- •1 Пассивные элементы электрической сети
- •1.1 Резисторы
- •1.2 Конденсаторы
- •Обозначение конденсаторов
- •1.3 Индуктивность
- •2 Полупроводники
- •2.1 Основные понятия
- •2.2. Виды проводимости полупроводников.
- •2.3 Электронно–дырочный переход
- •2.4 Классификация и обозначение диодов
- •2.5 Выпрямительные диоды
- •2.6 Высокочастотные импульсные диоды
- •2.7 Импульсные диоды
- •2.8 Стабилитроны
- •2.9 Варикапы
- •2.10 Туннельные и обращенные диоды
- •2.11 Фотодиоды
- •2.12 Светодиоды (электролюминесцентные диоды)
- •3 Маломощные выпрямители
- •3.1 Основные понятия
- •3.3 Мостовая схема выпрямителя
- •3.4 Сглаживающие фильтры
- •3.5 Параметрические стабилизаторы напряжения
- •4 Транзисторы
- •4.1 Биполярные транзисторы
- •4.2 Схемы включения и статические характеристики
- •4.3. Статические характеристики транзистора с общей базой
- •4.4. Статические характеристики транзистора с общим эмиттером
- •4.5 Статические характеристики транзистора с общим коллектором
- •4.6 Параметры транзисторов
- •4.7 Составные биполярные транзисторы
- •4.8 Полевые транзисторы
- •4.9 Статические вах полевых транзисторов с p – n переходом
- •4.10 Параметры полевых транзисторов с p – n переходом
- •5. Тиристоры
- •5.1 Основные определения
- •5.2 Тиристор
- •5.3 Симметричный тиристор
- •5.4 Параметры тиристоров
- •5.5 Буквенно – цифровая система обозначения тиристоров
- •6 Практическое применение транзистора
- •6.1Выбор рабочей точки транзистора
- •6.2 Схемы питания транзисторов
- •6.3 Стабилизация рабочей точки
- •6.4 Схемы стабилизации
- •6.5 Шумовые свойства транзисторов
- •7 Электронные усилители
- •7.1 Основные понятия и классификация усилителей
- •7.2 Структурная схема однокаскадного усилителя и основные параметры
- •7.3 Частотная характеристика усилителей
- •7.4 Динамическая характеристика усилителя
- •7.5 Обратная связь в усилителях
- •7.6 Однокаскадный резисторный усилитель с емкостной связью с оэ
- •7.7 Усилители постоянного тока
- •7.8 Усилитель постоянного тока с противоположной симметрией
- •7.9 Двухтактные упт
- •7.10 Усилители с трансформаторной связью
- •7.11 Дифференциальный усилитель
- •7.12 Операционные усилители
- •7.13 Структурные схемы операционных усилителей
- •7.14 Применение операционных усилителей
- •8 Импульсные устройства
- •9 Триггеры
- •9.1 Основные понятия
- •9.2 Способы запуска симметричных триггеров
- •9.3 Несимметричный триггер с эмиттерной связью
- •9.4 Мультивибраторы
- •9.5 Одновибраторы
- •9.6 Одновибраторы на интегральных схемах
- •9.7 Блокинг – генератор
- •9.8 Триггеры на логических схемах
- •9.9 Мультивибраторы на оу
- •9.10 Логические элементы и схемы
- •9.11 Счетчики импульсов
- •9.12 Регистры
- •Содержание
- •1 Пассивные элементы электрической сети
- •1.1 Резисторы 4
6 Практическое применение транзистора
6.1Выбор рабочей точки транзистора
При выборе рабочей точки транзистора с предполагаемой амплитудой входного сигнала необходимо выдерживать следующие требования: нелинейные искажения должны быть минимальны; выделяемая на транзисторе мощность не должна превышать допустимой мощности рассеяния; напряжения и токи не должны превышать максимальных значений.
Причем нельзя превышать температуру оговоренную заводом изготовителем.
На рисунке 54 изображена ВАХ полевого транзистора: 1 –допустимая область работы; 2– ограничения из–за нелинейности; 3–ограничения из–за максимальной мощности потерь; 4– ограничения по напряжению. .
Рисунок 54
Рассеиваемая в транзисторе мощность определяется как произведение тока на напряжение коллектора в рабочей точке:
6.2 Схемы питания транзисторов
Это схемы, обеспечивающие соответствующие постоянные напряжения на электродах транзистора, т.е. устанавливающее заранее выбранную рабочую точку. Подача напряжения через делители позволяет: обеспечить на электроде транзистора требуемое напряжение при использовании источника с постоянным напряжением питания, питать все электроды данного транзистора или схемы состоящей из ряда транзисторов, от одного общего источника. Обычно источник имеет малое внутреннее сопротивление. Которое, будучи подключено к входу транзистора, нагружает дополнительно источник управляющего сигнала. Для предотвращения этих нежелательных явлений между источником и транзистором используют резисторы.
Наиболее простые схемы питания это если подать на электроды смещение от отдельных источников и резисторов.
Для схемы ОБ для входной цепи имеем (рисунок 55, а):
.
Из этой зависимости при заданном и определенном токе (выбранной рабочей точки) можно определить сопротивление резистора , необходимое для смещения перехода эмиттер–база соответствующее рабочей точке. Для кремниевых транзисторов можно принять .
Для схемы ОЭ (рисунок 55,б) для входной цепи имеем следующую зависимость:
.
Для определения сопротивления резистора ток определяют из характеристик транзистора для заданной рабочей точки либо из следующего соотношений:
.
Для схемы ОБ для выходной цепи имеем следующую зависимость
.
Для схемы ОЭ для выходной цепи имеем следующую зависимость
.
6.3 Стабилизация рабочей точки
Рассматриваемые до сих пор схемы питания не обеспечивали стабилизации рабочей точки транзистора. Схемы стабилизации это схемы, уменьшающие влияния изменений тока и коэффициент а на ток коллектора . Изменение вызывает изменение полного тока (в цепи коллектора) в результате происходит смещение рабочей точки транзистора.
Изменение и происходит под влиянием температуры транзистора (последняя зависит от температуры окружающей среды, так и от электрической мощности выделяемой на транзисторе). Обычно схемы стабилизации соединены со схемами питания транзистора, образуя чаще всего общую схему питания и стабилизации. Эффективность стабилизации подсчитывают с помощью коэффициентов стабилизации , определяемых обычно как отношение приращения тока или стабилизированного напряжения к приращению тока или коэффициента , вызванного ростом температуры, например: . При идеальной стабилизации =1, но примерно 2...7.
На основе рассмотрения многих схем можно показать, что на практике стабилизация чаще всего сводится к поддержанию постоянных значений и напряжения .
Дополнительный выигрыш от использования схем, стабилизирующих рабочую точку транзистора, является уменьшение влияния разброса параметров, на работу транзисторной схемы.