Курсовой - Разработка технологического процесса изготовления толстоплёночной ГИС / 3 Разработка структурной схемы технологического процесса

3 Разработка структурной схемы технологического процесса

Для разработки структурной схемы технологического процесса изготовления толстоплёночной ГИС используют очищенную и прошедшую отжиг плату, на неё наносят и поочерёдно вжигают с обеих сторон проводящую пасту для формирования проводников, контактных площадок и нижних обкладок конденсаторов (рисунок 3.1).

Рисунок 3.1 - Нанесение пасты для формирования проводников, контактных площадок и нижних обкладок конденсаторов.

Формируем диэлектрик для конденсаторов и пересечений проводников (рисунок 3.2).

Рисунок 3.2 - Формирование диэлектрика для конденсаторов и пересечений проводников.

Затем формируют верхние обкладки и плёночные перемычки (рисунок 3.3).

Рисунок 3.3 - Формирование верхних обкладок и плёночных перемычек.

Последними формируют резисторы, т. к. они имеют самую низкую температуру вжигания (рисунок 3.4).

Рисунок 3.4 - Формирование резисторов.

После облуживания контактных площадок (верхние обкладки конденсаторов, резисторы и диэлектрик припоем не смачиваются так как их изготовляют из паст, инертных к припою) производят лазерную подгонку резисторов (рисунок 3.5).

Рисунок 3.5 - Лазерная подгонка резисторов.

Конечными этапами изготовления являются сборочные операции, такие как: установка выводов, монтаж навесных компонентов и герметизация опрессовкой с использованием пластмассы, после чего производят обрезание рамки и разъединение выводов (рисунок 3.6).

Рисунок 3.6 - Сборочные операции.