Курсовой - Разработка технологического процесса изготовления толстоплёночной ГИС / 1 Анализ задания на проектирование

1 Анализ задания на проектирование

В данном курсовом проекте я буду рассматривать схему усилителя, который будет выполнен по технологии ГИС. Выбор данной технологии связан с тем, что ГИС по сравнению с полупроводниковыми ИМС, имеют более широкие схематические возможности благодаря использованию различных навесных компонентов (транзисторов). ГИС позволяют реализовать широкий класс функциональных электронных схем-усилителей, преобразователей, коммутаторов, устройств селекции и сравнения, вторичных источников питания, являясь при этом экономически целесообразными в условиях серийного и мелкосерийного производства.

Также в курсовом проекте будет описана принципиальная электрическая схема усилителя, его основные функциональные возможности. Для изготовления пленочных и коммутации навесных элементов необходимо использовать подложку определенного типа. Она должна обладать высокими механическими свойствами, минимальной пористостью, высокой теплопроводностью, химической стойкостью, низкой стоимостью и так далее. Материал подложки и ее размеры будут выбираться в зависимости от рассчитанных параметров элементов.

Для того чтобы схема усилителя работала правильно, необходимо разработать: комплекс конструкторских чертежей, которые имеют свои особенности – коммутационную схему и эскиз технологии; технологический процесс изготовления ГИС.

Существует два способа реализации ГИС:

а) тонкопленочная технология;

б) толстопленочная технология.

По толстопленочной технологии формулируют элементы с различными значениями параметров, но точность и воспроизводимость параметров ниже, чем у тонкопленочной технологии. Срок службы данного усилителя во многом будет определяться качеством оценки разработанной ИМС и способом защиты ее от внешних воздействий.