- •Электроника и микропроцессорная техника. Лекция №1.
- •1.Определение предмета электроника:
- •Техническая электроника:
- •2.Физические основы собственной и примисной электропроводности полупроводников:
- •Зонные диаграммы:
- •3.Получение и свойства pn –перехода:
- •Основное свойство pn перехода:
- •4 .Вольт амперная характеристика pn перехода (вах перехода):
- •Лекция № 2.
- •Классификация полупроводников.
- •Элементарная база аналоговой п.П. Электроники:
- •4.П.П.Диоды
- •Выпрямительный диод:
- •Электрический пробой:
- •1.Туннельный пробой(эффект Зенера):
- •2. Лавинный пробой(в широких рn переходах):
- •3.Получение и свойства pn –перехода:
- •Светодид(излучаемый):
- •О птроны (Оптопары):
- •Система обозначения полупроводниковых диодов:
- •Лекция № 4. Транзисторы.
- •(Одиночный прибор, всегда от р→n)
- •Классификация биполярных транзисторов:
- •Принцип действия:
- •Достоинства и недостатки биполярных транзисторов:
- •Основные характеристики соэ:
- •Лабораторная работа № 30: исследование регулируемого выпрямителя на тиристорах.
- •Структурная схема:
- •Принцип действия тринистора:
- •Структурная схема:
- •Неуправляемый однополупериодный выпрямитель:
- •Управляемый выпрямитель содержит 3 блока:
- •Полевые транзисторы.
- •1.Определение и основные электроды:
- •3 Электрода:
- •2.Разновидности полевых транзисторов:.
- •Интегральные микросхемы:
- •Классификация:
- •2. По виду обрабатываемого сигнала:
- •3.По количеству заключенных в интегральной схеме элементов (по степени интеграции):
- •Полупроводниковые аналоговые устройства:
- •Выпрямители:
- •Классификация:
- •1.По виду выходной величины:
- •2.По потребляемой мощности:
- •3.По количеству выпрямительных полупроводников:
3.Получение и свойства pn –перехода:
р - типа. А n - типа
- - - + + + исчезают
- - - + - + + +
В
АВ- металлургический раздел(путём сжигания).
При получении pn- перехода, происходит спекание полупроводников различных типов.
В результате, на границе АВ полупроводника образуется разность концентраций зарядоносителей. В слое n высокая концентрация электронов, кроме этого, собственная электропроводность и низкая концентрация дырок.
р B n
n p
В слое р наоборот: концентрация дырок больше, чем концентрация электронов, от собственной электропроводности.
Высокая концентрация- основные зарядоносители, а низкая концентрация- неосновные.
Из-за разности концентраций начинается диффузия зарядоносителей: от более высокой к более низкой концентрации.
В приграничной зоне АВ образуется слой, лишенный свободоносителей – этот слой и получил название pn- перехода(сама эта зона оч маленькая – 1 мк м)
Основное свойство pn перехода:
Препятствовать движению основных зарядоносителей и не препятствовать движению неосновных.
Препятствовать: электронов из слоя n в слой р; дырок из слоя р в слой n. И не препятствовать движению неосновных!
Другими словами, если р переход существует, то ток через него очень маленький, практически отсутствует(прибор закрыт).
Рассмотрим поведение двухслойного полупроводника при приложении к нему прямого напряжения и обратного ( Uпр. , Uобр. )
Uпр- такое напряжение, когда положительный источник питания к р, а – к n/
+ p - n
Наложение Uпр:
р - типа. pn n - типа
- + - + - +
- + - +
I пр(большой)
E- запирающая ЭДМ
Uпр
+ -
По уравнению Кирхгофа : Езап = Uпр
Iпр = Езап –Uпр/Rpn
Rpn = Езап –Uпр/ Iпр=0
Если Uпр ≥ Езап ,то Iпр→∞
Вывод:при наложении Uпр через pn переход протекает большой ток : Iпр=(0,1 -1000)А.
Наложение Uоб:
- p +n
р - типа. pn n - типа
- + - + - +
- + - +
I об=(10-3 – 10-8 )А Rн
E- запирающая ЭДМ
Uоб
- +
По уравнению Кирхгофа : Езап = - Uоб
Iоб = Езап +Uпр/Rpn
Rpn = Езап +Uоб/ Iоб→∞
Iпр→0
Вывод: при наложении Uоб через pn переход протекает малый ток : Iоб≈0(практически).
Проведённый анализ показал, что pn-переход двухслойного полупроводника обладает вентильным эффектом. При Uпр. Пропускает большой прямой ток (высокая электропроводность), при Uобр. Малый обратный ток, который стремится к нулю (маляа электропроводность).
На этом свойстве pn перехода основан принцип действия всех полупроводниковых приборов.