- •Введение
- •1. Подготовка образцов к измерению
- •1.1. Методы создания образцов заданной геометрии
- •1.2. Контакты к образцам и требования к ним
- •1.3. Методы изготовления контактов
- •1.4. Проверка омических свойств контактов
- •2.2. Четырехзондовый метод измерения удельного сопротивления
- •2.2.1. Электрическая схема и методика измерения удельного сопротивления четырехзондовым методом
- •2.2.2. Поправочные коэффициенты четырехзондового метода измерения удельного сопротивления
- •2.2.3. Применение четырхзондового метода при измерении удельного сопротивления тонких слоев и тонких пластин
- •2.3. Двухзондовый метод измерения удельного сопротивления
- •2.4. Однозондовый метод измерения удельного сопротивления
- •2.5. Измерение удельного сопротивления пластин произвольной формы (метод Ван дер Пау)
- •2.6. Измерение удельного сопротивления эпитаксиальных пленок
- •2.7. Метод контроля удельного сопротивления измерением сопротивления растекания в точечном контакте
- •2.8. Бесконтактные методы измерения удельного сопротивления
- •2.8.1. Бесконтактные емкостные методы измерения удельного сопротивления
- •2.8.2. Бесконтактные индуктивные методы измерения удельного сопротивления
- •3. Гальваномагнитные методы измерения параметров полупроводников
- •3.1. Эффект Холла. Возможности исследования параметров полупроводников с помощью эффекта Холла
- •3.2. Побочные поперечные эффекты, сопутствующие эффекту Холла
- •3.3. Методы измерения эффекта Холла
- •3.3.1. Метод постоянного тока и постоянного магнитного поля
- •3.3.2. Одночастотные методы
- •3.3.3. Двухчастотные методы
- •6 ‑ Образец; 7 – амперметр
- •3.4. Образцы для измерения эффекта Холла
- •3.5. Измерение эффекта Холла методом Ван дер Пау
- •4. Оптические методы измерения параметров полупроводников
- •4.1. Типы оптического поглощения
- •4.2. Аппаратура для исследования оптических свойств полупроводников
- •4.2.1. Характеристики оптических приборов
- •4.2.2. Источники излучения
- •4.2.3. Приемники излучения
- •4.2.4. Особенности основных типов спектральных приборов
- •4.3. Общие сведения о молекулярных спектрах
- •4.4. Оптический метод определения концентрации примеси из спектров поглощения
- •4.5. Образцы для измерений и определение их коэффициента поглощения
- •5. Методы исследования электрофизических параметров эпитаксиальных пленок
- •5.1. Метод окрашивания шлифов
- •5.2. Интерференционный метод измерения толщины пленок
- •На сильнолегированной подложке
- •5.3. Эллипсометрия. Эллипсометрический метод измерения толщины пленок
- •Света от чистой поверхности полупроводника (а) и от полупроводника с эпитаксиальным слоем (б)
- •5.4. Определение толщины пленки по дефектам упаковки
- •6. Измерение параметров неравновесных носителей заряда
- •6.1. Параметры неравновесных носителей заряда
- •6.2. Методы измерения дрейфовой подвижности
- •6.3. Методы измерения времени жизни
- •6.3.1. Измерение времени жизни по фотоэлектромагнитному эффекту
- •6.3.2. Измерения времени жизни методом модуляции проводимости в точечном контакте
- •5 ‑ Осциллограф
- •7. Методы контроля структуры материалов твердотельной электроники
- •7.1. Методы электронной микроскопии
- •7.1.1. Растровая электронная микроскопия
- •В кремний от их энергии
- •7.1.2. Просвечивающая электронная микроскопия
- •7.2. Методы рентгеновской спектроскопии
- •7.2.1. Методы рентгеновской топографии
- •7.2.2. Рентгеновский микроанализ
- •7.3. Методы электронной и ионной спектроскопии
- •7.3.1. Электронная спектроскопия для химического анализа (эсха)
- •Электрона в веществе от его энергии
- •7.3.2. Электронная оже-спектроскопия
- •7.3.3. Вторичная ионная масс-спектроскопия (вимс)
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
Библиографический список
1. Бонч-Бруевич В.Л. Физика полупроводников / В.Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. М.: Наука, 1977.
2. Батавин В.В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев / В.В. Батавин. М.: Радио и связь, 1976.
3. Батавин В.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / В.В. Батавин, Ю.А. Концовой, Федорович Ю.В. М.: Радио и связь, 1985.
4. Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла /Е.В. Кучис. М.: Советское радио, 1974.
4. Павлов Л.П. Методы измерения основных параметров полупроводниковых материалов / Л.П. Павлов. М.: Высш. шк., 1987.
5. Рембеза С.И. Методы измерения основных параметров полупроводников / С.И. Рембеза. Воронеж: ВГУ, 1989.
6. Рембеза С.И. Контроль параметров материалов электронной техники: учеб. пособие / С.И. Рембеза. Воронеж: ВГУ, 1993.
