- •Мікросмужкові випромінювачі
- •Удк 621.391.67 План нмв 2012 р.
- •Схвалено
- •І Розрахунок мікросмужкових випромінювачів та антен
- •1 Смужкові лінії передавання
- •1.1 Термінологія, означення й розрахункові формули
- •1.2 Вибір основних геометричних параметрів сл
- •2 Елементи мікросмужкових антен
- •2.1 Мікросмужкові випромінювачі
- •2.2 Мсв прямокутного типу
- •2.2.1 Конструкція мсв
- •2.2.2 Еквівалентна схема мсв
- •2.2.3 Вхідний опір мсв
- •Облік втрат у мсв і коефіцієнт корисної дії.
- •2.2.5 Характеристика направленості мсв
- •3 Розрахунок параметрів мікросмужкових випромінювачів
- •4 Вплив допусків і розкиду параметрів матеріалу на характеристики мсв.
- •Іі Расчет микрополосковых излучателей и антенн
- •1 Полосковые линии передачи
- •2 Элементы микрополосковых антенн
- •2.1 Микрополосковые излучатели
- •2.2 Мпи прямоугольного типа
- •2.2.1 Конструкция мпи
- •2.2.2 Эквивалентная схема мпи.
- •2.2.3 Входное сопротивление мпи
- •2.2.4 Учет потерь в мпи и коэффициент полезного действия.
- •2.2.5 Характеристика направленности мпи
- •3 Расчет параметров микрополосковых излучателей.
- •4 Влияние допусков и разброса параметров материала на характеристики мпи.
- •6 Список рекомендованої літератури
2.2.3 Входное сопротивление мпи
Входное сопротивление излучателя определяется соотношением
, (8)
где
(9)
– входное сопротивление отрезка эквивалентной двухпроводной линии длиной нагруженной на сопротивление торцевой щели ;
(10)
– входное сопротивление отрезка эквивалентной двухпроводной линии, длиной , нагруженной на , а – индуктивное сопротивление штыря.
В приведенных формулах − волновое сопротивление ПЛ (без учета потерь), – постоянная распространения квази-Т волны – смещение точки питания вдоль оси относительно средней точки.
Из-за наличия емкостной реактивной составляющей сопротивления щелей резонансный размер МПИ выбирают несколько меньше значения, определяемого формулой (*).
Проводимость излучения каждой из торцевых щелей может быть представлена в виде суммы
, (11)
где величины и определяются, например, соотношениями
; . (12)
где волновое число диэлектрика подложки.
Входное сопротивление МПИ в резонансном режиме при питании штырем существенно зависит от расположения штыря (положения точки питания). Смещение точки питания относительно середины излучателя позволяет получить нужное значение входного сопротивления МПИ на резонансной частоте и осуществить согласование.
При питании МПИ полосковой линией со стороны одной из торцевых щелей (рис. 9) входное сопротивление также определяется выражениями (8), (9) и (10).
Рисунок 9 – Возбуждение МПИ полосковой линией.
Так же, как и в предыдущем случае, нужное значение входного сопротивления получают путем смещения точки питания, как показано на рис. 11.
2.2.4 Учет потерь в мпи и коэффициент полезного действия.
При проектировании МПА важным моментом является учет всех видов потерь. Мощность , подводимую к излучателю можно представить в виде суммы мощностей
,
где и – мощности, излучаемые через торцевые щели, затрачиваемые, соответственно, на возбуждение пространственных и поверхностных (распространяющихся в подложке) волн, и – мощности, излучаемые через боковые щели и имеющие тот же смысл, – мощность тепловых потерь в диэлектрике подложки, мощность потерь в металле. Этим величинам соответствуют проводимости
, (14)
отнесенные к току в точке питания. Расчет величин, входящих в (14), достаточно сложен (см. например, [3] , с. 98). С точностью, пригодной для инженерных расчетов, можно для определения слагаемых в (14) воспользоваться графиками, приведенными на рис. 10.
Рис.10 – Зависимость проводимостей МПИ от толщины подложки
Эффективность МПИ может быть определена по нескольким критериям.
Во-первых, по излученной мощности пространственных волн основной поляризации (излучение щелей 1 и 3). Коэффициент полезного действия (КПД) по этому параметру определяется соотношением
. (15)
Во-вторых, по всей излученной (как пространственными, так и поверхностными волнами) мощности
. (16)
Соответствующие потери в децибелах можно выразить через КПД с помощью формул
; . (17)
Очевидно, что величины и, соответственно, наиболее полно характеризуют эффективность МПИ, так как. при их расчете «полезной» считается только , а все остальные величины относят к «потерям».
На рис. 11 приведены графики, иллюстрирующие зависимости КПД и рабочей полосы частот МПИ от толщины диэлектрической подложки (параметры графиков соответствуют рис. 10).
На рис. 12 приведены графики зависимости потерь от толщины подложки и . С помощью этих графиков можно ориентировочно выбрать оптимальную (с точки зрения эффективности МПИ) толщину подложки, а с помощью графиков рис. 11 − оценить значения КПД и рабочей полосы.
Рисунок 11 – Влияние толщины подложки на КПД прямоугольного МПИ
На резонансной частоте мощности потерь в металле и мощность потерь в диэлектрике подложки можно рассчитать с помощью следующих приближенных формул:
, ,
где – относительная диэлектрическая проницаемость материала подложки, – тангенс угла диэлектрических потерь материала подложки, – тангенс угла потерь металла.
Рисунок 12 – Зависимости потерь в МПИ от толщины подложки
При этом распределение тока при резонансе аппроксимировалось функцией
.