Заключение

В связи с усложнением технологии производства изделий микроэлектроники и твердотельной электроники возрастает значение описанных в учебном пособии методов контроля физических параметров материалов твердотельной электроники и приборных структур на их основе. Широкое комплексное применение физических методов контроля сдерживается трудоемкостью измерений и обработки результатов некоторых из них. Поэтому дальнейшее развитие методов измерений невозможно без создания сложных автоматизированных измерительных систем и комплексов с применением современных электронно-вычислительных средств, сопряженных с измерительными приборами или встроенных в них.

Другое направление развития методов контроля – это разработка и изготовление комплексного измерительного и аналитического оборудования, сочетающего в одной установке несколько методик. Решение этой задачи определяется техническим уровнем научного приборостроения, которое в настоящее время (особенно за рубежом) достигло больших успехов. Однако для широкого внедрения в производство аналитических методов необходим массовый выпуск измерительного и аналитического оборудования, предназначенного для электронной промышленности, а эта задача пока решается неудовлетворительно.

Еще одной проблемой является разработка принципиально новых методов измерений, основанных на новых физических явлениях, например акустооптических, магнитооптических и других. Перспективными также являются модуляционные методики, позволяющие повысить чувствительность и контролировать параметры, недоступные для измерений другими методами.

Можно ожидать, что усовершенствование новых методов диагностики и контроля параметров полупроводников и других материалов твердотельной электроники будет происходить в направлении дальнейшей автоматизации, повышения производительности, точности и объективности результатов анализа.

Существенное влияние на качество годных изделий, особенно сверхбольших интегральных схем, может оказать включение в технологический процесс изготовления микроэлектронных приборов неразрушающих методов контроля. Возможность межоперационного и в некоторых случаях стопроцентного контроля приборных структур является залогом успешного решения задачи улучшения качества и увеличения процента выхода годных изделий электронной техники. Оптимальным является объединение разработок технологии изготовления приборов с учетом межоперационного контроля и анализа видов брака и отказов интегральных схем в процессе производства.

Авторы видели свою задачу в том, чтобы дать широкий обзор методов контроля материалов и структур твердотельной электроники, используемых в производстве, и вооружить специалистов полезным методическим руководством по выбору и практической реализации различных методов измерений.

Систематизированное рассмотрение методов исследования основных электрофизических свойств полупроводников, различных способов измерения удельного сопротивления, концентрации и подвижности основных носителей заряда, методов исследования параметров неравновесных носителей заряда в полупроводниках, методов исследования полупроводниковых эпитаксиальных пленок облегчит понимание и восприятие материала лекций по дисциплине «Методы исследования материалов и структур электроники», читаемых студентам студентам третьего курса, обучающимся на кафедре полупроводниковой электроники и наноэлектроники ВГТУ.