7. Физические методы исследования материалов твердотельной электроники / С.И. Рембеза, Б.М.Синельников, Е.С. Рембеза, Н.И. Каргин. Ставрополь: СевКавГТУ, 2002.
8. . Шалимова К.В. Физика полупроводников / К.В. Шалимова. М.: Энергия, 1985.
9. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников/ Ю.И. Уханов. М.: Наука, 1977.
Оглавление
Введение |
3 |
1. Подготовка образцов к измерению |
6 |
1.1. Методы создания образцов заданной геометрии |
7 |
1.2. Контакты к образцам и требования к ним |
9 |
1.3. Методы изготовления контактов |
12 |
1.4. Проверка омических свойств контактов |
16 |
2. Измерение удельной электрической проводимости полупроводников |
19 |
2.1. Особенности измерения удельной электрической проводимости полупроводников |
19 |
2.2. Четырехзондовый метод измерения удельного сопротивления |
21 |
2.2.1. Электрическая схема и методика измерения удельного сопротивления четырехзондовым методом |
26 |
2.2.2. Поправочные коэффициенты четырехзондового метода измерения удельного сопротивления |
31 |
2.2.3. Применение четырхзондового метода при измерении удельного сопротивления тонких слоев и тонких пластин |
35 |
2.3. Двухзондовый метод измерения удельного сопротивления |
43 |
2.4. Однозондовый метод измерения удельного сопротивления |
47 |
2.5. Измерение удельного сопротивления пластин произвольной формы (метод Ван дер Пау) |
50 |
2.6. Измерение удельного сопротивления эпитаксиальных пленок |
53 |
2.7. Метод контроля удельного сопротивления измерением сопротивления растекания в точечном контакте |
54 |
2.8. Бесконтактные методы измерения удельного сопротивления |
59 |
2.8.1. Бесконтактные емкостные методы измерения удельного сопротивления |
60 |
2.8.2. Бесконтактные индуктивные методы измерения удельного сопротивления |
63 |
3. Гальваномагнитные методы измерения параметров полупроводников |
65 |
3.1. Эффект Холла. Возможности исследования параметров полупроводников с помощью эффекта Холла |
65 |
3.2. Побочные поперечные эффекты, сопутствующие эффекту Холла |
69 |
3.3. Методы измерения эффекта Холла |
72 |
3.3.1. Метод постоянного тока и постоянного магнитного поля |
73 |
3.3.2. Одночастотные методы |
76 |
3.3.3. Двухчастотные методы |
79 |
3.4. Образцы для измерения эффекта Холла |
81 |
3.5. Измерение эффекта Холла методом Ван дер Пау |
84 |
4. Оптические методы измерения параметров полупроводников |
86 |
4.1. Типы оптического поглощения |
86 |
4.2. Аппаратура для исследования оптических свойств полупроводников |
93 |
4.2.1. Характеристики оптических приборов |
93 |
4.2.2. Источники излучения |
100 |
4.2.3. Приемники излучения |
101 |
4.2.4. Особенности основных типов спектральных приборов |
104 |
4.3. Общие сведения о молекулярных спектрах |
111 |
4.4. Оптический метод определения концентрации примеси из спектров поглощения |
121 |
4.5. Образцы для измерений и определение их коэффициента поглощения |
129 |
5. Методы исследования электрофизических параметров эпитаксиальных пленок |
133 |
5.1. Метод окрашивания шлифов |
134 |
5.2. Интерференционный метод измерения толщины пленок |
137 |
5.3. Эллипсометрия. Эллипсометрический метод измерения толщины пленок |
145 |
5.4. Определение толщины пленки по дефектам упаковки |
158 |
6. Измерение параметров неравновесных носителей заряда |
161 |
6.1. Параметры неравновесных носителей заряда |
161 |
6.2. Методы измерения дрейфовой подвижности |
164 |
6.3. Методы измерения времени жизни |
168 |
6.3.1. Измерение времени жизни по фотоэлектромагнитному эффекту |
169 |
6.3.2. Измерения времени жизни методом модуляции проводимости в точечном контакте |
173 |
7. Методы контроля структуры материалов твердотельной электроники |
185 |
7.1. Методы электронной микроскопии |
185 |
7.1.1. Растровая электронная микроскопия |
185 |
7.1.2. Просвечивающая электронная микроскопия |
192 |
7.2. Методы рентгеновской спектроскопии |
196 |
7.2.1. Методы рентгеновской топографии |
197 |
7.2.2. Рентгеновский микроанализ |
202 |
7.3. Методы электронной и ионной спектроскопии |
204 |
7.3.1. Электронная спектроскопия для химического анализа (ЭСХА) |
204 |
7.3.2. Электронная оже-спектроскопия |
209 |
7.3.3. Вторичная ионная масс-спектроскопия (ВИМС) |
213 |
Заключение |
219 |
Библиографический список |
221 |
Учебное издание
Свистова Тамара Витальевна
МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
МАТЕРИАЛОВ И СТРУКТУР
ЭЛЕКТРОНИКИ
В авторской редакции
Подписано к изданию 23.10.2013
Объем данных 10,8 Мб.
ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет»