 4 мм и диаметра полюсников Д = 25 мм прилагается к установке. Величина тока, проходящего через обм отку электромагнита, регулируется реостатом Д1 и измеряется амперметром А. В качестве источника постоянного тока используется выпрямитель.

Исследуемый образец легированного полупроводника вмонтирован в специальный держатель, на котором указаны размеры кристалла. Ток через образец регулируется реостатом R2 и измеряется миллиамперметром мА.

Направление тока в образце можно изменять с помощью коммутатора

К2.

Для увеличения точности определения постоянной Холла RJf значение холловской разности потенциалов Uz должно быть измерено при двух противоположных направлениях тока в образце. За измеренную величину U- следует брать среднее значение из этих двух измерений. В противнем случае к холловской разности потенциалов Uz при одном направлении тока добавится остаточное падение напряжения UOCT, являющееся следствием неэквипотенциальности контактов 3 и 4 образца (см. рис. 3) в отсутствие магнитного поля.

Для определения знака носителя тока в проводнике необходимо договориться о прямом и обратном направлениях тока и вектора индукции магнитного поля в соответствии с рис. 2 и 3. Направление прямого тока показано знаками (+) и (-) на держателе образца, а вектора В буквами С и Ю на полюсниках электромагнита (см. рис. 2). Эти направления соответствуют положению коммутаторов К\ и К2 в состоянии I. Если при условии сохранения состояния I коммутаторов К\ и К2 милливольтметр показывает положительное значение измеряемой холловской разности потенциалов в положении I коммутатора /О, то основными носителями тока в образце следует считать дырки, а полупроводник p-типа. Если же милливольтметр при этом покажет отрицательное значение холловской разности потенциалов, то основными носителями тока являются электроны, а полупроводник я-типа (см. рис. 3).

Порядок выполнения работы

1 Размагнитить сердечник электромагнита. Для этого с помощью реостата R 1 (см. рис. 2) установим» максимальный ток /ш > 1 Л, а затем, многократно переключая коммутатором /\1 полярность питания обмотки элек тромагнита, плавно снизить ток до нуля.

2. Снять семейство зависимостей холловской разности потенциалов U: от тока через образец в диапазоне /х.= (10--50) мА для пяти значений тока >лектромагнпта 1,„ = 0.2; 0,4; 0,6; 0,8; 1,0 А. Результаты измерений занести в

таблицу.

 

характеристик (U.) = f ( l x) для

3. Построить на графике!

семейство

разных значений магнитной индукции Ву.

(

 

 

 

 

4. По графику 1 найти угловые коэффициенты этих прямых

для

 

 

V

 

каждой зависимости и занести значения в таблицу.

 

5. Построить график 2 зависимости углового коэффициента

от

 

 

j= / ( f i v).

h

величины индукции магнитного поля fiv.T.e.

 

6. По графику 2 найти

угловой коэффициент полученной

прямой

'А

7.Руководствуясь формулой (7),определить величину постоянной Холла (а = 0,4 мм).

8.Вычислить подвижность носителей заряда в образце по формуле (9). Значение удельной электропроводности полупроводника указано на держателе образца.

9.Вычислить концентрацию носителей заряда в полупроводнике по формуле (8).

10.По знаку холловской разности потенциалов определить знак основных носителей тока в образце и тип полупроводника.

Примечание. Весь расчет и построение графиков можно выполнить методом наименьших квадратов.