- •Электроника и микропроцессорная техника. Лекция №1.
- •1.Определение предмета электроника:
- •Техническая электроника:
- •2.Физические основы собственной и примисной электропроводности полупроводников:
- •Зонные диаграммы:
- •3.Получение и свойства pn –перехода:
- •Основное свойство pn перехода:
- •4 .Вольт амперная характеристика pn перехода (вах перехода):
- •Лекция № 2.
- •Классификация полупроводников.
- •Элементарная база аналоговой п.П. Электроники:
- •4.П.П.Диоды
- •Выпрямительный диод:
- •Электрический пробой:
- •1.Туннельный пробой(эффект Зенера):
- •2. Лавинный пробой(в широких рn переходах):
- •3.Получение и свойства pn –перехода:
- •Светодид(излучаемый):
- •О птроны (Оптопары):
- •Система обозначения полупроводниковых диодов:
- •Лекция № 4. Транзисторы.
- •(Одиночный прибор, всегда от р→n)
- •Классификация биполярных транзисторов:
- •Принцип действия:
- •Достоинства и недостатки биполярных транзисторов:
- •Основные характеристики соэ:
- •Лабораторная работа № 30: исследование регулируемого выпрямителя на тиристорах.
- •Структурная схема:
- •Принцип действия тринистора:
- •Структурная схема:
- •Неуправляемый однополупериодный выпрямитель:
- •Управляемый выпрямитель содержит 3 блока:
- •Полевые транзисторы.
- •1.Определение и основные электроды:
- •3 Электрода:
- •2.Разновидности полевых транзисторов:.
- •Интегральные микросхемы:
- •Классификация:
- •2. По виду обрабатываемого сигнала:
- •3.По количеству заключенных в интегральной схеме элементов (по степени интеграции):
- •Полупроводниковые аналоговые устройства:
- •Выпрямители:
- •Классификация:
- •1.По виду выходной величины:
- •2.По потребляемой мощности:
- •3.По количеству выпрямительных полупроводников:
Светодид(излучаемый):
УГО:
SiC (красный)
GeP, GeAr (голубой)
А К
Uпр
Область применения: буквенная и цифровая индикация в часах, на шкалах приборов и т.д.
Классификация:
1.В видимой части спектра – светодиод.
2.В инфракрасной области света – ИК диод. Область применения: в качестве источников питания.
О птроны (Оптопары):
Приборы, в которых в одном корпусе расположены и источник ,и приёмник светового излучения.
А Оптопреобразователь.
U вх=Uпр Uобр
К
Оптогенератор.
U вх=Uпр Uобр
Достоинства:
1. Резкое изменение выходного сопротивления: Rвых=Rвх (108 – 109): высокая чувствительность.
2.Оптодиод имеет линейную резисторную характеристику, поэтому область применения для аналоговых устройств:
Rвых
U
Существуют транзисторные и тринисторные оптроны:
VЛ VГ Оптотронзистор.
Uпр
Uпр
Оптонтринистор.
VЛ VS
Главное достоинство оптронов, является то, что между источником и приёмником излучения, внутри оптрона, присутствует световой сигнал, т.е. с гальванической связью между входом и выходом. Такое устройство в интегральной электронике заменяет разделительный трансформатор.
Система обозначения полупроводниковых диодов:
Условные обозначения выпрямительного диода: ОСТ11336.919-81 устанавливают код:
2Д204В для маркировки П.П.диодов.
Первая цифра - 2(может быть и буква) – которая обозначает исходный материал, в частности: 1 -Г-Gе, 2К – кремний, 3 - А – арсенид галлия, 4 - И- соединения индия. Цифра на приборах, прошедших военную приёмку. Буквы, которые не прошли военную приёмку, ток годны в быту.
Вторая буква –Д, отображает функциональные значения полупроводниковых приборов. Например: Д-диод, Т- транзистор, С- Стабистор или стабилитрон.
Третья цифра -2 означает класс с параметрами элемента.
Четвёртая и пятоя цифры – 04 – номер разработки интегральной схемы (00-99) .
Последняя буква –В квалификационная литература, обозначается русскими буквами алфавита, кроме: Ч,О,Ы,Щ,Ш,Ь,Ъ,Ы,Я.
Лекция № 4. Транзисторы.
Классификация:
По принципу действия делятся на биполярные, в которых в процессе протекания тока участвует зарядоносители обоих знаков.
Униполярные (полевые), в которых при прохождении тока участвуют зарядоносители одного знака: или электроны, или дырки.
УГО:
(Одиночный прибор, всегда от р→n)
По p-n-p:
p К
Э р
n
Б
По n-p-n
n К
Э n
p
Б
Биполярные транзисторы:
Называется полупроводниковый прибор, имеющий 2pn перехода и 3 электрода- называется ЭБК (эмиттер, база, коллектор).
Эмиттер- электрод, через который из внешней цепи поступают зарядоносители.
База- средний слой между эмиттером и коллектором, конструктивно узкий : 1-10 мкМ , и потому обеднённый зарядоносителями.
Коллектор – электрод, через который зарядоносители уходят из прибора во внешнюю цепь.