- •1 Пассивные элементы электрической сети
- •1.1 Резисторы
- •1.2 Конденсаторы
- •Обозначение конденсаторов
- •1.3 Индуктивность
- •2 Полупроводники
- •2.1 Основные понятия
- •2.2. Виды проводимости полупроводников.
- •2.3 Электронно–дырочный переход
- •2.4 Классификация и обозначение диодов
- •2.5 Выпрямительные диоды
- •2.6 Высокочастотные импульсные диоды
- •2.7 Импульсные диоды
- •2.8 Стабилитроны
- •2.9 Варикапы
- •2.10 Туннельные и обращенные диоды
- •2.11 Фотодиоды
- •2.12 Светодиоды (электролюминесцентные диоды)
- •3 Маломощные выпрямители
- •3.1 Основные понятия
- •3.3 Мостовая схема выпрямителя
- •3.4 Сглаживающие фильтры
- •3.5 Параметрические стабилизаторы напряжения
- •4 Транзисторы
- •4.1 Биполярные транзисторы
- •4.2 Схемы включения и статические характеристики
- •4.3. Статические характеристики транзистора с общей базой
- •4.4. Статические характеристики транзистора с общим эмиттером
- •4.5 Статические характеристики транзистора с общим коллектором
- •4.6 Параметры транзисторов
- •4.7 Составные биполярные транзисторы
- •4.8 Полевые транзисторы
- •4.9 Статические вах полевых транзисторов с p – n переходом
- •4.10 Параметры полевых транзисторов с p – n переходом
- •5. Тиристоры
- •5.1 Основные определения
- •5.2 Тиристор
- •5.3 Симметричный тиристор
- •5.4 Параметры тиристоров
- •5.5 Буквенно – цифровая система обозначения тиристоров
- •6 Практическое применение транзистора
- •6.1Выбор рабочей точки транзистора
- •6.2 Схемы питания транзисторов
- •6.3 Стабилизация рабочей точки
- •6.4 Схемы стабилизации
- •6.5 Шумовые свойства транзисторов
- •7 Электронные усилители
- •7.1 Основные понятия и классификация усилителей
- •7.2 Структурная схема однокаскадного усилителя и основные параметры
- •7.3 Частотная характеристика усилителей
- •7.4 Динамическая характеристика усилителя
- •7.5 Обратная связь в усилителях
- •7.6 Однокаскадный резисторный усилитель с емкостной связью с оэ
- •7.7 Усилители постоянного тока
- •7.8 Усилитель постоянного тока с противоположной симметрией
- •7.9 Двухтактные упт
- •7.10 Усилители с трансформаторной связью
- •7.11 Дифференциальный усилитель
- •7.12 Операционные усилители
- •7.13 Структурные схемы операционных усилителей
- •7.14 Применение операционных усилителей
- •8 Импульсные устройства
- •9 Триггеры
- •9.1 Основные понятия
- •9.2 Способы запуска симметричных триггеров
- •9.3 Несимметричный триггер с эмиттерной связью
- •9.4 Мультивибраторы
- •9.5 Одновибраторы
- •9.6 Одновибраторы на интегральных схемах
- •9.7 Блокинг – генератор
- •9.8 Триггеры на логических схемах
- •9.9 Мультивибраторы на оу
- •9.10 Логические элементы и схемы
- •9.11 Счетчики импульсов
- •9.12 Регистры
- •Содержание
- •1 Пассивные элементы электрической сети
- •1.1 Резисторы 4
5.3 Симметричный тиристор
Симметричным тиристором, или симистором, называют тиристор, который переключается из закрытого состояния в открытое как в прямом, так и в обратном направлении. Он имеет симметричную вольт–амперную характеристику, т.е. одинаковые по виду прямую и обратные ветви. В связи с этим симисторы применяют как переключающие приборы в цепях переменного тока.
Симметричные тиристоры разделяют на диодные и триодные. Диодный симметричный тиристор (диак) включается при достижении как в прямом, так и в обратном направлениях определенного значения между основными выводами, равного напряжению переключения. Триодный симметричный тиристор (триак) включается как в прямом, так и в обратном направлениях при подаче сигнала на его управляющий электрод.
Структура симистора характеризуется большим, чем четыре, числом чередующихся областей р – и n – типа и, соответственно, имеет не три, а больше число переходов: для диака пять слоев и четыре перехода, для триака– шесть и более слоев, пять и более переходов
Рассмотрим структуру и принцип действия симистора, на рисуноке 52, а изображен эквивалент в виде двух тиристоров; 52,б,в – условные графические обозначения диака и триака; 52,г – схема включения триака.
Эту структуру можно рассматривать как два обычных тиристора, включенных встречно–параллельно. Первый из них включает часть структуры правой стороны – c переходами , и (рисунок 52,а); для него прямым будет положительное напряжение на аноде относительно катода. В этом случае переходы и находятся под прямым напряжением, а – под обратным. Как было подробно рассмотрено для обычного тиристора, с увеличением тока в –слое накапливаются электроны, а в – слое – дырки, что приводит к перемене полярности напряжения на переходе с обратной на прямую, и тиристор переключается из закрытого состояния в открытое.
Если на электрод УЭ подавать импульс управляющего напряжения со знаком “плюс” относительно анода А, то на дополнительном переходе создается прямое напряжение, электроны инжектируются из области в область , диффундируют через нее к переходу и перебрасываются полем его контактной разности потенциалов в – слой. Насыщение – слоя приводит в свою очередь к увеличению
прямого напряжения на переходе , под действием которого усиливается инжекция дырок – слоя в n2–слой; они диффундируют через – слой и перебрасываются под действием обратного напряжения на переходе в – слой. Накопление дырок в – слое и электронов в – слое под действием импульсов управляющего сигнала происходит мгновенно, и тиристор переключается в открытое состояние при меньшем напряжение между основными электродами, чем напряжение переключения при отсутствии тока управления.
При перемени полярности напряжения в основной цепи – процессы происходят так же, как в обычном тиристоре. Импульс управляющего сигнала создает дополнительное прямое напряжение на переходе , и через него проходит ток управления , вызывая переключение симистора из закрытого состояния в открытое.
Рассмотренные процессы отражены на семействе вольт–амперных характеристик симистора (рисунок 53)
В прямом направлении они такие же, как для обычного тиристора, а в обратном – аналогичны им, но располагаются симметрично в третьем квадранте системы координат.