- •Мікросмужкові випромінювачі
- •Удк 621.391.67 План нмв 2012 р.
- •Схвалено
- •І Розрахунок мікросмужкових випромінювачів та антен
- •1 Смужкові лінії передавання
- •1.1 Термінологія, означення й розрахункові формули
- •1.2 Вибір основних геометричних параметрів сл
- •2 Елементи мікросмужкових антен
- •2.1 Мікросмужкові випромінювачі
- •2.2 Мсв прямокутного типу
- •2.2.1 Конструкція мсв
- •2.2.2 Еквівалентна схема мсв
- •2.2.3 Вхідний опір мсв
- •Облік втрат у мсв і коефіцієнт корисної дії.
- •2.2.5 Характеристика направленості мсв
- •3 Розрахунок параметрів мікросмужкових випромінювачів
- •4 Вплив допусків і розкиду параметрів матеріалу на характеристики мсв.
- •Іі Расчет микрополосковых излучателей и антенн
- •1 Полосковые линии передачи
- •2 Элементы микрополосковых антенн
- •2.1 Микрополосковые излучатели
- •2.2 Мпи прямоугольного типа
- •2.2.1 Конструкция мпи
- •2.2.2 Эквивалентная схема мпи.
- •2.2.3 Входное сопротивление мпи
- •2.2.4 Учет потерь в мпи и коэффициент полезного действия.
- •2.2.5 Характеристика направленности мпи
- •3 Расчет параметров микрополосковых излучателей.
- •4 Влияние допусков и разброса параметров материала на характеристики мпи.
- •6 Список рекомендованої літератури
2.2.5 Характеристика направленности мпи
С достаточной для инженерных расчетов точностью характеристику направленности прямоугольного МПИ по основной поляризации можно рассматривать как характеристику направленности системы, состоящей из двух синфазных торцевых щелей с равномерным распределением амплитуды поля вдоль каждой щели. Точно так же характеристика направленности по кроссполяризации определяется как характеристика направленности двух противофазных боковых щелей с нечетным распределением поля.
Формулы для расчета характеристики направленности по основной и кроссполяризации имеют следующий вид:
, в плоскости Е ( );
, в плоскости Н ( ).
Для основной поляризации, когда торцевые щели расположены параллельно оси , либо оси , имеем соответственно:
а) , ;
б) , ,
где , .
Для перекрестной поляризации, когда поле излучается боковыми щелями, ориентированными параллельно осям, имеем, соответственно:
а) , ;
б) , ,
где , .
В главных плоскостях характеристика направленности по кроссполяризации равна нулю, так как в этих плоскостях либо не излучают сами боковые щели из-за нечетного распределения поля в них, либо происходит компенсация излучения из-за противофазности возбуждения этих щелей.
3 Расчет параметров микрополосковых излучателей.
Методика расчета предполагает выполнение следующей последовательности действий и вычислений.
1 Выбирается (либо задается) исходное значение относительной диэлектрической проницаемости материала подложки
2 Выбирается схема питания МПИ (ПЛ).
3 Из таблицы 1 выбирается материал для изготовления излучающих элементов (а возможно, и схемы питания) антенны.
Основные требования при этом:
нужное значение диэлектрической проницаемости;
малые потери;
высокая механическая прочность, теплостойкость, однородность материала, устойчивость параметров во времени, малая гигроскопичность.
Должна обеспечиваться возможность изготовления листов фольгированного материала требуемого размера.
4 Задаются значением волнового сопротивления питающей линии (обычно 50 или 75 Ом).
5 Выбираются ориентировочные размеры МПИ:
, ,
где – средняя длина волны рабочего диапазона в воздухе.
6 Выбирается ориентировочное значение толщины подложки . Для этого можно воспользоваться графиком рис. 12. Оптимальная, с точки зрения потерь, толщина соответствует точке перегиба кривой.
7 Рассчитывается эффективная диэлектрическая проницаемость и волновое сопротивление эквивалентной НПЛ шириной (формулы (1) и (2) или график рис. 3).
8 С помощью формул (8) и (9) находится значение входного сопротивления МПИ при питании с краю на резонансной частоте ( ).
9 Исходя из требования согласования МПИ с линией питания, при , определяется ориентировочное положение точки питания . При этом используется приближенное соотношение, связывающее со входным сопротивлением при питании в точке на расстоянии от центра пластины МПИ
откуда следует: .
10 Рассчитывается зависимость входного сопротивления МПИ от частоты (формулы (8), (9) и (10)) при выбранных значениях .
11 Определяется рабочая полоса частот. Для этого рассчитывается зависимость
,
где – коэффициент отражения на входе МПИ.
Рабочая полоса частот определяется неравенством , где – максимально допустимый коэффициент отражения на входе МПИ.
Если полоса частот меньше требуемой, производится коррекция значений толщины и диэлектрической проницаемости подложки, а затем вновь выполняются пункты 7...11, а также корректируются размеры МПИ. При этом помощь могут оказать графики, изображенные на рис. 11.
12 По результатам выполнения п. 10 находится значение резонансной частоты МПИ (т.е. частоты, на которой реактивная часть входного сопротивления обращается в нуль). Если резонансная частота не совпадает со средней частотой рабочего диапазона, производится коррекция размеров МПИ, и расчеты повторяются.
13 Рассчитывается КПД микрополоскового излучателя. Для этого, воспользовавшись графиками рис. 12, определяют соответствующие проводимости. В случае, когда - диэлектрическая проницаемость выбранного материала лежит в промежутке значений , где , а , следует определять проводимости , соответствующие данному значению , путем линейной интерполяции значений, взятых из графиков на рис. 10:
.
Здесь и – проводимости, определяемые из рис. 10.
Если тангенс угла диэлектрических потерь подложки не равен значению, соответствующему рис. 10 ( ), то найденную выше величину следует скорректировать, умножая ее на поправочный коэффициент . После этого по формуле (15) можно рассчитать КПД.
14 Рассчитываются потери МПИ в децибелах (формула (17)).
15 Рассчитываются характеристики направленности МПИ по основной и перекрестной поляризации.