- •Электронные твердотельные приборы
- •Часть 1
- •Введение
- •1.1 Общие сведения о полупроводниках
- •1.2. Собственные полупроводники
- •1.3. Электронные полупроводники
- •1.4. Дырочные полупроводники
- •1.5. Токи в полупроводниках
- •Контрольные вопросы
- •2.1. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия
- •2.2. Прямое и обратное включение p-n перехода
- •2.3. Теоретическая вольтамперная характеристика p-n-перехода
- •2.4. Реальная вольтамперная характеристика p-n-перехода
- •2.5. Емкости p-n-перехода
- •Контрольные вопросы
- •3.1. Классификация, разновидности
- •3.2. Стабилитроны
- •3.3. Параметрический стабилизатор напряжения
- •Контрольные вопросы
- •4. Биполярные транзисторы
- •4.1. Физические процессы и токи в транзисторе
- •4.2. Moдyляция ширины бaзы
- •4.3. Статические характеристики
- •4.4. Влияние температуры на статистические характеристики
- •4.5. Малосигнальные параметры и эквивалентная схема
- •4.6. Усилительный каскад на биполярном транзисторе
- •4.7. Частотные свойства биполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •5. Полевые транзисторы
- •5.1. Физические процессы в полевом транзисторе с p-n-переходом
- •5.2. Малосигнальные параметры полевого транзистора
- •5.3. Эквивалентная схема полевого транзистора для малого сигнала
- •5.4. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •5.5. Полевой транзистор с плавающим затвором
- •5.6. Полевой транзистор с затвором Шоттки
- •5.7. Усилительный каскад на полевом транзисторе
- •Контрольные вопросы
- •6. Тиристоры
- •Контрольные вопросы
- •Заключение
- •Библиографический Список
- •ОглавлеНие
- •Электронные твердотельные приборы
- •680021, Г. Хабаровск, ул. Серышева, 47.
2.3. Теоретическая вольтамперная характеристика p-n-перехода
Вольтамперная характеристика (ВАХ) представляет собой график зависимости тока во внешней цепи p-n-перехода от значения и полярности напряжения, прикладываемого к нему. Эта зависимость может быть получена экспериментально или рассчитана на основании уравнения вольтамперной характеристики [2].
При включении p-n-перехода в прямом направлении в результате инжекции возникает прямой диффузионный ток
I = In диф(хp) =SqDn ,
где S – площадь p-n-перехода, q – заряд электрона, Dn – коэффициент диффузии электронов.
С учётом прямой токp-n-перехода определяется выражением
I = Sq.
Обозначим Sq, эта величина имеет размерность тока, определяется концентрацией неосновных носителей заряда в базе np и называется тепловым током I0.
Общее выражение для вольтамперной характеристики p-n-перехода записывается в виде
I =I0 , (2.7)
где I0 – тепловой ток p-n-перехода, с учётом дырочной составляющей тепловой ток может быть записан в виде
I0 = Sq. (2.8)
Тепловой ток p-n-перехода зависит от концентрации примеси и температуры. Увеличение температуры p-n-перехода приводит к увеличению теплового тока, а, следовательно, к возрастанию прямого и обратного токов.
Увеличение концентрации легирующей примеси приводит к уменьшению теплового тока, а, следовательно, к уменьшению прямого и обратного токов p-n-перехода.
На рис. 2.3 приведена ВАХ идеальногоp-n-перехода.
Учитывая, что при Т = 300К, T = 26 мВ, можно сделать вывод, что прямой ток очень сильно зависит от прямого напряжения (при увеличении U на 2T мВ прямой ток возрастает в 10 раз). Наоборот, обратный ток при обратных напряжениях, больших 2T мВ, практически перестает зависеть от приложенного напряжения и равен I0. Реально прямой и обратный токи по величине отличаются на порядки и для них используются разные масштабы. Поскольку ВАХ p-n-перехода представляет собой нелинейную зависимость между током и напряжением, то между малыми амплитудами тока и напряжения (или между малыми приращениями тока и напряжения и) существует линейная связь. В этом случаеp-n-переход на переменном токе характеризуют дифференциальным сопротивлением Rд:
Rд =.
Аналитическое выражение rpn получим, дифференцируя (2.7)
Rд =. (2.9)
При прямом напряжении rpn мало и составляет единицы – сотни Ом, а при обратном напряжении – велико и составляет сотни и тысячи килоОм.
Дифференциальное сопротивление можно определить графически по характеристике (рис. 2.3, где указаны и).
2.4. Реальная вольтамперная характеристика p-n-перехода
При выводе уравнения =0(exp(U/T) – 1) не учитывались такие явления, как термогенерация носителей в запирающем слое перехода, поверхностные утечки тока, падение напряжения на сопротивлении нейтральных областей полупроводника, а также явления пробоя при определенных областных напряжениях. Поэтому экспериментальная вольтамперная характеристика p-n-перехода отличается от теоретической (рис. 2.4).
При прямом напряжении наp-n-переходе отклонение реальной характеристики от идеальной связано с сопротивлением слаболегированной области базы rБ’. Часть внешнего напряжения u падает на объёмном сопротивлении базы rБ’, поэтому напряжение на p-n-переходе уменьшается до величины upn = u – i rБ’.
Таким образом, при одинаковой величине поданного напряжения ток реального p-n-перехода будет меньше, чем идеального.
