- •Московский государственный институт электроники и математики
- •Расчет топологии n-p-n транзистора
- •1.2. Диоды
- •1.3. Резисторы Тонкопленочные резисторы
- •Диффузионные резисторы
- •1.4. Мдп транзисторы
- •Разновидности мдп – транзисторов
- •Зависимость порогового напряжения от электрофизических характеристик
- •Динамические параметры
- •1.5. Приборы и ис на арсениде галлия
- •2. Логические схемы
- •2.1. Общие сведения
- •Классификация логических схем
- •Основные параметры и характеристики логических элементов
- •I – зона логического нуля по выходу,
- •II – зона логической единицы по выходу,
- •III – зона неопределенности.
- •I – зона логического нуля по выходу,
- •II – зона логической единицы по выходу,
- •III – зона неопределенности.
- •2.2. Транзисторно – транзисторные логические схемы (ттл).
- •2.3. Элементы эмиттерно – связанной логики (эсл).
- •2.4. Кмоп
- •Инвертор
- •2.4. Логические схемы на арсениде галлия.
- •3. Расчет схем в программе pSpice
- •3.1. Краткие сведения
- •Создание входного файла для программы pspice
- •Описание элементов схемы
- •Описания источников напряжения
- •Описание источников тока
- •Описание диода
- •Описание биполярного транзистора
- •Описание мдп транзистора
- •Арсенид-галлиевый полевой транзистор с каналом n-типа
- •Директивы управления заданием
- •3.2. Примеры расчетов Простейшие схемы
- •Расчет ттл схемы со сложным инвертором
- •3.3. Графический процессор probe
- •Литература
Расчет топологии n-p-n транзистора
Рис. 4. Параметры топологии и структуры транзистора
Все транзисторы проектируются исходя из минимального размера min, за исключением многоэмиттерных, для которых следует добиваться минимума коэффициента передачи тока базы в инверсном режиме - BR (необходимо получить значение BR < 0.1) этот параметр рассчитывается по формуле [6]:
где: M – число эмиттеров, SЭ=LЭdЭ, - площадь эмиттера, SБ=LБZБ, - общая площадь базы,
.
Остальные параметры рассчитываются по следующим формулам:
Ток насыщения:
Коэффициент усиления тока базы в нормальном режиме:
,
где η=2...4 – коэффициент, учитывающий градиент примеси в базе.
Сопротивление базы:
Сопротивление коллектора:
RC=RC1+RC2
|
|
Время пролета базы:
Емкости рассчитываются по формуле:
; N=min(NД(xj),NА(xj));
- для коллекторного p-n – перехода,
- для эмиттерного p-n – перехода,
Cp-n – ёмкость p-n перехода при нулевом смещении, S - общая площадь p-n – перехода, первое слагаемое – плоское дно, второе слагаемое – цилиндрические боковые части, третье слагаемое – сферические угловые части, значения концентраций NД,NА берутся вблизи p-n перехода, VB - потенциальный барьер p-n – перехода при нулевом смещении.
1.2. Диоды
В качестве диодов в ПИМС используют транзисторные n-p-n структуры в диодном включении. В быстродействующих схемах в качестве диода используют эмиттерный p-n – переход, при этом коллекторный переход закорочен. При необходимости применения диода с более высоким рабочим напряжением (до 60 В) используют коллекторный p-n – переход. Эмиттерную область в такой структуре обычно не формируют, что позволяет существенно уменьшить размеры диода.
На характеристики диода в конкретной схеме существенное влияние могут оказывать паразитные элементы: p-n-p транзистор, емкость диода СД и емкость изоляции СИ. В следующей таблице приведены типовые параметры наиболее часто применяемых диодов при К = 0.5 Омсм, БП = 200 Ом/□, Э = 2.2 Ом/□ (поверхностное сопротивление эмиттерной области), SЭ = 300 мкм2, SБ = 2000 мкм2.
Параметр |
Эмиттерный переход |
Коллекторный переход |
Напряжение пробоя UДMAX, В |
7 |
55 |
Обратный ток IДU, нА |
1.7 |
6.7 |
Время выключения tВЫКЛ, нс |
9 |
55 |
Емкость диода CД, пФ (при Uобр = 5 В) |
0.17 |
0.23 |
Емкость изоляции CИ, пФ (при Uобр = 5 В) |
0.97 |
0.97 |
При расчете диода используются те же исходные данные, что для биполярного транзистора. Топология синтезируется с учетом заданного максимального тока диода IДMAX, или исходя из заданного минимального размера. Затем рассчитывают основные параметры: барьерную емкость CД(UД), максимальное обратное напряжение UДMAX, обратный тепловой ток IД0, прямое падение напряжения UД(IД). Порядок расчета диода следующий:
Выбор варианта реализации диода
Расчет параметров: La, LД, BN
Синтез топологии – определение размеров: M, ZЭ, RБ, ZБ
Расчет параметров: CД(UД), UДmax, IД0, UД(IД)
Примечание. Поскольку в ПИМС в качестве диодов используются транзисторы в диодном включении (см. выше), то для этого можно использовать один из спроектированных ранее транзисторов, при расчете схемы с помощью SPICE кодируется такое включение транзистора.