- •Мікросмужкові випромінювачі
- •Удк 621.391.67 План нмв 2012 р.
- •Схвалено
- •І Розрахунок мікросмужкових випромінювачів та антен
- •1 Смужкові лінії передавання
- •1.1 Термінологія, означення й розрахункові формули
- •1.2 Вибір основних геометричних параметрів сл
- •2 Елементи мікросмужкових антен
- •2.1 Мікросмужкові випромінювачі
- •2.2 Мсв прямокутного типу
- •2.2.1 Конструкція мсв
- •2.2.2 Еквівалентна схема мсв
- •2.2.3 Вхідний опір мсв
- •Облік втрат у мсв і коефіцієнт корисної дії.
- •2.2.5 Характеристика направленості мсв
- •3 Розрахунок параметрів мікросмужкових випромінювачів
- •4 Вплив допусків і розкиду параметрів матеріалу на характеристики мсв.
- •Іі Расчет микрополосковых излучателей и антенн
- •1 Полосковые линии передачи
- •2 Элементы микрополосковых антенн
- •2.1 Микрополосковые излучатели
- •2.2 Мпи прямоугольного типа
- •2.2.1 Конструкция мпи
- •2.2.2 Эквивалентная схема мпи.
- •2.2.3 Входное сопротивление мпи
- •2.2.4 Учет потерь в мпи и коэффициент полезного действия.
- •2.2.5 Характеристика направленности мпи
- •3 Расчет параметров микрополосковых излучателей.
- •4 Влияние допусков и разброса параметров материала на характеристики мпи.
- •6 Список рекомендованої літератури
4 Вплив допусків і розкиду параметрів матеріалу на характеристики мсв.
Зміна геометричних параметрів випромінювача й відхилення діелектричної проникності матеріалу і товщини підшарка спричиняють розбіжність поміж розрахунковими й дійсними щирими значеннями параметрів МСВ. Це насамперед стосується резонансної частоти.
Оскільки смуга робочих частот МСВ становить зазвичай лише кілька відсотків від середньої частоти, то визначення дійсного значення резонансної частоти є надто важливе при проектуванні МСВ й, відповідно, мікросмужкових антен.
Точність виготовлення пластини МСВ визначається способом виробництва і при використанні сучасних технологічних методів може бути вельми високою ([3] стор. 161...163). Листові діелектричні матеріали промислового виробництва на базі поліетилену й полістиролу мають допуски на відносну діелектричну проникність та на товщину (див. табл. I).
Вплив допусків на резонансну частоту прямокутної МСА, що функціонує в режимі основного типу коливань, може бути оцінено за методикою, викладеної в [3].
Резонансна частота МСВ визначається співвідношеннями
(20)
де , визначається за формулою (3), а означає швидкість світла у вакуумі.
На підставі виразу (20) для резонансної частоти дістано розрахункову формулу для відносної девіації частоти:
. (21)
Звичайно і членом нехтують. Вхідні до (21) частинні похідні визначаються за формулами
;
.
При проектуванні МСВ слід обирати параметри у такий спосіб, щоби робоча смуга частот дещо перевищувала задану. Це дозволить компенсувати девіацію резонансної частоти, зумовлену розкидом параметрів.
Іі Расчет микрополосковых излучателей и антенн
Ведущим направлением развития современной радиоэлектроники является микроминиатюризация радиоэлектронной аппаратуры. При этом качественные показатели этой аппаратуры в значительной мере определяются электродинамическими свойствами и конструктивными особенностями ее антенно-фидерного тракта. Микрополосковые антенны (МПА), изготовляемые по технологии интегральных схем, обеспечивают высокую повторяемость размеров, низкую стоимость, малые металлоемкость, габаритные размеры , массу. Микрополосковые антенны способны излучать электромагнитные волны с линейной, круговой и эллиптической поляризацией, позволяют создавать многоэлементные фазированные антенные решетки, обладают высокими аэродинамическими характеристиками.
1 Полосковые линии передачи
Конструктивная основа и технология изготовления микрополосковых излучателей (МПИ) и ПЛ одинаковы, а эффективность излучения МПА и их согласование определяются выбором линий питания. Поэтому знание принципов работы ПЛ необходимо при изучении курса антенн. Теория полосковых линий (ПЛ) и основ их проектирования является важным разделом прикладной электродинамики.
При конструировании МПА чаще других применяют ПЛ, изображенные на рис. I.
