- •Электроника и микропроцессорная техника. Лекция №1.
- •1.Определение предмета электроника:
- •Техническая электроника:
- •2.Физические основы собственной и примисной электропроводности полупроводников:
- •Зонные диаграммы:
- •3.Получение и свойства pn –перехода:
- •Основное свойство pn перехода:
- •4 .Вольт амперная характеристика pn перехода (вах перехода):
- •Лекция № 2.
- •Классификация полупроводников.
- •Элементарная база аналоговой п.П. Электроники:
- •4.П.П.Диоды
- •Выпрямительный диод:
- •Электрический пробой:
- •1.Туннельный пробой(эффект Зенера):
- •2. Лавинный пробой(в широких рn переходах):
- •3.Получение и свойства pn –перехода:
- •Светодид(излучаемый):
- •О птроны (Оптопары):
- •Система обозначения полупроводниковых диодов:
- •Лекция № 4. Транзисторы.
- •(Одиночный прибор, всегда от р→n)
- •Классификация биполярных транзисторов:
- •Принцип действия:
- •Достоинства и недостатки биполярных транзисторов:
- •Основные характеристики соэ:
- •Лабораторная работа № 30: исследование регулируемого выпрямителя на тиристорах.
- •Структурная схема:
- •Принцип действия тринистора:
- •Структурная схема:
- •Неуправляемый однополупериодный выпрямитель:
- •Управляемый выпрямитель содержит 3 блока:
- •Полевые транзисторы.
- •1.Определение и основные электроды:
- •3 Электрода:
- •2.Разновидности полевых транзисторов:.
- •Интегральные микросхемы:
- •Классификация:
- •2. По виду обрабатываемого сигнала:
- •3.По количеству заключенных в интегральной схеме элементов (по степени интеграции):
- •Полупроводниковые аналоговые устройства:
- •Выпрямители:
- •Классификация:
- •1.По виду выходной величины:
- •2.По потребляемой мощности:
- •3.По количеству выпрямительных полупроводников:
4.П.П.Диоды
Прибор, имеющий 2 электрода и 1 pn переход.
Выпрямительный диод:
УГО: ВАХ:
VD Rн Iпр (мА)
А К
Uпр
Iпр 5
Uоб
А
Uоб(В) Uпр (В)
4
1
Электрический пробой 2
3
Тепловой пробой Iоб(мА)
4.При приложении Uпр< Езап, у нас pn переход исчезает не полностью до точки А и потому, через прибор протекает маленький прямой ток, основных зарядоносителей.
5.При приложении Uпр > Езап, pn переход исчезает, открыт. Прикладываем Rн для тока
Ез.сл. ≈0, 5 В (0<Uпр<3)В.
С ростом Iпр сверх допустимых значений выделяется тепло в приборе и, он может погореть, поэтому величину Iпр ограничивают предельными значениями, Iпр (1:1000)А.
1.При работе диода, при приложении Uоб pn переход расширяется с ↑ Uоб → hpn↑ (закрыт), не пропускает основных зарядоносителей, а пропускает только неосновное количество неосновных зарядоносителей, обуславливаемое собственной электропроводностью полупроводников и составляет Iоб = (10-3 – 10-8 )А.
Вентильный диод находится в непроводящем состоянии Uпроб≈1000В.
Если ↑Uобр сверх Uпроб, то возникает пробой закрытого pn перехода.
При плохом теплоотводе от pn перехода (перегрев) происходит тепловой пробой.
При хорошем теплоотводе на участке 2 (нашего графика) происходит электрический пробой (обратимый). Напряжение снижают и pn переход восстанавливается.
Электрический пробой:
1.Туннельный.
2.Лавинный.
1.Туннельный пробой(эффект Зенера):
Св.З
+ В.З. pn переход
При узком pn переходе, когда энергия электрона хватает, то происходит переход их Валентной Зоны в Свободную Зону.
2. Лавинный пробой(в широких рn переходах):
Св.З
рn-переход
+
- В.З.
Подобная ионизация газов возможна в широких pn переходах, к которых ширина соизмерима с длиной свободного просвета электрона (заряженной частицы). Электрон , попавший в такую зону , выполняет лавинную ионизацию молекул этого слоя.
Электрический пробой предшествует тепловому. Ограничительные параметры выпрямительного диода: Для нормальной работы:Iпр – допустимый, Uоб≤0,7Uпроб.
Стабилитрон и Стабистор :
УГО: ВАХ:
VD Iпр (мА)
D
Uпр(стабистор)
Стабистор
Uоб(стабилитрон)
С
Uоб(В) А 0,5В Uпр (В)
стабилитрон
В
Iоб(мА)
Назначение приборов для стабилизации напряжения:
Стабилитрон – стабилизируют большие напряжения(на участке А-В);
Стабисторы - стабилизируют маленькие напряжения (на участке С-D).
Применение в устройствах : стабилизация напряжения.
Варикапы
Называется полупроводниковый диод с электрически управляемой ёмкостью.
УГО:
VC
Uоб
Pn- переход между слоями с р и n проводимостью, рассматривают как диэлектрическую среду между двумя обкладками конденсатора.