- •Міністерство освіти і науки україни
- •Предисловие
- •1 Основы обеспечения единства измерений
- •1.1 Сущность понятия “измерение”
- •1.2 Единицы физических величин и их системы
- •1.3.1 Эталон единицы длины
- •1.3.2 Эталон единицы массы
- •1.3.3 Эталон единиц времени и частоты
- •1.3.4 Эталон единицы силы электрического тока
- •1.3.5 Эталон единицы температуры
- •1.3.6 Эталон единицы силы света
- •1.3.7 Единица количества вещества
- •1.4 Квантовая метрология
- •1.4.1 Эталон вольта на эффекте Джозефсона
- •1.4.2 Эталон ома на основе квантового эффекта Холла
- •1.5 Передача размеров единицы фв от эталонов рабочим сит
- •1.5.1 Основные принципы
- •1.5.2 Поверочные схемы
- •Первичный эталон
- •1.6 Контрольные вопросы
- •2 Теория погрешностей
- •2.1 Основные положения и определения
- •Погрешности
- •Абсолютные Приведенные Относительные
- •2.2 Вероятностное представление результатов и погрешностей измерений
- •2.3 Случайные погрешности
- •2.3.1 Определение точечных оценок числовых характеристик эмпирических законов распределения случайной погрешности
- •2.3.2 Определение закона распределения случайной погрешности
- •2.3.3 Минимизация случайной погрешности
- •2.4 Грубые погрешности и промахи
- •2.4.1 Критерий Райта
- •2.4.2 Критерий Смирнова
- •2.5 Систематические погрешности
- •2.5.1 Классификация систематических погрешностей
- •2.5.2 Обнаружение систематических погрешностей
- •2.5.3 Компенсация систематических погрешностей
- •2.6 Суммирование погрешностей
- •2.7 Контрольные вопросы, задачи, упражнения
- •3 Обработка результатов измерений
- •По режиму использования си
- •Однократные Многократные
- •Прецизионные Контрольно-поверочные Технические
- •Прямые Косвенные Совместные Совокупные
- •3.1 Прямые измерения
- •3.1.1 Обработка результатов прямых измерений с однократными
- •3.1.2 Обработка прямых измерений с многократными наблюдениями
- •3.1.3 Обработка нескольких групп прямых измерений с многократными наблюдениями
- •3.2 Косвенные измерения
- •3.2.1 Частные случаи вычисления погрешностей при косвенных
- •3.2.2 Критерий ничтожных погрешностей
- •3.3 Совместные измерения
- •3.3.1 Определение параметров линейной зависимости
- •3.3.2 Определение параметров неполиномиальных зависимостей с помощью мнк
- •3.4 Совокупные измерения
- •3.5 Контрольные вопросы, задачи, упражнения
- •4 Средства измерительной техники
- •4.1 Общие положения и определения
- •Мера Компа- Вычислит. Измерительный Измер.
- •4.2. Метрологические характеристики сит и их нормирование
- •4.2.1 Характеристики, предназначенные для определения результатов измерений
- •4.2.2 Характеристики погрешностей сит
- •4.2.3 Характеристики чувствительности сит к влияющим величинам
- •4.2.4 Динамические характеристики сит
- •4.2.5 Характеристики взаимодействия сит с объектом измерения на входе или выходе сит
- •4.2.6 Неинформативные параметры выходного сигнала сит
- •4.3 Основные методы измерений
- •4.3.1 Метод сопоставления
- •4.3.2 Метод совпадения
- •Отсюда погрешность метода совпадения будет равна
- •4.3.3 Метод замещения
- •4.3.4 Дифференциальный метод
- •4.3.4 Нулевой метод
- •4.4 Обобщенные структурные схемы сит
- •4.4.1 Схема прямого преобразования
- •4.4.2 Структурная схема уравновешенного преобразования
- •2. Режим полного уравновешивания.