Рисунок 1 Конструкции полосковых линий:
1 –экран, 2 – диэлектрик, 3 – полоска
Симметричные ПЛ (СПЛ) (рис. 1,а) представляют собой трехпроводную линию, в которой пространство между проводниками заполнено диэлектриком. Они обладают хорошей экранировкой, однако сложны в изготовлении и настройке, требуют строгой симметрии, а их центральный проводник недоступен для регулировки.
Несимметричная ПЛ (НПЛ) – это двухпроводная линия (рис. 1,6). Она проста в изготовлении и практическом применении. Недостатками НПЛ являются отсутствие экранировки и, как следствие, повышенные потери и восприимчивость к внешним полям
Щелевая полосковая линия (ЩПЛ) представляет собой двухпроводную линию, в которой электромагнитная волна распространяется вдоль щели между проводящими поверхностями, нанесенными на одну сторону диэлектрика.
1.1 Терминология, определения и расчетные формулы
Регулярной называется линия передачи, имеющая неизменные форму, размеры поперечного сечения и электрические параметры.
В полосковых линиях могут существовать волны типов Т, Е, Н, НЕ (гибридные волны). В СПЛ и НПЛ основной является так называемая квази-Т волна. Основным типом волны в ЩПЛ является Е-волна.
Структура поля некоторых из перечисленных волн показана на рис. 2.
Рисунок 2 - Структура электрического поля волн в полосковых линиях
Волновое сопротивление W [Ом] регулярной линии без потерь, работающей в режиме бегущей волны в произвольном сечении, определяется отношением напряжения и тока. При заданных параметрах волновое сопротивление НПЛ определяется формулами
(1)
при и
(2)
при ,
где относительная диэлектрическая проницаемость материала подложки. Для нахождения НПЛ можно также воспользоваться графиком, приведенным на рис. 3.
Рис. 3 - График для определения волнового сопротивления в НПЛ.
Эффективная диэлектрическая проницаемость численно равна отношению квадрата скорости света в вакууме к квадрату фазовой скорости в линии . Для НПЛ эта величина может быть определена по формулам
(3)
при и
(4)
при .
а также по графикам рис. 2.44 и 2.45 [2] .
Фазовая скорость - скорость перемещения фронта волны вдоль продольной оси регулярной линии.
Длина волны [м] - равна расстоянию, которое проходит фронт волны за время одного периода колебаний. Для Т - волн она определяется соотношениями: в НПЛ , где - длина волны в безграничном вакууме.
Постоянная распространения [1/м] - численно равна фазовому сдвигу, приобретаемому волной, при прохождении расстояния единичной длины
, .
Коэффициент затухания - величина, обратно пропорциональная расстоянию, которое должна, пройти волна вдоль регулярной линии , чтобы ее амплитуда уменьшилась в раз. Коэффициент затухания рассчитывается в предположении, что структура полей в линии при наличии потерь и без них одинакова.
Коэффициент затухания волны основного типа в НПЛ рассчитывается по формуле
где определяется потерями в проводнике, определяется потерями в диэлектрике, определяется наличием излучения из ПЛ. Эти величины, в свою очередь, рассчитываются по формулам
[1/м], где [Ом]; (5)
[1/м]; (6) [1/м]. (7)
Рабочая полоса частот. Со стороны низких частот применение ПЛ ограничено размерами полосковых резонансных элементов, а со стороны высоких частот – требованиями допусков на изготовление и ростом потерь.
Считается также, что на частотах свыше 30 ГГц габаритно-весовые преимущества ПЛ по сравнению с волноводами отсутствуют. Рабочую частоту ПЛ следует выбирать ниже частоты среза (критической частоты) поперечной поверхностной волны самого низкого порядка. Частота среза определяется по формуле [1]
, ГГц
На частотах ниже 100 МГц применять ПЛ не рекомендуется
1.2 Выбор основных геометрических параметров ПЛ.
Ширина экрана (основания) несимметричной ПЛ выбирается исходя из условия . Ширину проводящей полоски следует уменьшать (для уменьшения габаритов ПЛ и подавления волн высших типов). Однако следует учитывать, что уменьшение приводит к росту потерь.
Толщину подложки следует выбирать малой для обеспечения малых потерь на излучение. Однако следует принимать во внимание, что для сохранения постоянного волнового сопротивления уменьшение должно сопровождаться уменьшением ширины полоски , что ведет к росту потерь в проводнике. Таким образом толщину подложки следует выбирать в результате компромиссного решения.
Толщина полоски должна быть, по крайней мере, в три раза больше глубины скин-слоя, при этом обеспечивается малый уровень потерь.