- •Раздел 1. Виды мпт-средств, используемых в качестве ядра мпу.
- •Раздел 2. Функциональная схема мпу
- •2.1. Адресные пространства и их взаимодействие
- •2.1.1. Параллельные адресные пространства
- •2.1.2. Совмещенные адресные пространства
- •2.1.3. Смешанные адресные пространства
- •2.2. Расширенное адресное пространство.
- •2.2.1. Метод регистровых пар
- •2.2.2. Метод оконного доступа
- •2.2.3. Доступ с помощью сегментных регистров
- •Раздел 3. Структурная схема мпу.
- •Раздел 4. Блоки питания мпу
- •4.1. Общие требования
- •4.2. Общие вопросы электропитания и заземления
- •4.3. Гальваническая развязка
- •Раздел 5. Память мпу.
- •5.1. Память программ мпу
- •5.1.1. Пзу масочного типа
- •5.1.2. Ппзу
- •5.1.3. Уфппзу
- •5.1.4. Эппзу
- •5.2. Память данных
- •5.3. Энергонезависимая память
- •5.3.1. Микросхемы памяти fram
- •5.3.1.1. История создания
- •5.3.1.2. Принцип работы fram
- •5.3.2. Микросхемы памяти mram
- •5.3.2.1. Принципы работы
- •5.3.2.2. Сравнение с другими типами памяти
- •5.3.2.2. Общее сравнение
- •Раздел 6. Схемотехническая реализация автомата
- •Раздел 7. Шины мпу.
- •7.1. Шины микропроцессорной системы
- •7.2. Циклы обмена информацией
- •Раздел 8. Системы отладки мпу
- •8.1. Основные понятия и термины
- •8.2. Процесс отладки мпу
- •8.3. Функция средств отладки
- •8.3.1. Автоматизация программирования мпу или разработки пс.
- •8.3.2. Управление прототипом мпу при комплексной отладке.
- •8.3.3. Контроль функционирования и регистрации состояния мпу.
- •8.3.4 Запись отлаженных программных средств в бис ппзу.
- •8.4. Мпу как объект отладки
- •8.5. Требования, предъявляемые к системе отладки
- •8.5.1. Требования невидимости
- •8.5.2. Требования к предоставляемому сервису
- •8.5.3. Требование прозрачности.
- •8.6. Режимы работы отлаживаемых мпу.
- •8.6.1. Процессор контрольных точек (точек останова)
- •8.6.2. Трассировка.
- •8.6.3. Частичная эмуляция ас.
- •8.7. Инструментальные средства отладки
- •8.7.1. Общие сведения об отладочных средствах
- •8.7.2. Внутрисхемный эмулятор
- •8.7.3. Интегрированная среда разработки
- •8.7.4. Отладочный монитор
- •8.7.5. Эмуляторы пзу
- •8.7.6. Встроенные средства отладки
Раздел 5. Память мпу.
5.1. Память программ мпу
Основным свойством памяти программ является ее энергонезависимость, то есть возможность хранения программы при отсутствии питания. С точки зрения пользователей МК следует различать следующие типы энергонезависимой памяти программ:
5.1.1. Пзу масочного типа
ПЗУ масочного типа — mask-ROM. Содержимое ячеек ПЗУ этого типа заносится при ее изготовлении с помощью масок и не может быть впоследствии заменено или допрограммировано. Поэтому МК с таким типом памяти программ следует использовать только после достаточно длительной опытной эксплуатации.
Основным недостатком данной памяти является необходимость значительных затрат на создание нового комплекта фотошаблонов и их внедрение в производство. Обычно такой процесс занимает 2-3 месяца и является экономически выгодным только при выпуске десятков тысяч приборов.
ПЗУ масочного типа обеспечивают высокую надежность хранения информации по причине программирования в заводских условиях с последующим контролем результата.
5.1.2. Ппзу
ПЗУ, однократно программируемые пользователем, — OTPROM (One-Time Programmable ROM). Представляют собой версию EPROM, выполненную в корпусе без окошка для уменьшения стоимости МК на его основе. Сокращение стоимости при использовании таких корпусов настолько значительно, что в последнее время эти версии EPROM часто используют вместо масочных ПЗУ.
5.1.3. Уфппзу
ПЗУ, программируемые пользователем, с ультрафиолетовым стиранием — UVROM (Erasable Programmable ROM). ПЗУ данного типа программируются электрическими сигналами и стираются с помощью ультрафиолетового облучения. Ячейка памяти UVROM представляет собой МОП-транзистор с «плавающим» затвором, заряд на который переносится с управляющего затвора при подаче соответствующих электрических сигналов.
Для стирания содержимого ячейки она облучается ультрафиолетовым светом, который сообщает заряду на плавающем затворе энергию, достаточную для преодоления потенциального барьера и стекания на подложку. Этот процесс может занимать от нескольких секунд до нескольких минут.
МК с UVROM допускают многократное программирование и выпускаются в керамическом корпусе с кварцевым окошком для доступа ультрафиолетового света. Такой корпус стоит довольно дорого, что значительно увеличивает стоимость МК. Для уменьшения стоимости МК с UVROM его заключают в корпус без окошка (версия EPROM с однократным программированием).
5.1.4. Эппзу
ПЗУ, программируемые пользователем, с электрическим стиранием — EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM). ПЗУ данного типа можно считать новым поколением EPROM, в которых стирание ячеек памяти производится также электрическими сигналами за счет использования туннельных механизмов. Применение EEPROM позволяет стирать и программировать МК, не снимая его с платы. Таким способом можно производить отладку и модернизацию программного обеспечения.
Это дает огромный выигрыш на начальных стадиях разработки микроконтроллерных систем или в процессе их изучения, когда много времени уходит на поиск причин неработоспособности системы и выполнение циклов стирания-программирования памяти программ. По цене EEPROM занимают среднее положение между OTPROM и EPROM. Технология программирования памяти EEPROM допускает побайтовое стирание и программирование ячеек. Несмотря на очевидные преимущества EEPROM, только в редких моделях МК такая память используется для хранения программ. Связано это с тем, что, во-первых, EEPROM имеют ограниченный объем памяти. Во-вторых, почти одновременно с EEPROM появились Flash-ПЗУ, которые при сходных потребительских характеристиках имеют более низкую стоимость;
5.1.5. Flash-ROM
ПЗУ с электрическим стиранием типа Flash — Flash-ROM. Функционально Flash-память мало отличается от EEPROM. Основное различие состоит в способе стирания записанной информации. В памяти EEPROM стирание производится отдельно для каждой ячейки, а во Flash-памяти стирать можно только целыми блоками. Если необходимо изменить содержимое одной ячейки Flash-памяти, потребуется перепрограммировать весь блок. Упрощение декодирующих схем по сравнению с EEPROM привело к тому, что МК с Flash-памятью становятся конкурентоспособными по отношению не только к МК с однократно программируемыми ПЗУ, но и с масочными ПЗУ также.