Соотношения I = I0(e– 1) и Rд =справедливы для бесконечно тонкого перехода. Реальные переходы имеют конечную толщину. При этом в них происходит термогенерация носителей заряда. Возникающие в процессе генерации электроны и дырки переносятся полем перехода в соответствующие области полупроводника. Они образуют дополнительную составляющую тока перехода, называемую током термогенерации. Ток термогенерации увеличивает обратный ток p-n-перехода. Обратная ветвь характеристики при этом имеет конечный наклон, а переход при обратном напряжении – конечное сопротивление.
Величина тока генерации пропорциональна ширине p-n-перехода, а следовательно, зависит от приложенного обратного напряжения. Для германиевых p-n-переходов обе составляющие обратного тока одного порядка; для кремниевых p-n-переходов ток генерации на несколько порядков может превышать тепловой ток.
При некотором обратном напряжении обратный ток p-n перехода начинает быстро увеличиваться – возникают пробой p-n перехода.
Различают четыре разновидности пробоя: туннельный, лавинный, тепловой и поверхностный.
Определяющее значение при пробое имеет напряженность поля в p-n-переходе. Как известно, в приконтактных областях p-n-перехода имеется двойной электрический слой зарядов – неподвижных ионов.
Этот двойной слой образует электрическое поле E0, которое равно E0 = , где– контактная разность потенциалов,– толщинаp-n-перехода.
Толщина зависит от степени легирования полупроводника: чем выше концентрация примесей, тем тоньше p-n-переход и, следовательно, больше напряженность поля.
Если приложить к p-n-переходу внешнее напряжение U, то поле в p-n-переходе изменится. Оно увеличится на величину Е = , если приложено обратное напряжение (плюсом к n-области), или уменьшится на эту же величину, если приложено напряжение в прямом направлении. В первом случае внешнее поле суммируется с внутренним, во втором – вычитается.
Туннельный пробой характерен для сильнолегированных полупроводников, которые имеют малую толщину перехода. Он возникает под действием туннельного перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости при больших напряженностях электрического поля. Это явление сходно с явлением вырывания сильным электрическим полем валентных электронов, однако происходит при меньших напряженностях поля, чем вырывание. Объяснить это явление в рамках классической физики не удаётся. Квантовая механика объясняет этот эффект, который носит название туннельного.
Кратко сущность эффекта заключается в следующем. Внутри кристалла полупроводника существует периодическое электрическое поле, создаваемое положительно заряженными ионами вещества. Валентные электроны находятся на дне потенциальных ям. Чтобы стать свободными, электронам необходимо преодолеть барьер . Если приложить внешнее напряжение к полупроводнику, то распределение потенциала изменится: на периодическое распределение потенциала будет наложено линейное распределение.
Теперь, чтобы стать свободным, электрону, оказывается, не обязательно преодолевать потенциальный барьер . Он может пройти сквозь него, как через туннель, если барьер достаточно тонкий.
Чем больше напряженность поля, тем тоньше потенциальный барьер, и тем, следовательно, больше вероятность туннельного перехода электронов.
Лавинный пробой (рис. 2.4, крив. 2) возникает при меньших значениях напряженности поля в результате ударной ионизации нейтральных атомов быстрыми носителями заряда в достаточно широких переходах (слаболегированный полупроводник). Неосновные носители заряда, образующие обратный ток p-n-перехода, ускоряются полем перехода и, еще не пролетев его (широкий переход), приобретают энергию, достаточную для ударной ионизации. Образовавшиеся в результате ионизации носители заряда в свою очередь ускоряются полем и наравне с первичными могут участвовать в ионизации и т. д. Число носителей заряда в p-n-переходе лавинообразно нарастает. Соответственно возрастает и обратный ток через переход.
Увеличение обратного тока характеризуется коэффициентом лавинного умножения M:
, (2.10)
где Uпроб – напряжение начала пробоя; m зависит от материала полупроводника.
Тепловой пробой (рис. 2.4, крив.1) образуется за счет нарастания неосновных носителей и, следовательно, обратного тока при плохом отводе тепла от перехода. Под действием тепла валентные электроны переходят в зону проводимости и еще более увеличивают ток перехода и его температуру. Лавинообразное увеличение тока приводит к пробою. Пробивное напряжение при тепловом механизме пробоя уменьшается с ростом температуры окружающей среды. У переходов с малыми обратными токами пробивное напряжение выше. Тепловой пробой наблюдается чаще у германиевых переходов, так как они имеют больший обратный ток по сравнению с кремниевыми. Когда тепловой пробой начался, то даже с уменьшением напряжения на переходе ток возрастает, так как p-n-переход уже достаточно сильно разогрет.
Следует заметить, что если не ограничивать ток при туннельном и лавинном пробое, то эти виды пробоя также переходят в тепловой.
Распределение напряженности электрического поля в переходе зависит от зарядов, имеющихся на поверхности полупроводника. В результате этого пробой по поверхности может наступить при меньшей напряженности поля, чем в объеме. Большую роль при возникновении поверхностного пробоя играют диэлектрические свойства среды, граничащей с поверхностью полупроводника (защитное покрытие, загрязненность). Для снижения вероятности поверхностного пробоя необходимо применять защитные покрытия высокой диэлектрической постоянной. Современная технология позволяет получить p-n-переходы с пробивными напряжениями порядка сотен и даже тысяч вольт.
ВАХ изменяется с изменением температуры p-n-перехода. Зависимость от температуры обратной ветви ВАХ определяется температурными изменениями тока I0. Количество неосновных носителей в полупроводнике экспоненциально зависит от температуры. По такому же закону изменяется и ток I0. Можно считать, что ток I0 удваивается для германиевых переходов при изменении температуры на каждые 100 С, для кремниевых – на 7 0С.