- •Электронные твердотельные приборы
- •Часть 1
- •Введение
- •1.1 Общие сведения о полупроводниках
- •1.2. Собственные полупроводники
- •1.3. Электронные полупроводники
- •1.4. Дырочные полупроводники
- •1.5. Токи в полупроводниках
- •Контрольные вопросы
- •2.1. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия
- •2.2. Прямое и обратное включение p-n перехода
- •2.3. Теоретическая вольтамперная характеристика p-n-перехода
- •2.4. Реальная вольтамперная характеристика p-n-перехода
- •2.5. Емкости p-n-перехода
- •Контрольные вопросы
- •3.1. Классификация, разновидности
- •3.2. Стабилитроны
- •3.3. Параметрический стабилизатор напряжения
- •Контрольные вопросы
- •4. Биполярные транзисторы
- •4.1. Физические процессы и токи в транзисторе
- •4.2. Moдyляция ширины бaзы
- •4.3. Статические характеристики
- •4.4. Влияние температуры на статистические характеристики
- •4.5. Малосигнальные параметры и эквивалентная схема
- •4.6. Усилительный каскад на биполярном транзисторе
- •4.7. Частотные свойства биполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •5. Полевые транзисторы
- •5.1. Физические процессы в полевом транзисторе с p-n-переходом
- •5.2. Малосигнальные параметры полевого транзистора
- •5.3. Эквивалентная схема полевого транзистора для малого сигнала
- •5.4. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •5.5. Полевой транзистор с плавающим затвором
- •5.6. Полевой транзистор с затвором Шоттки
- •5.7. Усилительный каскад на полевом транзисторе
- •Контрольные вопросы
- •6. Тиристоры
- •Контрольные вопросы
- •Заключение
- •Библиографический Список
- •ОглавлеНие
- •Электронные твердотельные приборы
- •680021, Г. Хабаровск, ул. Серышева, 47.
5.2. Малосигнальные параметры полевого транзистора
Режим полевого транзистора определяется напряжениями на его электродами и токами через них. На семействах выходных и проходных характеристик режим дают координаты точки А (рис. 5.2, 5.3), которая называется рабочей точкой. В малой окрестности этой точки характеристики можно считать линейными, а транзистор – линейным трёхполюсником для малого сигнала. Основными параметрами такого трёхполюсника являются:
крутизна;
внутреннее сопротивление ;
статический коэффициент усиления .
Эти параметры связаны между собой соотношением
. (5.3)
Параметры ,,зависят от координат точки А, т.е. от режима. Они определяются из статистических характеристик. КрутизнуS можно также определить путём дифференцирования выражения (5.2)
Если Uзат = 0, то S = Smax = .
5.3. Эквивалентная схема полевого транзистора для малого сигнала
Как отмечалась ранее, для малого сигнала полевого транзистора представляется линейным трехполюсником. Эквивалентная схема его показана на рис. 5.5.
На ней изображены три электрода транзистора – сток, исток и затвор. Тот факт, что ток в цепи сток – исток зависит от напряжения между, стоком и истоком, отражается на эквивалентной схеме сопротивлением. Зависимость этого же тока от напряжения на затворе отражена источником тока. Емкости и – барьерные емкости запертого p-n-перехода. Они определяют частотные свойства транзистора. На низких частотах их влияние пренебрежимо мало.
Эквивалентную схему (рис. 5.5) можно изобразить и иначе, заменив источник тока эквивалентной эдс. Для эквивалентной эдс с учётом выражения (5.3) имеем
(5.4)
Эквивалентная схема с источником эдс показана на рис. 5.6.
Изображение полевых транзисторов с p-n-переходом на электрических схемах приведено на рис. 5.7.
n-канал
р-канал
Рис. 5.6 Рис. 5.7
5.4. Полевые транзисторы с изолированным затвором
Полевой транзистор с p-n-переходом имеет два недостатка: через вывод затвора протекает, хотя и не большой, но отличный от нуля ток закрытого p-n-перехода.
Во избежание открывания p-n-перехода напряжение на затворе может быть только одной определенной полярности – отрицательной для n-канала и положительной для p-канала. Этих недостатков нет у полевых транзисторов с изолированным затвором. У них затвор изолирован от канала пленкой диэлектрика. Существуют две разновидности полевых транзисторов со встроенным каналам. На рис. 5.8 схематически показан транзистор со встроенным каналом. В положение (П) из p-кремния имеются две сильно легированные n-области, от которых делаются выводы истока и стока. Между этим областями образован канал из n-кремния. Металлическая пленка затвора нанесена на предварительно окисленную поверхность над каналом. Двуокись кремния является хорошим диэлектриком и изолирует канал от затвора.
Такие транзисторы называются МДП-транзисторами (металл-диэлектрик-полупроводник), а частном случаем МОП-транзисторами (металл-окисел-полупроводник). Подложка обычно соединяется с истоком. Если,то при изменение напряжения на стоке ток стока зависит от напряжения на стоке, как в полевых транзисторах с p-n-переходом (рис. 5.9).
Рис. 5.8 Рис. 5.9
При напряжении на затворе, отличном от нуля, электрическое поле затвора проникает в полупроводник и либо притягивает в канал из подложки носители заряда (режим обогащения), либо, наоборот, отталкивает их (режим обеднения). Соответственно проводимость канала либо возрастает, либо уменьшается (рис. 5.9). Таким образом, снимается ограничение на полярность приложенного к затвору напряжения.
Стокозатворная характеристика МДП-транзистора показана на рис. 5.10. Разумеется, МДП-транзистора могут быть как с каналом n, так и каналом p типа.
Вполевых транзисторах с индуцированным каналом приканала нет. Если обратиться к рис. 5.8, то в таких транзисторах нет области .
Две сильно легированные области n+ истока и стока с подложкой образуют два встречно включенных диода, а при любой полярности напряжения один из диодов будет закрыт, тока в цепи сток–исток не будет. Только при подаче положительного напряжения на затвор область под затвором обогащается электронами, и при некотором напряжение на затворе происходит инверсия типа проводимости. Полупроводник p-типа под затвором превращается в полупроводник n-типа, образуется канал. Напряжение на затворе при образовании канала называется пороговым напряжением. Таким образом, МДП-транзистор с индуцированным каналом может работать только в режиме обогащения. Его стокозатворная характеристика показана на рис. 5.11.
МДП-транзисторы характеризуются теми же малосигнальными параметрами, что и полевые транзисторы с p-n-переходом, и имеют такую же эквивалентную схему для малого сигнала.
Обозначения МДП-транзисторов на схемах даны на рис. 5.12.
Рис. 5.12