2.3. Комплексные y-параметры биполярного транзистора
Для
определения этих параметров рассмотрим
линейную эквивалентную схему биполярного
транзистора, которая изображена на
рис.2.4
Эквивалентная схема приведена для
включения транзистора с общим эмиттером,
она содержит: rБ-объемное
(внутреннее) сопротивление базы,
дифференциальное сопротивление открытого
перехода эмиттер-база-rЭБ,
емкость этого перехода-СЭБ,
сопротивление обратносмещенного
перехода коллектор-внутренняя область
базы-rКБ,
емкость этого переходаСКБ,
технологическая проводимость -gЭК.
Усилительные свойства транзистора
имитируются генератором токаSОU1/,
гдеU1/-
напряжение между точками А-Э эквивалентной
схемы. При работе транзистора в активной
области сопротивлениеrЭБ<<rКБ,
а емкостьСЭБ>>CКБ.
Все приведенные элементы схемы зависят
от положения рабочей (стационарной)
точки транзистора. Схема рис.2.4
удовлетворительно описывает свойства
биполярного транзистора в частотном
диапазоне 0<f<0,5fТ,
гдеfT-граничная
частота усиления тока транзистора в
режиме короткого замыкания в схеме с
общим эмиттером, при которой параметрβ=h21=1. Схема
рис.2.4 предложена Джиаколетто и носит
его имя. В справочниках часто приводятся
данные, по которым можно вычислить
значения параметров этой схемы (см.
далее). Более точные эквивалентные схемы
биполярных транзисторов: Эберса-Молла,
Гуммеля-Пуна и др.- содержат значительно
большее число параметров, что затрудняет
их использование при инженерных
расчетах. Однако линейная модель
эквивалентной схемы Гуммеля-Пуна,
которая используется в известной
программе схемотехнического моделированияMICRO-CAP
V,оказывается
близкой к схеме Джиаколетто.
Запишем токи I1иI2в функции
напряженийU1,U2,
используя эквивалентную схему рис.2.4:
где YЭ=gЭБ+jωCЭБ,YK=gКБ+jωCКБ,U11-
напряжение между точкамиАЭэквивалентной схемы рис.2.4. Для биполярных
транзисторов обычно выполняются
неравенства:
,
кроме того,
.
Тогда упрощенные выражения для токовбудут:
Подставляя в два последних выражения
токов выражения для проводимости YЭ,
YКиg22,