
- •1 Пассивные элементы электрической сети
- •1.1 Резисторы
- •1.2 Конденсаторы
- •Обозначение конденсаторов
- •1.3 Индуктивность
- •2 Полупроводники
- •2.1 Основные понятия
- •2.2. Виды проводимости полупроводников.
- •2.3 Электронно–дырочный переход
- •2.4 Классификация и обозначение диодов
- •2.5 Выпрямительные диоды
- •2.6 Высокочастотные импульсные диоды
- •2.7 Импульсные диоды
- •2.8 Стабилитроны
- •2.9 Варикапы
- •2.10 Туннельные и обращенные диоды
- •2.11 Фотодиоды
- •2.12 Светодиоды (электролюминесцентные диоды)
- •3 Маломощные выпрямители
- •3.1 Основные понятия
- •3.3 Мостовая схема выпрямителя
- •3.4 Сглаживающие фильтры
- •3.5 Параметрические стабилизаторы напряжения
- •4 Транзисторы
- •4.1 Биполярные транзисторы
- •4.2 Схемы включения и статические характеристики
- •4.3. Статические характеристики транзистора с общей базой
- •4.4. Статические характеристики транзистора с общим эмиттером
- •4.5 Статические характеристики транзистора с общим коллектором
- •4.6 Параметры транзисторов
- •4.7 Составные биполярные транзисторы
- •4.8 Полевые транзисторы
- •4.9 Статические вах полевых транзисторов с p – n переходом
- •4.10 Параметры полевых транзисторов с p – n переходом
- •5. Тиристоры
- •5.1 Основные определения
- •5.2 Тиристор
- •5.3 Симметричный тиристор
- •5.4 Параметры тиристоров
- •5.5 Буквенно – цифровая система обозначения тиристоров
- •6 Практическое применение транзистора
- •6.1Выбор рабочей точки транзистора
- •6.2 Схемы питания транзисторов
- •6.3 Стабилизация рабочей точки
- •6.4 Схемы стабилизации
- •6.5 Шумовые свойства транзисторов
- •7 Электронные усилители
- •7.1 Основные понятия и классификация усилителей
- •7.2 Структурная схема однокаскадного усилителя и основные параметры
- •7.3 Частотная характеристика усилителей
- •7.4 Динамическая характеристика усилителя
- •7.5 Обратная связь в усилителях
- •7.6 Однокаскадный резисторный усилитель с емкостной связью с оэ
- •7.7 Усилители постоянного тока
- •7.8 Усилитель постоянного тока с противоположной симметрией
- •7.9 Двухтактные упт
- •7.10 Усилители с трансформаторной связью
- •7.11 Дифференциальный усилитель
- •7.12 Операционные усилители
- •7.13 Структурные схемы операционных усилителей
- •7.14 Применение операционных усилителей
- •8 Импульсные устройства
- •9 Триггеры
- •9.1 Основные понятия
- •9.2 Способы запуска симметричных триггеров
- •9.3 Несимметричный триггер с эмиттерной связью
- •9.4 Мультивибраторы
- •9.5 Одновибраторы
- •9.6 Одновибраторы на интегральных схемах
- •9.7 Блокинг – генератор
- •9.8 Триггеры на логических схемах
- •9.9 Мультивибраторы на оу
- •9.10 Логические элементы и схемы
- •9.11 Счетчики импульсов
- •9.12 Регистры
- •Содержание
- •1 Пассивные элементы электрической сети
- •1.1 Резисторы 4
2.4 Классификация и обозначение диодов
Классификация и условные графические обозначения полупроводниковых диодов изображена в виде схемы на рисунке 5.
Основой полупроводникового диода является р – n переход, определяющий его свойства, характеристики и параметры.
По своему назначению полупроводниковые диоды подразделяются на: выпрямительные, импульсные, высокочастотные, сверхвысокочастотные, опорные (стабилитроны), трехслойные переключающие, туннельные, варикапы, фото и светодиоды.
Обозначение диодов состоит из четырех элементов, первый (цифра или буква) указывает на исходный материал полупроводника; второй (буква) – класс диода; третий (трехзначный номер по сотням) – группу применения; четвертый (буква) – разновидность диода данного типа. Например КС 168А – кремниевый стабилитрон малой мощности, разновидность типа А.
2.5 Выпрямительные диоды
Для выпрямления переменного тока с низкой частотой (50 – 100000 Гц) широко применяются кремниевые плоскостные диоды, имеющие во много раз меньше обратные токи и большие обратное напряжение по сравнению с германиевыми (рисунок 6, а, б).
К основным параметрам выпрямительных диодов, характеризующих их работу в выпрямительных схемах, относятся:
– среднее значение выпрямленного
тока, который может длительно протекать
через диод при допустимом нагреве;
– среднее значение прямого напряжения,
однозначно определяемое по ВАХ при
заданном значении
;
Рисунок 6
– среднее значение обратного тока при
заданном значение обратного напряжения;
– диапазон рабочих частот, в пределах
которого ток диода не уменьшается ниже
заданной величины. Часто приводят
предельную частоту диапазона
;
– предельно допустимая амплитуда
обратного напряжения;
– максимальное значение прямого тока
диода, которое длительно выдерживает
диод без нарушения нормальной работы;
Выпрямительные диоды подразделяются
на диоды малой мощности
средней
и большой
мощности. В таблице 1 приведен пример
основных параметров диода Д 248Б.
Таблица 1 – Значения параметров выпрямительных диодов.
Тип |
|
|
|
|
|
Масса, гр. |
Д 248Б |
5 – 10 |
1 – 1,5 |
600 |
3 |
1000 |
18 |
2.6 Высокочастотные импульсные диоды
Высокочастотные диоды являются приборами универсального назначения. Они могут работать в выпрямителях переменного тока широкого диапазона частот (до нескольких сотен мегагерц), а также в модуляторах, детекторах и других нелинейных преобразователях электрических сигналов. Высокочастотные диоды содержат как правило, точечный p – n – переход и поэтому называются точечными.
Прямая ветвь ВАХ не отличается от соответствующей ветви характеристики плоскостного диода, чего нельзя сказать при сравнении обратных ветвей (рисунок 7, а).
Поскольку площадь р – n перехода мала, то обратный ток невелик, однако участок насыщения практически не выражен, за счет токов утечки и термогенерации обратный ток равномерно возрастает.
Значения постоянных прямых токов точечных диодов не превышает 50 мА, а значения допустимых обратных напряжений 150 В.
По частотным свойствам точечные диоды
подразделяются на две группы:
Помимо статической емкости
точечные диоды характеризуются теми
же параметрами, что и выпрямительные
(рисунок 7,в).
В диапазоне сантиметровых и миллиметровых волн применяются германивые и кремниевые точечные диоды с очень малым радиусом точечного контакта в р – n переходе (2 – 3мкм). В таблице 2 приведен пример основных параметров высокочастотного диода Д 103А.
Таблица 2 – Основные параметры высокочастотных диодов.
Тип |
|
|
|
|
|
Масса, гр. |
Д 103А |
30 |
30 – 75 |
30 |
600 |
0,5 |
1,3 |