
- •Электронные твердотельные приборы
- •Часть 1
- •Введение
- •1.1 Общие сведения о полупроводниках
- •1.2. Собственные полупроводники
- •1.3. Электронные полупроводники
- •1.4. Дырочные полупроводники
- •1.5. Токи в полупроводниках
- •Контрольные вопросы
- •2.1. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия
- •2.2. Прямое и обратное включение p-n перехода
- •2.3. Теоретическая вольтамперная характеристика p-n-перехода
- •2.4. Реальная вольтамперная характеристика p-n-перехода
- •2.5. Емкости p-n-перехода
- •Контрольные вопросы
- •3.1. Классификация, разновидности
- •3.2. Стабилитроны
- •3.3. Параметрический стабилизатор напряжения
- •Контрольные вопросы
- •4. Биполярные транзисторы
- •4.1. Физические процессы и токи в транзисторе
- •4.2. Moдyляция ширины бaзы
- •4.3. Статические характеристики
- •4.4. Влияние температуры на статистические характеристики
- •4.5. Малосигнальные параметры и эквивалентная схема
- •4.6. Усилительный каскад на биполярном транзисторе
- •4.7. Частотные свойства биполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •5. Полевые транзисторы
- •5.1. Физические процессы в полевом транзисторе с p-n-переходом
- •5.2. Малосигнальные параметры полевого транзистора
- •5.3. Эквивалентная схема полевого транзистора для малого сигнала
- •5.4. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •5.5. Полевой транзистор с плавающим затвором
- •5.6. Полевой транзистор с затвором Шоттки
- •5.7. Усилительный каскад на полевом транзисторе
- •Контрольные вопросы
- •6. Тиристоры
- •Контрольные вопросы
- •Заключение
- •Библиографический Список
- •ОглавлеНие
- •Электронные твердотельные приборы
- •680021, Г. Хабаровск, ул. Серышева, 47.
4.6. Усилительный каскад на биполярном транзисторе
Расчёты основных параметров
Усилительный каскад должен содержать транзистор, источник электрической энергии и вспомогательные элементы. Во входную цепь включается источник сигнала, а в выходную – нагрузка. В дальнейшем будем описывать источник сигнала в виде генератора с напряжением er и внутренним сопротивлением Rr, а нагрузку – резистором Rн .
На рис. 4.16 приведена схема усилительного каскада с ОЭ.
Полярность
источника питанияEK
обеспечивает работу транзистора в
активном режиме. Резисторы RБ
и RК
задают требуемые постоянные составляющие
токов в цепях транзистора и постоянные
напряжения на его электродах – рабочую
точку транзистора. От выбора рабочей
точки зависит усиление каскада, КПД,
искажения сигнала. Для того, чтобы
источник сигнала и нагрузка не влияли
на режим работы транзистора по постоянному
току, включены разделительные конденсаторы
C1
и C2,
имеющие в рабочем диапазоне частот
малые сопротивления.
В рассматриваемой схеме постоянные составляющие токов и напряжений определяются следующими выражениями:
Iб(0
) =
;(4.11)
IK(0)
=
;
UКЭ(0) = Ек – Iк(0)Rк , (4.12)
Будем
считать, что источник сигнала по отношению
к транзистору является генератором
тока iГ
iГmsin
,
где iГm
=
EГm
/
RГ.
Тогда
полный входной ток транзистора можно
определить:
IБ
=
IБ(0)
+ iГmsin.
(4.13)
Сопротивление нагрузки – RH >> RK.
Для описания работы транзистора воспользуемся семейством выходных характеристик (рис. 4.17) iK = f(iБ,uкэ).
Рис. 4.17
Учитывая,
что характеристика резистора RK
подчиняется
закону Ома, получим iK
=
,
где (
)–
падение напряжения на резисторе RK.
Это уравнение называется уравнением
нагрузочной линии. Её график имеет вид
прямой линии, проходящей через точку
EK
на оси абсцисс и через точку EK/RK
на оси ординат.
