- •Введение
- •1. Подготовка образцов к измерению
- •1.1. Методы создания образцов заданной геометрии
- •1.2. Контакты к образцам и требования к ним
- •1.3. Методы изготовления контактов
- •1.4. Проверка омических свойств контактов
- •2.2. Четырехзондовый метод измерения удельного сопротивления
- •2.2.1. Электрическая схема и методика измерения удельного сопротивления четырехзондовым методом
- •2.2.2. Поправочные коэффициенты четырехзондового метода измерения удельного сопротивления
- •2.2.3. Применение четырхзондового метода при измерении удельного сопротивления тонких слоев и тонких пластин
- •2.3. Двухзондовый метод измерения удельного сопротивления
- •2.4. Однозондовый метод измерения удельного сопротивления
- •2.5. Измерение удельного сопротивления пластин произвольной формы (метод Ван дер Пау)
- •2.6. Измерение удельного сопротивления эпитаксиальных пленок
- •2.7. Метод контроля удельного сопротивления измерением сопротивления растекания в точечном контакте
- •2.8. Бесконтактные методы измерения удельного сопротивления
- •2.8.1. Бесконтактные емкостные методы измерения удельного сопротивления
- •2.8.2. Бесконтактные индуктивные методы измерения удельного сопротивления
- •3. Гальваномагнитные методы измерения параметров полупроводников
- •3.1. Эффект Холла. Возможности исследования параметров полупроводников с помощью эффекта Холла
- •3.2. Побочные поперечные эффекты, сопутствующие эффекту Холла
- •3.3. Методы измерения эффекта Холла
- •3.3.1. Метод постоянного тока и постоянного магнитного поля
- •3.3.2. Одночастотные методы
- •3.3.3. Двухчастотные методы
- •6 ‑ Образец; 7 – амперметр
- •3.4. Образцы для измерения эффекта Холла
- •3.5. Измерение эффекта Холла методом Ван дер Пау
- •4. Оптические методы измерения параметров полупроводников
- •4.1. Типы оптического поглощения
- •4.2. Аппаратура для исследования оптических свойств полупроводников
- •4.2.1. Характеристики оптических приборов
- •4.2.2. Источники излучения
- •4.2.3. Приемники излучения
- •4.2.4. Особенности основных типов спектральных приборов
- •4.3. Общие сведения о молекулярных спектрах
- •4.4. Оптический метод определения концентрации примеси из спектров поглощения
- •4.5. Образцы для измерений и определение их коэффициента поглощения
- •5. Методы исследования электрофизических параметров эпитаксиальных пленок
- •5.1. Метод окрашивания шлифов
- •5.2. Интерференционный метод измерения толщины пленок
- •На сильнолегированной подложке
- •5.3. Эллипсометрия. Эллипсометрический метод измерения толщины пленок
- •Света от чистой поверхности полупроводника (а) и от полупроводника с эпитаксиальным слоем (б)
- •5.4. Определение толщины пленки по дефектам упаковки
- •6. Измерение параметров неравновесных носителей заряда
- •6.1. Параметры неравновесных носителей заряда
- •6.2. Методы измерения дрейфовой подвижности
- •6.3. Методы измерения времени жизни
- •6.3.1. Измерение времени жизни по фотоэлектромагнитному эффекту
- •6.3.2. Измерения времени жизни методом модуляции проводимости в точечном контакте
- •5 ‑ Осциллограф
- •7. Методы контроля структуры материалов твердотельной электроники
- •7.1. Методы электронной микроскопии
- •7.1.1. Растровая электронная микроскопия
- •В кремний от их энергии
- •7.1.2. Просвечивающая электронная микроскопия
- •7.2. Методы рентгеновской спектроскопии
- •7.2.1. Методы рентгеновской топографии
- •7.2.2. Рентгеновский микроанализ
- •7.3. Методы электронной и ионной спектроскопии
- •7.3.1. Электронная спектроскопия для химического анализа (эсха)
- •Электрона в веществе от его энергии
- •7.3.2. Электронная оже-спектроскопия
- •7.3.3. Вторичная ионная масс-спектроскопия (вимс)
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
3.3.2. Одночастотные методы
Для устранения вклада термо- и гальваномагнитных эффектов в эдс Холла применяются методы переменных полей. Например, в методе переменного тока и постоянного магнитного поля (Ix~, Bz=, Uy~) через образец пропускается переменный ток Ix(x) = Ixcosxt, а магнитное поле остается постоянным. Тогда эдс Холла будет переменной:
(3.10)
Другие поперечные эдс, суммируемые с эдс Холла (3.9), могут быть исключены при достаточно высокой частоте тока, когда x >> 0 = 1/0, где 0 - время установления термического равновесия образца с окружающей средой (обычно 0 порядка секунд). Остальные вклады в эдс Холла устраняются усреднением Ux по двум направлениям магнитного поля и тем, что селективный усилитель не пропускает постоянных составляющих сигнала.
П усть переменное напряжение на холловских зондах в отсутствие магнитного поля равно U1. Это переменное напряжение U1 можно представить в виде двух составляющих, сдвинутых по фазе на 90: активная составляющая U1а совпадает по фазе с эдс Холла; реактивная составляющая U1р сдвинута на 90(рис. 3.4).
Рис. 3.4. Диаграмма напряжений на холловских зондах
При включении постоянного магнитного поля активная составляющая увеличивается на эдс Холла и становится равной U2а = U1а + UH, а реактивная составляющая не изменяется. При изменении направления магнитного поля на обратное активная составляющая уменьшается на эдс Холла U3а = U1а - UH. На основании диаграммы напряжений на холловских электродах составим систему уравнений:
(3.11)
Решение этой системы будет иметь вид:
(3.12)
Таким образом, для определения холловской эдс необходимо измерить три напряжения на холловских зондах, отличающихся значением магнитной индукции В: 1) U1 при В = 0; 2) U2 при В = const; 3) U3 при В = ‑ const.
Схема измерения эффекта Холла при переменном токе в постоянном магнитном поле приведена на рис. 3.5.
Рис. 3.5. Схема измерения эффекта Холла при переменном токе в постоянном магнитном поле
Напряжение низкой частоты от генератора переменного тока Г через трансформатор Тр с заземленной средней точкой вторичной обмотки подается на образец. Эдс, возникающие на холловских зондах, с помощью кабеля с двойным экраном усиливаются двумя идентичными усилителями У с высоким входным сопротивлением и малой емкостью. Затем оба сигнала поступают на вход дифференциального усилителя ДУ и далее на фазочувствительный резонансный усилитель ФРУ. С помощью усилителя ФРУ производится сравнение амплитуд и фаз холловского сигнала и напряжения, поданного на токовые контакты образца.
В результате использования переменного тока с помощью селективного усилителя можно измерить UH даже в материалах с малой подвижностью носителей заряда таких, как пленки металлооксидных и сульфидных полупроводников (SnO2, ZnO, ZnS, ZnSe и др.).
Подобными же преимуществами по сравнению с методом постоянных полей обладает метод переменного магнитного поля и постоянного тока (Ix~, Bz=, Uy~). В этом случае производится усреднение результатов по двум направлениям тока. Неотделимым остается лишь напряжение UП-Н-Э, заметное при малой скорости реверсирования Bz в низкоомных полупроводниках. Этот одночастотный метод также применяется для измерения параметров полупроводников с очень малыми подвижностями (до 10-6 м2/Вс).