- •4.5 Погрешности сит
- •4.5.1 Погрешности квантования
- •4.5.2 Динамические погрешности
- •4.5.3 Погрешность, обусловленная взаимодействием сит с объектом на его входе и выходе
- •4.6 Контрольные вопросы, задачи и упражнения
- •Приложение а
- •Списоклитературы
1.4.2 Эталон ома на основе квантового эффекта Холла
Квантовый эффект Холла был открыт в 1980 г. Фон-Клитцингом. Суть его состоит в том, что в специальных структурах типа металл-диэлектрик-полупроводник (рис 1.13) при температуре жидкого гелия и в сильном магнитном поле электрическое сопротивление принимает строго фиксированные дискретные значения
где 0- магнитная проницаемость вакуума;
- постоянная тонкой структуры.
Если на металлическую пластинку подается положительное напряжение Uв, тогда часть электронов из кремниевого полупроводника Si подтянется к границе диэлектрика SiO2 и окажется заключенной в тонком слое - канале, ограниченном на рис. 1.13 пунктиром, поскольку диэлектрик для электронов непроницаем, а обратно в полупроводник им не дает вернуться притяжение к металлической пластине.
Запертые в канале толщиной dэлектроны, согласно квантовой механике, будут заниматьсамый низкий из возможных дискретных энергетических уровней, соответствующих движению поперек слоя, а их волновые функции будут размазаны по толщине канала. Если подать напряжение на электроды“исток-сток”, то между ними потечет токI. Если, кроме того, приложить магнитное полеВперпендикулярно плоскости канала, то электроны, изгибая свои траектории в полеВначнут скапливаться у боковых краев структур, пока возникшая разность потенциалов между холловскими контактами не воспрепятствуют их дальнейшему накоплению. Это классический эффект Холла, характеризуемый холловским сопротивлениемRH =UH/I. Как показано в курсе общей физики, величинаRHобратно пропорциональна плотности электроновeв канале (рис. 1.14).
Однако, при учете квантового характера движения электронов в магнитном поле возникает другая ситуация. Согласно квантовой механике, энергия электронов в плоскости слоя может принимать только дискретные значения.
Рисунок 1.13 - Холловская структура типа металл-диэлектрик-полупроводник
Таким образом, движение электрона оказывается квантованным по всем трем координатам. Следствием этого является наличие на зависимости RHот плотности электронов в слоеe плоских участков – плато с квантованными значениями согласно приведенной выше формулы (рис. 1.14). На практике величинуeрегулируют, изменяяUВ. Этот эффект называется квантовым эффектом Холла.
Полученные экспериментальные результаты делают этот метод воспроизведения сопротивления предпочтительным по сравнению с другими. Среднеквадратическое отклонение воспроизведения единицы сопротивления с помощью квантового эталона не превышает 3.10-8 при неисключенной систематической погрешности 3.10-7.
Рисунок 1.14 - Зависимость холловского сопротивления от плотности электронов в слое
1.5 Передача размеров единицы фв от эталонов рабочим сит
1.5.1 Основные принципы
Как уже говорилось, третьей задачей обеспечения единства измерений является передача размера единицы ФВ от эталонов рабочим СИТ.
Известно, что информация о размерах единиц должна быть заложена в СИТ при его выпуске в обращение в виде номинального значения меры, шкалы СИТ или в градуировочных таблицах и графиках.Правильность и точность этой информации устанавливается нагосударственных испытанияхголовных образцов СИТ, предназначенных для серийного производства, либо приметрологической аттестациинестандартизованных СИТ, т.е. выпускаемых в единичном экземпляре. Сохранность же информации контролируется при первичной и всех последующихповеркахСИТ. Когда при непосредственной передаче информации о размере единиц мерам и отметкам шкал отсчетных устройств приписываются значения, выраженные в этих единицах, то эта процедура называетсяградуировкой.
Использовать для градуировки, аттестации и поверки рабочих СИТ непосредственно государственные первичные эталоны нельзя. Эти эталоны являются национальным достоянием и используются чрезвычайно редко, чтобы исключить их выход из строя. Поэтому, производительность их невелика и для передачи информации о размере единиц обширному парку рабочих СИТ приходится прибегать к многоступенчатой процедуре, схема которой показана на рис. 1.15.
Передача размеров единиц рабочим СИТ осуществляется посредством рабочих эталонов (РЭ).
РЭ, которые имеют наивысшие метрологические свойства среди эталонов на предприятии или в организации называются исходными. В зависимости от точности, РЭ подразделяют на разряды.
РЭ находятся в метрологических институтах или лабораториях Государственной метрологической службы.