- •1 Пассивные элементы электрической сети
- •1.1 Резисторы
- •1.2 Конденсаторы
- •Обозначение конденсаторов
- •1.3 Индуктивность
- •2 Полупроводники
- •2.1 Основные понятия
- •2.2. Виды проводимости полупроводников.
- •2.3 Электронно–дырочный переход
- •2.4 Классификация и обозначение диодов
- •2.5 Выпрямительные диоды
- •2.6 Высокочастотные импульсные диоды
- •2.7 Импульсные диоды
- •2.8 Стабилитроны
- •2.9 Варикапы
- •2.10 Туннельные и обращенные диоды
- •2.11 Фотодиоды
- •2.12 Светодиоды (электролюминесцентные диоды)
- •3 Маломощные выпрямители
- •3.1 Основные понятия
- •3.3 Мостовая схема выпрямителя
- •3.4 Сглаживающие фильтры
- •3.5 Параметрические стабилизаторы напряжения
- •4 Транзисторы
- •4.1 Биполярные транзисторы
- •4.2 Схемы включения и статические характеристики
- •4.3. Статические характеристики транзистора с общей базой
- •4.4. Статические характеристики транзистора с общим эмиттером
- •4.5 Статические характеристики транзистора с общим коллектором
- •4.6 Параметры транзисторов
- •4.7 Составные биполярные транзисторы
- •4.8 Полевые транзисторы
- •4.9 Статические вах полевых транзисторов с p – n переходом
- •4.10 Параметры полевых транзисторов с p – n переходом
- •5. Тиристоры
- •5.1 Основные определения
- •5.2 Тиристор
- •5.3 Симметричный тиристор
- •5.4 Параметры тиристоров
- •5.5 Буквенно – цифровая система обозначения тиристоров
- •6 Практическое применение транзистора
- •6.1Выбор рабочей точки транзистора
- •6.2 Схемы питания транзисторов
- •6.3 Стабилизация рабочей точки
- •6.4 Схемы стабилизации
- •6.5 Шумовые свойства транзисторов
- •7 Электронные усилители
- •7.1 Основные понятия и классификация усилителей
- •7.2 Структурная схема однокаскадного усилителя и основные параметры
- •7.3 Частотная характеристика усилителей
- •7.4 Динамическая характеристика усилителя
- •7.5 Обратная связь в усилителях
- •7.6 Однокаскадный резисторный усилитель с емкостной связью с оэ
- •7.7 Усилители постоянного тока
- •7.8 Усилитель постоянного тока с противоположной симметрией
- •7.9 Двухтактные упт
- •7.10 Усилители с трансформаторной связью
- •7.11 Дифференциальный усилитель
- •7.12 Операционные усилители
- •7.13 Структурные схемы операционных усилителей
- •7.14 Применение операционных усилителей
- •8 Импульсные устройства
- •9 Триггеры
- •9.1 Основные понятия
- •9.2 Способы запуска симметричных триггеров
- •9.3 Несимметричный триггер с эмиттерной связью
- •9.4 Мультивибраторы
- •9.5 Одновибраторы
- •9.6 Одновибраторы на интегральных схемах
- •9.7 Блокинг – генератор
- •9.8 Триггеры на логических схемах
- •9.9 Мультивибраторы на оу
- •9.10 Логические элементы и схемы
- •9.11 Счетчики импульсов
- •9.12 Регистры
- •Содержание
- •1 Пассивные элементы электрической сети
- •1.1 Резисторы 4
4.7 Составные биполярные транзисторы
Если усиление по току недостаточно, то можно использовать схему составного транзистора (схема Дарлингтона).Эта схема содержит два транзистора, соединенные коллекторы представляют собой общий коллектор составного биполярного транзистора, а к базе второго транзистора подключен эмиттер первого. При этом база первого и эмиттер второго транзистора являются соответственно общей базой и общим эмиттером составного транзистора.
Поскольку обычно выполняются неравенства . Усиление по току составного транзистора наиболее соответствует этому выражению, если номинальный входной ток транзистора VT2 равен номинальному выходному току VT1. Поэтому транзистор VT2 следует выбирать более мощным, а VT1 с большим коэффициентом усиления по току.
Схемы, использующие составные транзисторы, помимо улучшенных усилительных свойств по току, как и по напряжению, обладают большим входным и малым выходным сопротивлением по сравнению со схемами на одиночных транзисторах.
Однако такие схемы менее термостойки, так как обратный коллекторный ток, превышает тепловой ток его отдельных компонентов.
На практике используются также составные транзисторы, содержащие более двух отдельных транзисторов.
4.8 Полевые транзисторы
Полевые транзисторы (униполярные) в отличие от биполярных – обладают носителями заряда одной полярности – либо только электронами в канале n – типа (рисунок 34,а), либо только дырками в канале p – типа (рисунок 34,б).
Классификация и условные графические обозначения полевых транзисторов изображена на рисунке 35 в виде схемы:
Основные носители заряда, протекающие через проводящий канал управляются поперечным электрическим полем (а не током, как в биполярных транзисторах, о чем свидетельствует сам термин “полевые транзисторы”).
Различают два основных вида полевых транзисторов: с управляющим p – n переходом и с изолированным затвором.
Конструкция: на полупроводниковую пластину n – типа сделаны выводы металлических контактов. Слой между контактами называется проводящим каналом (n или p – типа). Электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал втекают носители заряда, называют истоком (И), а электрод, через который из канала вытекают носители заряда, называют стоком (С).
На грань пластины в ее центральной части (как правило с двух сторон) наплавляют акцепторное вещество, создающее область p – типа: в результате образуется p – n переход. От p – области сделан вывод третьего электрода для подачи на p – n переход обратного напряжения. В этом случае проводящий канал образуется в пластине между двух p – n переходов. При подаче обратного напряжения на данный электрод, слои обедненные носителями заряда имеют проводимость близкую к нулю. Электрод, на который подается напряжение, создающее электрическое поле для управления протекающим через канал током, называют затвором (З) (рисунок 36).
Рисунок 36
На затвор относительно истока подается напряжение обратное относительно p – n перехода. Оно создает поперечное по отношению к каналу электрическое поле, напряженность которого зависит от величины приложенного напряжения.
Цепь между затвором и истоком является управляющей. Принцип действия основан на изменении проводимости канала за счет изменения ширины области p – n – перехода под действием поперечного электрического поля, которое создается напряжением затвор–исток.
Если включить в цепь источник усиливаемого сигнала последовательно с источником постоянного напряжения и последовательно с – (рисунок 37), то слабый сигнал вызывает изменение поперечного электрического поля; оно пульсирует с частотой сигнала, что в свою очередь приводит к расширению и сужению канала. Это вызывает пульсацию тока и напряжения на нагрузке .
Отсюда следует, что в отличие от биполярного транзистора, полевой управляется не током, а напряжением .
Поскольку это напряжение обратное, тов цепи затвора ток не протекает, входное сопротивление остается очень большим, на управление потоком носителей заряда, а значит, и выходным током мощность не затрачивается. В этом преимущество полевого транзистора по сравнению с биполярным.