Поскольку через транзистор и RK протекает один и тот же ток iK, то его величина и напряжение UКЭ могут быть найдены путем решения системы уравнений:
iK
=
f(iБ,uкэ)
iK
=
.
(4.14)
Эта система уравнений может быть решена графически, путём нахождения точек пересечения нагрузочной линии с графиками выходных характеристик транзистора.
Для определения параметров режима по постоянному току примем er = 0. Тогда значения постоянной составляющей тока коллектора Ik(0) и напряжения UКЭ(0) определяются пересечением нагрузочной линии и статистической характеристики транзистора, снятой при iБ = IБ(0) – точка А (рис. 4.17).
При
подаче на вход каскада напряжения er
ток базы будет изменяться относительно
IБ(0)
по синусоидальному закону с амплитудой
IБm
=
и рабочая точка будет перемещаться по
нагрузочной линии между точкамиB
и С. Соответственно будет изменяться
ток коллектора с амплитудой IKm
около значения IК(0)
и напряжение на коллекторе с амплитудой
UKm
около значения UКЭ(0).
При этом ток коллектора iK
будет находиться в фазе с током базы
iБ,
а выходное напряжение UКЭ
в противофазе (увеличению тока базы
соответствует увеличение тока коллектора
и уменьшение напряжения на коллекторе
(рис. 4.17).
Для определения входного напряжения UБЭ необходимо воспользоваться входной характеристикой транзистора IБ = f(UБЭ) при UКЭ = UK(0), приведенной на рис. 4.18.
Постоянному
токуIБ(0)
соответствует постоянное напряжение
UБ(0).
При изменении тока базы с амплитудой
IБm
входное напряжение изменяется с
амплитудой UБm.
Обратим внимание на то, что выходное
напряжение в данном каскаде (ОЭ)
противофазно входному.
Определив с помощью графических построений амплитуды входных и выходных сигналов,
UВХ.m = UБm, IВХ.m = IБm, UВЫХ.m = UKm, IВЫХ.m = IKm,
можно рассчитать основные параметры усилительного каскада:
KU
=
– коэффициент усиления по напряжению;
KI
=
– коэффициент усиления по току;
KP
=–-
коэффициент усиления по мощности;
RВХ
=
– входное сопротивление;
RВЫХ
=
– выходное сопротивление,
где–
выходное напряжение при RН
;
– выходной ток приRН
= 0;
– коэффициент полезного действия, где
P0
= IK(0)EK
– потребляемая от источника питания
мощность.
Параметры усилительного каскада можно рассчитать и с помощью схемы замещения транзистора [7].
Для примера проведем расчёт усилительного каскада (рис. 4.16).
Составим малосигнальную эквивалентную схему, соответствующую схеме рис. 4.16.
Для этого заменим транзистор малосигнальной схемой замещения.
Для простоты примем, что сопротивления разделительных конденсаторов в рабочем диапазоне частот близки к нулю, а сопротивления RБ и RК велики (RБ >> h11Э, RK >> RH). Тогда схема упрощается и приобретает вид рис. 4.19.
Для
токов и напряжений транзистора запишем
UБm
=
h11ЭIБm
+
h12ЭUKm,
IKm = h21ЭIБm + h22ЭUKm. (4.15)
Добавим два уравнения, описывающие источник сигнала и нагрузку:
EГm = UБm + IБmRГ,
UKm = – RHIKm. (4.16)
Из системы уравнений (4.15) и (4.16) можно получить все расчётные формулы:
KU
=
KI
=
;
(4.17)
RВХ
=
;
RВЫХ
=
,
где
– определитель матрицыh-параметров.
Отметим,
что для схемы ОЭ
hRH
<<
h11Э,
h
<< h22ЭRГ
и
h11Э
<<
RГ.
Достоинство полученных с помощью схемы замещения соотношений (4.17) в том, что они применимы для любой схемы включения транзистора (ОБ, ОЭ,ОК).