Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Методичка - Электронные твердотельные приборы.doc
Скачиваний:
955
Добавлен:
02.05.2014
Размер:
16.51 Mб
Скачать

Контрольные вопросы

  1. Что такое тиристор?

  2. Почему коллекторный переход тиристора оказывается смещенным в прямом направлении при переключении тиристора из закрытого со­стояния в открытое?

  3. Какие физические явления влияют на коэффициенты передачи тока транзисторных структур, составляющих тиристор?

  4. Почему для изготовления целесообразно использовать полупровод­ники с большой шириной запрещенной зоны?

  5. Какова структура и принцип действия симметричных тиристоров?

Заключение

В заключение отметим некоторые перспективы развития твердотельных электронных приборов, а также проблемы, которые предстоит решить для успешного развития полупроводниковой электроники.

Одной из важнейших задач полупроводниковой электроники является увеличение быстродействия полупроводниковых приборов. Максимальная частота генерации биполярных транзисторов достигла 10 ГГц. Значение этого параметра уже близко к теоретическому пределу, который определяется временем установки электрической нейтральности различных частей полупроводниковой структуры, а также конечным значением скоростей движения носителей заряда. Необходимо учитывать и постоянные времени перезаряда барьерных емкостей p-n-переходов.

Таким образом, для продвижения вверх по частотному диапазону наряду с совершенствованием различных полупроводниковых СВЧ-приборов необходимы изыскания новых принципов усиления и генерации электрических колебаний. Увеличение быстродействия диодов может быть достигнуто путем использования гетерпереходов и переходов между металлом и полупроводником. В этих приборах практически исключается процесс накопления и рассасывания неосновных носителей.

Другой проблемой является повышение допустимой мощности рассеяния полупроводниковых приборов, что трудно осуществить не в ущерб быстродействию этих приборов.

Решению этой проблемы может способствовать использование полупроводниковых материалов с большой шириной заряженной зоны (больше, чем у кремния). Одним из таких материалов является арсенид галлия. Следует учесть, что подвижность носителей заряда в арсениде галлия значительно выше, чем в германии и кремнии, что должно повысить быстродействие приборов на его основе.

Однако для разработки интегральных микросхем на основе арсенида галлия необходимо преодолеть ряд технологических трудностей, в частности, научиться наращивать на монокристаллы арсенида галлия диэлектрические слои с малой плотностью поверхностных состояний.

Важнейшими задачами являются повышение надежности и снижение стоимости дискретных и интегральных полупроводниковых приборов. Для решения этой задачи необходима разработка новых технологических решений, а также изыскание новых эффектов в полупроводниках.

Библиографический Список

  1. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника ; под ред. Н. Д. Федорова. – М. : Радио и связь, 1998. – 560 с.

  2. Батушев, В. А. Электронные приборы / В. А. Батушев. – М. : Высш. шк.,1980. – 383 с.

  3. Электронные приборы ; под ред. Г. Г. Шишкина. – М. : Энерго­атомиздат, 1989. – 496 с.

  4. Пасынков, В. А. Полупроводниковые приборы / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин. – СПб. : Лань, 2002. – 480 с.

  5. Электронные устройства железнодорожной автоматики, телемеха­ники и связи ; под ред. А. В. Шилейко. – М. : Транспорт, 1989. – 327 с.

  6. Прянишников, В. А. Электроника : курс лекций / В. А. Прянишников. –СПб. : Корона-принт, 1998. – 400 с.

  7. Терехов, В. А. Задачник по электронным приборам / В. А. Терехов. – М. : Энергоатом­издат, 1983. – 280 с.