Описание диода

Диод D1, включенный между узлами 1 и 2 и имеющий модель D226, будет описан (обратите внимание на порядок подключения узлов!):

Рис. 54. Подключение диода

D1 2 1 D226

Модель диода описывается в виде:

.model D226 D(список параметров )

Основные параметры модели диода следующие:

Is - ток насыщения при температуре 27⁰C [A];

Rs - объемное сопротивление [Ом];

N - показатель неидеальности (безразмерный);

Ikf- точка перегиба при высоком уровне инжекции [A];

TT - время переноса заряда [сек];

CJO- барьерная емкость при нулевом смещении [пФ];

Vj - контактная разность потенциалов [B];

M - коэффициент, учитывающий плавность p-n-перехода (безразмерный);

BV - напряжение пробоя (напряжение стабилизации) [B];

IBV- минимальное значение тока, при котором обеспечивается стабилизация [A];

Параметры отделяются друг от друга несколькими пробелами.

Пример:

.model D226(Is=1.e-10 N=1.2 TT=2.2e-9 Cjo=2pF)

Неуказанные параметры берутся по умолчанию!

Описание биполярного транзистора

Биполярный транзистор, подключенный базой к 1 узлу, эмиттером - к 3, коллектором - к 2, и имеющий модель КТ315, NPN типа описывается следующим образом. Первый символ имени - Q, после имени идут узлы подключения: коллектор, база, эмиттер и название модели транзистора:

Q1 2 1 3 KT315

Модель транзистора описывается следующим образом:

.model KT315 NPN(список параметров)

Основные параметры модели:

Is - ток насыщения при 27" C (A);

Nf - коэффициент неидеальности зависимости Iк=f(Uбэ) в прямом включении (безразмерный);

Nr - коэффициент неидеальности зависимости Iэ=f(Uбк) в инверсном включении (безразмерный);

Bf - максимальный коэффициент усиления тока в нормальном включении в схеме с общим эмиттером (безразмерный);

Br - максимальный коэффициент усиления тока в инверсном включении (безразмерный);

Ikf - ток коллектора, при котором усиление по току в схеме с ОЭ в нормальном режиме работы спадает в 1.4 раза (A);

Ikr - ток эмиттера, при котором усиление по току в инверсном режиме работы спадает в 1.4 раза (A);

Vaf - напряжение Эрли в схеме с общим эмиттером для нормального включения транзистора (характеризует наклон выходных характеристик Ik=f(Uбк) в области больших напряжений) (B);

Var - аналогичная величина для инверсного включения транзистора (B);

Rb - объемное сопротивление базы (Ом);

Re - объемное сопротивление эмиттера (Ом);

Rc - объемное сопротивление коллектора (Ом);

Tf - время переноса носителей через базу транзистора в прямом включении (сек);

Tr - время переноса носителей через базу транзистора в инверсном включении (сек);

Сje - емкость эмиттерного перехода при нулевом смещении (пФ);

Сjс - емкость коллекторного перехода при нулевом смещении (пФ);

Vje - контактная разность потенциалов эмитерного перехода (B);

Vjc - контактная разность потенциалов коллекторного перехода (B);

Mje - коэффициент, учитывающий плавность эмиттерного перехода (безразмерный);

Mjc - коэффициент, учитывающий плавность коллекторного перехода (безразмерный);

Пример параметров:

.model KT315 NPN(Is=1.e-13 Bf=200 Br=5 Vaf=74 Var=30 Rb=230 Rc=15 Re=2

+ Cje=1pF Cjc=3pF Tf=12.e-9 Tr=7.e-8)

Рис. 55. Нумерация узлов транзистора